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#1. 國立臺灣師範大學機電科技學系碩士論文指導教授：劉傳璽博士 ...
(2.6) 式即可推得(2.1) 式飽和汲極電流IDsat公式，而此時之汲極電流值亦將. 保持於一個持平狀態。然而，實際上之輸出特性曲線將如圖2-5 所示[7]；在.
#2. 第3 章MOSFET 講義與作業
利用二次方程式的求解公式. 由於VDSD = V0 = 0.349 V < VGSD – VTND = 5 – 1 = 4 V，則驅動電晶體偏壓在非飽. 和區，如同起始假設工作狀態. 工作電流.
繼上一篇MOSFET的開關特性之後，本篇介紹MOSFET的重要特性–閘極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
#4. 第一章晶體性質與半導體成長
米重要公式. (公式推導如下頁) ... 6.10 對於短L，由於短通道效應的影響，IDSat 通常. 會隨著VD 的增加而輕微上升，因此也導致了輸出阻. 抗的降低。
#5. 混合基片奈米CMOS 元件技術中各種應力效應對傳輸特性及 ...
Idsat =W*Vinj*Ceff*(VG-VT,sat)*(1- rc)/(1+ rc) ... 下的飽和電流公式，成功重新詮釋傳輸參 ... 因此可以觀察到元件在stress 過後其IDsat. 的衰減也較低。
IDsat = Ip ... (VG - Vr)/Vp < 1, Taylor series, IDsat✯S. IDsat = ẞ(VG – VÎ)² ... p-channel MOSFET 之I-V 公式,可由n-channel 公式修正得到,並假設n-.
#7. MOS Transistor
Idsat is proportional to W. Carriers travel at the saturation velocity at the drain end of the channel where Qinv = Coxe(Vgs − Vt − mVdsat) and Vdsat ...
#8. CN104899350B - SiC MOSFET仿真模型的建模方法
[0013] 根据本发明的一个实施例，通过以下公式获取所述漏极饱和电压VDsat和所述漏极饱和电流IDsat: Figure CN104899350BD00052. [0015] 其中，B和η为饱和区曲线的特性 ...
#9. CPU 的制程越来越小，为什么不通过增大面积来提高性能？
驱动电流的公式和相互关系如下。一个公式，一目了然. L越小，u越大，Idsat越大. 附加说明 ...
3）饱和电流：idsat 该参数为负温度系数，温度升高，饱和速度明显下降，电流 ... 下降了，根据饱和电流公式I=UnCoxW/L(vgs-vth)^2*(1+Lambda*vds), ...
#11. 國立中山大學物理研究所碩士論文
壓與汲極電流稱為VDsat與IDsat，當汲極電壓大於VDsat時，則達到飽和. [7]。 圖2-6：MOSFET 操作方式及其輸出 ... MOSFET的汲極電流可由下面公式表示：. A.線性區電流.
#12. 明新科技大學校內專題研究計畫成果報告- 接觸蝕刻截止層厚度 ...
明顯，而本實驗的元件製程採用90 奈米光罩微縮至45 奈米元件，所以更會產生. 一些短通道效應，在短通道效應下，IDsat 趨近於公式(4.2)[11]。
#13. CMOS器件歷史淺析–掃盲版 - 每日頭條
... 此時就到了飽和區(satuation region,Idsat=1/2*μ*Cox*W/L*(Vg-Vt)^2)。 ... 從上面的Isat公式可以看出Isat與W/L稱正比，所以L變小自然電流變大。
#14. (12) 发明专利申请
IDSAT 和栅电阻值Rg,同时收集前述晶圆中所有芯片中的大尺寸MOSFET器件的栅氧电容值 ... 差值ALg 的方法为:依据公式Lg = Wres = Rsh*Lres/Rg,其中,Rsh为多晶硅栅的方块电.
#15. 科技部補助專題研究計畫成果報告期末報告 - NCKU
Table 2 Characteristics of the junctionless bulk FinFETs with different substrate doping concentrations. Substrate doping (cm-3). Ioff. (A). Idsat.
#16. Fabrication and electrical property of ... - ScienceDirect.com
... 为pA/V)，在VGS 为-5 V 时，跨导gm 达到最大值为-2.1 pA/V，如图3(c)中蓝线所. 示。在饱和区域，饱和电流IDsat 与门电压VG 之间的关系可以用以下公式表示[26]：.
