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mosfet 熱阻 在 EE Times Taiwan Facebook 的最讚貼文

EE Times Taiwan By EE Times Taiwan

2021-04-21 08:50:55 有 3 人按讚
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【英飛凌如何運用Source Down技術提升功率密度】

今天上午10：00 準時開始 🎉
英飛凌基於 Source Down 技術，全新MOSFET 如何顯著提高產品設計的功率密度？
立即了解 >> https://eetimes.pse.is/3cn8s8

圍繞 OptiMOS™ 低壓功率 MOSFET，它不僅是 “晶片內部結構的翻轉”，同時也對整個封裝進行了優化⬆️。通過優化晶片內核以及轉接夾片，極大地降低了導通電阻RDS(on)，同時熱阻 RthJC 也顯著降低。
另外，源極底置 (Source Down) 技術提升了 MOSFET 的最大連續和脈衝漏極電流能力！

本次研討會英飛凌與品佳一起為您全面詳細的介紹創新的 OptiMOS™ MOSFET 如何提供更高的效率⚙️，更高的功率密度，以及更高的可靠性！
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演講日期：2021年4月21日 (三)
演講時間：10：00 a.m. - 11：30 a.m.
演講嘉賓：
✨英飛凌 電源與感測系統事業部高級市場經理 曾偉權
✨大聯大控股旗下品佳集團 應用工程副理 柳生偉

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EE Times Taiwan

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mosfet 熱阻 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的最佳解答

COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 By COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

2019-01-11 14:30:00 有 56 人按讚
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#物聯網IoT #智慧家庭 #工業自動化 #電源設計 #系統級封裝SiP

【電源設計夠「完整」嗎？】

小至物聯網 (IoT) 家庭自動化感測器、大到工業機器，每個電路都需要電力；而電源模組是一種經過測試的「完整」電源，兼具低雜訊、高效率和緊湊佈局等優勢，可省去設計工作。它是包含整個開關電源 (含電感) 的獨立元件，將脈寬調變 (PWM) 控制器、MOSFET 驅動器、功率 MOSFET、回饋網路和磁性元件放置於同一個封裝內的系統級封裝 (SiP) 解決方案，以克服電源轉換之穩定性、瞬態回應、效率、電磁干擾 (EMI) 和佈局等設計挑戰。

採用分離式元件實現板載電源解決方案，需要針對每個電源測試這些特性，就算是將設計重新用於新電路板的新佈局時也要如此。即使是在謹慎模擬或以前經過原型設計的電路中，實際佈局也可能引入穩定性問題、電磁輻射、意外的瞬態行為或出人意料的效率結果。這可能會增加不必要的重複設計並拖累整個產品的發佈，電源模組的主要優勢之一便是消除這些風險。就實現板載直流／直流 (DC-DC) 轉換而言，沒有任何方法比電源模組更簡單。

電源模組的第二個優勢是電路尺寸。模組內部的訊號佈線比 PCB 上更加緊湊，故模組通常在功率密度方面優於分離式元件；在一些應用中，這將關係到目標外形是否匹配？最終使用者希望較小的 IoT 平台、可穿戴電子產品和固態硬碟解決方案的尺寸小巧，而這種小尺寸有時會引入與設備溫度額定值相關的其他問題。許多電源模組僅適合在臨時或瞬態負載條件下以滿載額定電流工作，且需要在穩態工作時降額到較低的電流，部分原因是系統熱力學的自然結果。

因此，這就需要採用更好的散熱設計以在更小的空間中處理相同的熱量。使用熱效率極高的銅引線框封裝技術，與基於 PCB 或多步封裝方法相比，可最大程度降低熱阻、在大多數熱環境和較高環境溫度下以滿載額定電流穩態工作。最後，電源模組的輻射極低，採緊密封裝的性質可最大程度減少相位節點上各元件間的距離，並使功率電晶體柵極非常接近電源驅動器。在分離式電源的 PCB 佈局中，最佳作法是盡可能縮短這些走線的長度，以避免產生任何 EMI 問題。

延伸閱讀：
《電源模組如何簡化和加速產品設計》
http://compotechasia.com/a/tech_applicati…/…/1122/40475.html
(點擊內文標題即可閱讀全文)

#微芯科技Microchip #MIC45404 #MIC28304

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COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

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#71. MOSFET 特性参数

MOS 场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件，和双 ... 6 热阻. 表示器件热传导的难易程度。热阻越小，散热性能越好。 一般有两种：.

