台積電在關鍵技術專利提前布局,在技術推出給客戶前的7至8年便會開始部署,如16奈米的鰭式場效電晶體(FinFET),且不會只是點狀申請,會增強專利的豐富性。....
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鰭式場效電晶體finfet 在 科技產業資訊室 Facebook 的最佳貼文
台灣半導體研究中心(TSRI)與日本產業技術總合研究所(AIST)合作,開發新型電晶體結構,有助製造2奈米以下線寬、規劃應用在2024年後的新一代先進半導體。
相關技術是將矽(Si)和鍺(Ge)等不同通道材料從上下方堆疊、使「n型」和「p型」場效應電晶體(FET)靠近、名為CFET的結構。
台積電規劃3奈米採用鰭式場效電晶體(FinFET)架構,2奈米之後轉向環繞閘極(GAA)架構。
同時日本經產省投資補助420億日圓,並也打算和台積電建立合作體系....
http://tokiox.com/wp/aist-japan-taiwan-collaborate-for-2nm-generation-hcfet/
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還是好消息
對於長期股東來說
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#本文不代表投資建議
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因此,1997年胡教授實驗室首先製作鰭式場效電晶體(FinFET),將傳統製作在矽基板表面下的電晶體,做在表面上。最大的特點是電晶體隔離距離可以縮小, ... ... <看更多>
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