#17. MOSFET | 臺灣東芝電子零組件股份有限公司| 台灣
Toshiba offers an extensive portfolio of low-VDSS and mid/high-VDSS MOSFETs in various circuit configurations and packages, featuring high speed, ...
#18. Lecture Notes | Microelectronic Devices and Circuits
Ses # Topics Lecture Notes Annotated Lecture... L1 Overview of 6.012 (PDF) L3 Carrier Transport: Drift and Diffusion (PDF) (PDF) L5 p‑n Junction Electrostatics in Thermal Equilibrium (PDF) (PDF)
#19. 利用吉時利4200-SCS機型參數分析儀進行晶圓級可靠性測試
(VT)、線性和飽和區中的漏極電流(IDLIN和IDSAT)，以及跨導 ... 些參數的公式，並可在測試庫中找到對應的測試。 ... 加壓之間監測參數，包括IDLIN、IDSAT、Ig、VT和.
#20. Re: [請益] 關於電路模擬如何正確調整電晶體的尺寸…
但要自己設計的話公式中似乎好像有很多變數? ... 此時，在Vgs=Vds=3V下，NMOS W/L = 10/0.6可以得到200uA左右的Idsat PMOS W/L = 10/0.65可以 ...
#21. れとかはあ フランシュリッペ コート IDSaT-m96339881009 ...
フランシュリッペ コート IDSaT-m96339881009 - カテゴリーレディース > ジャケット/アウター > ロングコートブランドフランシュ リッペ商品のサイズM商品の状態目立っ ...
#22. 鰭式電晶體矽鰭載子電荷分佈探討及可靠度研究
推導出來的公式，可以求出trap 之x 與y 的位置，source 到drain 的 ... 得知鰭寬10nm的n-type FinFET其IDsat 為1067μA/μm，而鰭寬25nm. 的n-type FinFET 的IDsat ...
#23. 数字后端基本概念介绍<沟道宽长比> - 搜狐
MOS管工作在非饱区时，I-V特性曲线公式近似为： 因此，沟道宽长比对MOS管来说是非常重要的一个参数指标。宽长比越大，MOS管的饱和电流(Idsat)就越大， ...
#24. 器件建模平台MeQLab培训教程
Instance Filter常见应用场景介绍以及如何查看Spec(如Idsat, Vtsat) 对Width， Length作图. ... 预测模型是指用于预测的，用数学语言或公式所描述的事物间的数量关系。
#25. 第七章MOS场效应晶体管 - 百度文库
经验公式 x j t ox ( xmD x mS ) 2 图7-61 最小沟道长度Lmin随 的变化关系图7-60 MOST漏极电流随沟 ... L减小，则IDsat增大，说明沟道长度减小，电阻减小。
#26. 金屬閘極在HfSiON 絕緣層互補式金氧半場效應電晶體
(IDsat). 元件操作在線性區與飽和區,量測其閘極電壓由OV 掃描 ... TiN 元件有較高的驅動電流(Insar)如圖4,因此有堆疊TiN元件有較大的電子遷移率,利用公式(2)可解釋.
#27. 半导体学报
出了短栅速度饱和模型的饱和区漏导近似公式: Idsat. 1. Io. (4). (5). 其中Vas≥Vdsat. 对于SiC 功率器件, IV 特性数据是采用脉冲.
#28. CN101022152A - 聚合物电解质薄膜晶体管- Google Patents
场效应迁移率用饱和区的晶体管沟道电流公式来计算：IDsat=WμsatCi2L(VG-VT)2]]>其中W和L分别代表沟道的宽度和长度，Ci是栅绝缘层单位面积的电容，VT是阈值电压，VG ...
#29. pMOSFET的可靠性-NBTI - 人人焦點
公式 我就不講了，也講不清楚。 根據定性的模型講解，NBTI和什麼東西有關？首先是溝道長度L，長度越長越嚴重。其次是Idsat比Idlin嚴重，第三個是薄GOX ...
#30. Effect of Gate Dielectric on Ballistic Transport of
IDsat = 0.001613× k3 - 0.1328× k2 + 3.871× k - 0.512 (2). Where, k is the dielectric constant of the gate oxide. Fig. 7. Saturation drain current vs.