#72. TG-A2200 超軟導熱矽膠片| 高柏科技

... 的填補熱源與散熱裝置之間的空隙，並減少接觸熱阻，厚度與尺寸可客製化生產。 ... Server, IC, CPU, MOS, LED, Mother Board,Power Supply, Heat Sink, LCD-TV, ...

#73. 采用大功率MOSFET管功率放大器模块的热设计

功率器件到功率模块的底板，模块的底板到散热器均为一维稳态导热。 冷却方式是根据质量因素热耗体积密度来选择。还需要考虑的典型因素有：热阻、重量、维护要求 ...

#74. Simcenter Powertester 1500A|熱阻量測 - 成基應用科技有限公司

MicReD 的 Powertester 是針對高功率半導體元件，同時針對熱以及可靠度壽命測試做量測。主要量測對象為 IGBT，MOSFET 及 DIODE。 The efficient ...

#75. 从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（十五）_电压 - 搜狐

上面这个参数是MOSFET的热阻，RBJC 表示MOS管结温到表面的热阻，这里我们知道RBJC=0.75。热阻的计算公式：，其中，Tj表示MOSFET的结温，最大能承受150 ...

#76. 功率MOSFET - 維基百科，自由的百科全書

封裝材料的模塑料以及人造樹脂的特性，會元件的最高結溫。 最高工作環境溫度是由發熱量以及熱阻所決定。結點到外殼（junction-to-case）的熱阻是 ...

#77. 英飞凌OptiMOSTM - 功率MOSFET 数据表说明 - eestar

因此，热阻或热容（取决于. 脉冲宽度）对于该器件的工作情况具有决定性的影响。如等式(6) 所示，可以计算结温的升高量。在应用功率. 脉冲之前的热平衡状态下， ...

#78. 離散半導體器件溫度的計算 - 大大通

本文以MOSFET 為例, 演示如何使用測量的波形來計算通道溫度。該方法也可用於計算其他類型 ... 計算電流傳導引起的溫度上升值圖3.7 是資料表中瞬態熱阻曲線的摘錄。

#79. 电源工程师指南：大功率电源中MOSFET功耗的计算

话说回来，TJ又依赖于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的热阻(ΘJA)。这样，似乎很难找到一个着眼点。由于功率耗散的计算涉及到若干个相互依赖的因素，我们可以采用一种迭代 ...

#80. MOSFET的每个特性参数都讲透了，干货满满！

Tstg：MOSFET器件本身或者使用了MOSFET的产品，其保存温度范围为：. 最低-55°C，最高150°C(例). 1.5 热阻. 表示热传导的难易程度。热阻值越小，散热性能越好。

#81. 熱設計建模模擬有助於功率半導體元件的熱管理

在大多數應用場合，功率半導體元件(二極體、MOSFET以及IGBT)消耗了主要的 ... 在這種一階的分析過程中，半導體溫度可以由功耗與熱阻的乘積得到。

#82. MOS管绝缘导热片导热系数1.5W

型 号：XK-F15ST. 热传导率：1.5 W/mK. 核心对应：贝格斯Silpad 系列. 产品特性：高绝缘，表面的高平坦性即使低压下使用都可以达到低接触热阻，自帶粘性，方便安裝及 ...