#31. pMOSFET的可靠性-NBTI （转） - 芯知社区 - 半导体设备
当然HCI只适用于NMOS，因为只有电子才有足够的动能(E=1/2*mV^2，公式里面速度比重量更 ... 其次是Idsat比Idlin严重，第三个是薄GOX比厚的严重。
#32. TFT基本架構及原理
Idsat. (. )...... −. −. = 2. 2. 1. Vd. VdVt. Vg. L. W. CId. iµ. (. )2. 2. 1. Vt. Vg. L. W. C. Id i. −. = µ. Linear region.
#33. 探讨| 功耗应该在哪个corner 看？ - 极术社区
再者是温度，温度影响最大的是leakage, 对Idsat 几乎没影响，IR/EM 都是找『最有 ... 根据该公式可以得出: 在频率跟翻转率一定的情况下，高压+ Cworst 会得到最大的 ...
#34. 沟道宽长比基本概念-KIA MOS管 - 场效应管
具体公式可以查阅资料。 ... MOS管工作在非饱区时，I-V特性曲线公式近似为：. MOS管，宽长比 ... 宽长比越大，MOS管的饱和电流(Idsat)就越大，性能就越好。
#35. 探讨| 功耗应该在哪个corner 看？ - 腾讯云开发者社区
再者是温度，温度影响最大的是leakage, 对Idsat 几乎没影响，IR/EM 都是 ... 根据该公式可以得出: 在频率跟翻转率一定的情况下，高压+ Cworst 会得到 ...
#36. えます HUAWEI - dtab Compact d-01J/862223038277591の ...
こちらの商品はラクマ公式パートナーのモバイルケアテクノロジーズ株式会社によって出品されています。 idSAt-416450767 アディダス×アンディーフィー ...
#37. 晶体管电性测试结构及测试方法与流程 - X技术
现有idsat测试条件如下：id@vg＝vd＝vdd，vb＝vs＝0；从测试条件 ... 现有wat机台电流的测试精度如下公式所示：测试精度＝±(a％测量值+b％当前测量 ...
#38. 半導体工学（12）
ゲート電圧(VGS)がしきい値(Vth)を超えるとドレイン電流IDS. が流れるが，ゲート電流は流れない． ▫ 同じゲート電圧でも，VDSを大きくするほどドレイン電流IDSが.
#39. 数字后端基本概念介绍<沟道宽长比> - 手机搜狐网
MOS管工作在非饱区时，I-V特性曲线公式近似为： 因此，沟道宽长比对MOS管来说是非常重要的一个参数指标。宽长比越大，MOS管的饱和电流(Idsat)就越大， ...
#40. Fabrication and electrical property of individual ZnO nanowire ...
... (b) IDS-VDS curve; (c) ID-VG curve and gm; (d) IDsat 1/2-VG transfer characteristic curve. ... 根据公式(2)，阈值电压相应向正向.
#41. 总剂量效应致0.13 µm部分耗尽绝缘体上硅N型金属 ... - 物理学报
以及关键电学参数VT, GMmax, IDSAT 退化较多. ... 出特性曲线提取沟道饱和电流IDSAT, 如图4 中插 ... 根据公式. E = U/W (E 为场强, U 为电势, W 为沟道宽度),.
#42. 0.13微米逻辑电路负偏压温度不稳定性的改善
方向漂移即绝对值的增加，跨导（Gm）减小，饱和漏电流（Idsat）减小，关态漏电 ... 由上面的公式我们可以看到，MOS 阈值电压和迁移率的改变可以使器件饱和.
#43. Vth 電壓
One should STI帶來的壓力對器件性能有重要影響，特別是電流Idsat和閾值 ... 5692m *MOS操作在飽和區之Vds值大小beta 2.4101m *MOS電流公式中的β參數由於高效率之功率 ...
#44. 深亚微米工艺中MOS器件的版图效应 - 图灵社区
目前比较通用的计算方式是Yannis Tsividls的一组计算公式。 1.首先我们把MOS管距离井区边沿的四个距离记录为sc1-4。 2.定义如下三个函数.
#45. MOS管| MCU加油站 - 电子创新网
公式 是BV=K*（1/Na+1/Nb），从公式里也可以看出Na和Nb浓度如果差10倍， ... 因为MOSFET的饱和输出电流IDsat与饱和电压(VGS－VT)之间有平方关系，所以 ...
#46. 關於集成電路可靠性退化行爲仿真的進展 - 雪花新闻
通常選用的HCI 模型可用公式（3）來表示，這裏，ΔD 爲器件性能的退化程度，可以是Idsat，H、m、n 均爲模型參數，W 爲溝道寬度，t 爲應力加載時間，Ids ...
#47. 电流镜的失调及消除 - 电子工程专辑
比如工艺提供的测试结果通常会包含VTH_gm、Idsat、Δβ/β等的偏差计算公式，帮助设计人员选择器件尺寸。当然除了MOSFET外，电阻，二极管，三极管，电容 ...
#48. MOSFET器件热载流子效应SPICE模型 - 东南大学学报
值电压Vth、导通电阻Ron及饱和器件电流Idsat等） ... （a）BSIM3v3模型自带的Isub公式 ... 图1 基于Isub公式的计算结果与实测数据的拟合情况.
#49. 基于PSP模型的40nm MOS器件HCI可靠性模型研究-手机知网
... 然后将新模型的公式以子电路和调用参数的形式加入到MOSRA模型卡中,再以模型卡的 ... 的模型和测试数据误差在对应阈值电压Vth时小于3%,对应Idlin和Idsat时小于5%。
#50. 国民技术面试20200910 - 望溪- 博客园
漏电流公式中：KP,μ（主要是晶格振动散射起作用），Vth都是负温度 ... ①在源-漏电压VDS一定时：由E-MOSFET的饱和电流IDsat对栅电压的微分，即可得到 ...
#51. 超深亚微米P NBTI 效应及其机理研究 - 电子学报
导致了器件漏电流IDsat的绝对值和跨导gm 的减少,关态电流 ... PMOSFET发生IDsat退化导致了明显的时 ... 从以上公式中可以看出阈值电压Vth的变化是由于界面态密.
#52. 工业工程工程师必备- MBA智库文档
答：主要有Idsat、Ioff、Vt、Vbk(breakdown)、Rs、Rc；一般 ... 答：藉由defectmap与yieldmap的迭图与公式的运算，可算出某种缺陷对良率的杀伤力。 Thumbnails
#53. 采用红外快速热退火的晶体管TED 效应与沟道尺寸的关系研究
公式 (1) 和(2) 是一般情况下硅中掺杂原子的扩散方 ... 公式(3) 称为Frank-Turnbull 机制，一个替位原 ... Idsat、衬底电流Isub 等，主要对阈值电压的漂移问.
#54. Intel Technology Journalに見るIntelの45nm CMOSプロセス (3)
トランジスタのスレッショルド電圧(VT)を高めに設計すると、前述のようにリーク電流は減少するが、VDD-VTが小さくなるのでIdsatは小さくなるという関係に ...
#55. 胡少坚Patents
Publication Number Title Publication Date Publication Date Applicat... 141 CN102436529B Publication/Patent Number: CN102436529B Publicat... 142 CN101571884B Publication/Patent Number: CN101571884B Publicat... 143 CN101464919B Publication/Patent Number: CN101464919B Publicat...
#56. 技術前沿：IC晶片——設計、工具、IP、到封裝- 頭條匯
公式 自己查一下就知道了來自於電容，要提升電容你要麼降低厚度，要麼提高介電 ... 有的朝著<110>，有的朝著<100>在走，這樣的結果就是各個電晶體之間的Idsat不同了。
#57. 孙超群- 研发工程师- startup - LinkedIn
startup · 1.独立破解并安装模型提取所需相关软件，包括： · 2.搭建模型提取相关item（vtgm，idlin，idsat，ioff等）的网表，以及模型仿真width&length—trend，temperature— ...
#58. 2020年第37卷第5期 - 微电子学与计算机
... 文件系统的选择算法的数学模型以及相关公式，应用案例对选择结果进行分析、测试. ... 一种影响因素获得的器件性能更好，器件的饱和电流和漏电流的性能(Idsat-Ioff) ...
#59. dtab Compact d-01J/862223038277591の通販 by モバイル ...
ラクマ公式の中古スマホショップです。 ... ならラクマ こちらの スマホショ dtab Compact d-01J/862223038277591 こちらの idSAt-416450767 EUw57R27 ...
#60. 晶体管原理与设计（微电子器件）第53章 - 人人文库
根据耗尽区宽度公式可计算出L 为由于，当L 缩短时，ID 会增加。 若用IDsat 表示当VDS VDsat 后的漏极电流，可得当L 较长或NA 较大时， 较小，电流的 ...