#83. 采用SO-8 和PSOP-8 封装的LM3404/04HV 的散热性能

LED驱动器的高占空比会使集成(板载MOSFET) LED ... 输出电压为17.5V,强制MOSFET在73%的时间内导通。 ... 根据功耗和热阻数据,可估算出最大的工作环境温度,.

#84. MOSFET功率模組散熱效能研究__臺灣博碩士論文知識加值系統

將電熱分析結果之功率損耗依比例進行熱傳與熱流分析，在電熱分析同時考慮晶片、端子及鋁線溫度相依熱阻進行分析，比較不同電流強度下使用單顆晶片IV曲線與三顆晶片並聯 ...

#85. 理解功率MOSFET 数据表参数

因此，它取决于一个假设的底座温度(Tmb)、器件的热阻(Rth) 和. 最大Tj 下的RDS(on)。 请注意，某些供应商引述了“理论”硅片限值，但在特性曲线中标示此理论限值需受封装.

#86. 以低導通電阻有助於降低功耗的車用小型MOSFET產品線擴展

特性 · 降低功耗與行業領先的 低導通電阻：RDS(ON)=12 mohm (最大值) 在VGS=4.5 V (SSM6K818R) · 藉由降低熱阻，採用TSOP6F封裝的功率耗散額定值為1.5W · 符合AEC-Q101 標準 ...

#87. 車用功率MOSFET遇散熱挑戰頂部散熱強化熱管理 - 新電子

鋁具有高熱導率(通常在100~210W/mk之間)，因此最常用的散熱器是鋁制的。與通過PCB的常規散熱相比，鋁或類似金屬大大降低了熱阻，進而提供更好的熱回應。

#88. 氮化镓场效应管的热性能及测试方法

热阻 是确定分立功率器件的热性能的一个主要因素。我们根据一个器件的热阻性能可以推算用户能应用的最大功耗和电流。我们非常了解传统的硅MOSFET的热 ...

#89. 英飛凌MOSFET系列新推40V 裝置採源極底置改善熱阻問題

英飛凌MOSFET系列新推40V 裝置採源極底置改善熱阻問題. 2020-11-18. 英飛凌(Infineon)推出OptiMOS 40 V 低電壓功率MOSFET，採用源極底置(Source-Down, SD) PQFN 封裝， ...

#90. 板子上的MOS管真的能持续安全工作吗？

DC时的最大损耗功率PD的计算公式为：. 其中Tjmax为最大结温，TC为壳温，RθJC为稳态热阻，这三个值在数据手册中都可以查到。

#91. MOSFET散熱片使用時機- 零組件介紹及量測

本元件(型號為FQP30N06L的MOSFET)的熱組為62.5度C/W,故當其在消耗為1W的功率下,其外殼溫度(不加散熱片下)=熱阻+室溫=62.5+25=82.5度C,故即使在消耗 ...

#92. 高功率應用的可擴展性設計 - Wolfspeed

若需要提高電流輸出能力，將功率MOSFET並聯很常見，但有時會產生不容易解決 ... 冷板能夠為全部六個模組位置提供均衡的冷卻劑流量，每個的熱阻為0.008 ...

#93. MOS管各项参数- 模拟与混合信号

补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。 IDM - 脉冲漏极电流. 该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要 ...

#94. 今華電子材料零件網路商城 各類零組件、電腦耗材周邊、各類 ...

今華電子成立於1995年，專營電子零件、儀表及相關工具、電腦耗材週邊產品。門市內提供近萬種常備現貨與熱門商品，價格優惠，歡迎蒞臨指教。

#95. MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理详细资料说明原

增加电阻会导致电流减小，从而降低温度。最终，当并联器件所承载的电流大小相近时，便达到平衡状态。RDS（on） 值和不同结至环境热阻 ...

#96. DigiKey 臺灣- 電子元件經銷商

DigiKey 提供數千家製造商的上百萬款產品，且提供豐富的現貨數量可在當天出貨。接受Apple Pay、Google Pay™ 與Paypal；即刻線上訂購！