#61. 使用微型模块SIP中的集成无源器件 - UserManual.wiki
输出失调电流取决于放大器的失调和偏置电流，如公式5所示。 ... 随着电压的减小，晶体管驱动电流(IDSAT)却不断增大。增加的驱动. 强度至少实现了两个目的。
#62. FPGA电源的保养和馈送：成功之路和原因指南 - 电子发烧友
这是一个简单的计算（公式1），使用所有电容器的总和以及FET和串联R的总和，以及R的并联组合红沉降率 ... 随着电压的缩小，晶体管电流驱动（IDSAT).
#63. 期末考題目卷ex20110117 - Yumpu
你可能需要的數據及公式: ... MOSFET 之公式: ... μn = 800 cm 2 /V-s, Cox = 3.45×10 -7 F/cm 2 , and Vt = 0.7 V . Find VDsat and IDsat for.
#64. 溶液法低电压有机薄膜晶体管器件及电路集成
阈值电压(Threshold voltage, Vth)：按照公式2-2，Vth 的数值可以按照图2-6 ... 为了解释交叠型结构OTFT 的Idsat 随tsd 的变化趋势，图3-7 给出了 ...
#65. MOS元件原理及參數介紹 - 隨意窩
MOS元件原理及參數介紹MOS製程可以分成以下三種：pMOS、nMOS和CMOS。 (一) pMOS在MOS製程技術中是最簡單，所以被應用的最早。其是利用電洞來導電，所以速度會變得較慢 ...
#66. Nbti 原理
其原理可由電容的基本公式定義C= 來說明，這邊所提到的是為閘極電壓所給的 ... PMOS在栅极负偏压和较高温度工作时，其器件参数如Vth、Gm和Idsat等的不 ...
#67. 半導體數學漫談
PMOS-Idsat(mA/µm). 0.06. 0.19. 0.27. 0.22. 0.26 0.32. 三. 半導體數學簡介. 半導體數學其實是指半導體物理與工程. 中相關的數學問題, 而半導體物理是探討半.
#68. 器件不匹配特性对温度和电压效应模型.pdf 29页 - 原创力文档
我们通过Idhn或Idsat的不匹配度偏差对V$作图来了解这个公式的来源。如图低。在其它变化的温度和村底偏压条件下，可以观察到同样的现象。
#69. 半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 167 頁 - Google 圖書結果
而且,若繼續將 VDsat 代入(5.10)式,則發現(5.10)式會趨近於長通道的 IDsat 公式(4.15)。另一個極端為當 L → 0(即通道非常短的情形), ...
#70. CH08 場效電晶體
公式 8-2-3. 光碟、紙張用得少，你我讓地球更美好！ 15176AA 適用. 8 - 9. 第 8 章 場效電晶體. JFET之汲極特性曲線. 註： 1. N通道的電流ID = IDS與P通道的電流ID ...
#71. 場效電晶體(Field-Effect Transistors, FET)
此JFET源極電位必須比閘極電位. 高，才能讓閘極-源極接面保持逆向. 偏壓. ❑ 源極電壓等於V. S. ＝I. D. R. S. ❑ 利用下列分壓器公式，閘極電壓可.
#72. 場效電晶體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
場效電晶體（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。 大功率N通道場 ...
#73. 第5 章金氧半場效電晶體(MOSFETs)
空乏型MOSFET 具有一個以離子佈植法所形成的通道，因此. 可在空乏模態或增強模態之下操作。除了 . 只為負值之外，. 它的特性公式與增強型元件相同(空乏型PMOS 電 ...
#74. Chapter 5 The Field-Effect Transistor - 正修科技大學
(單位為A/V2)再代入電流公式. KCircuit symbols and conventions. ;n-通道MOSFET的慣用電路符號. 垂直實線表閘極，虛線表通道，之間為氧化層. 虛線亦表其為增強模式.
#75. 超大规模集成电路设计方法学导论 - 第 243 頁 - Google 圖書結果
( 2 ) DIBL 按照公式( 7-217 ) , DIBL 效应引起的 VA.DIBL 应为 al DS V TH -1 1 IDSAT = VA , DIBL = IDSAT WV TH JV DS 0TH ( L ) 8m Abulk ESATL ( VGS - VTH ) ...
idsat公式 在 Re: [請益] 關於電路模擬如何正確調整電晶體的尺寸… 的推薦與評價
※ 引述《problemptt (cool)》之銘言：
: 請問一下做電路設計模擬時如何調整正確電晶體的W/L比??
: 完全沒有方向感不知該如何從哪個方向下手比較好??
: 有無限多的數值 想找出大概的值如何?該怎麼找?要不然真的有點大海撈針??
: 是用電晶體電流公式代嗎?但要自己設計的話公式中似乎好像有很多變數?
: Cox各製程技術好像都不一樣，這個要如何決定?遷移率電子1350 電洞480?
: 有問學長但得到的答案都是感覺或者抓趨勢，真的沒有說有很明確的方法去調整
: 正確電晶體的W/L比嗎?
: 有人有經驗可以分享嗎?? 學不會真的不知道要怎麼繼續唸下去了?
: 謝謝
先不考慮從無到有的設計，這比較不符合目前業界的現況...XD
以你目前的問題是在於要如何針對手邊的電路跑模擬，並調整適合的W/L比。
我想，當在你要變更電路設計時，手邊至少一定要有兩份文件，一個是EDR(Electrical
Design Rule)，另一個是LDR(Layout Design Rule)。
EDR讓你知道目前製程所採用的電晶體/電阻/電容...所有元件的電氣特性，包含在何種
測試條件下所得的參數，而LDR則是提供你在設計電路之初必須考慮在繪製電路佈局
(layout)的一些規範。
如果你沒有這兩個東西，那你的設計就誠如你口中那些學長的回答一樣，都是〔憑感覺〕
我只能跟你說，世界上還有很多事比腸病毒還可怕，這就是其中之一。
或許你只是弄個畢業論文或是晶片下線，在學校或許行得通，在業界可能就被打槍了。
你提到Cox好像依製程技術不同而不同，這是當然的。你可以打開用來跑模擬的
model card，裡頭一定有詳列該製程下，NMOS/PMOS/Diode/Resistor...等元件的參數
好比MOS的Vt，0.18um/0.13um/0.09um/0.045um一定都不同，甚至像Idsat，更會註明
在W,L等於多少下測得...。
關於W/L的調整，舉個例吧，最簡單的反相器（Inverter）。
參考LDR與EDR，例如某記憶體產品 0.18um製程下MOS gate length(min) = 0.6um
(純邏輯製程是0.18um，DRAM又是不同...。)
此時，在Vgs=Vds=3V下，NMOS W/L = 10/0.6可以得到200uA左右的Idsat
PMOS W/L = 10/0.65可以得到100uA左右的Idsat
從課本內我們都知道PMOS:NMOS的width要2:1，使得它的轉移特性會較好。
所以你就畫一個PMOS(20/0.65)+NMOS(10:0.6)的反相器。
然後再對照Model card裡的製程corner(SS, TT, FF..)開始驗證在不同電壓與溫度下，
的直流特性，如電壓轉移特性(VTC, voltage transfer Characteristic)，雜訊周邊
(Noise margin)；暫態響應，如上升時間(rise time), 下降時間(fall time), 傳遞延遲
(propagation delay)，與功率消耗(power consumption)等等
爾後再考慮應用方面，如fanout, fanin, buffer...
此時，根據模擬結果你會得出某個範圍的W/L值，這個值可以容許製程偏差所造成的影響
當然，如果你覺得只是一顆小小的MOS，而且僅作為邏輯的反相器，size竟然用W=10um
好像太佔面積了，那你可以將此需求加入上面的驗證流程中，試著縮小size，但不違反
LDR。
最後你得出一個PMOS(4/0.65)，NMOS(2/0.6)這樣一個滿足你需要的電晶體。
之後，你可以拿來作為standard lib.以用來為日後的邏輯設計作準備。
決定MOS的W與L後，過來就是畫layout。要怎麼畫，這也是一門學問，不過，不在你的
提問內，所以就先跳過。
最後，你一定要知道該元件作為某個用途時，哪個參數是重要的。
好比電子遷移率，在Si-製程中(電子:1350 cm^2/s 電洞:480 cm^2/s)，但在GaAs
(電子:8500 cm^2/s 電洞:400 cm^2/s)，但這些並不是考慮的重點。
好比你把MOS作成電容(MOS-connected capacitor)，此時，Vt與Idsat，甚至是
電子遷移率就不是那麼重要，反而是Cox, Cg, Cb, Cd（低頻與高頻）。
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在臺灣，何謂R&D工程師?
1.Reverse and Decap :IC反相工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。
2.Resign and Die :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。
3.Rework and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話!
4.Relax and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就會Random Death (隨時陣亡)
但是外派到大陸的臺彎郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割!
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 203.66.222.12
※ 編輯: jfsu 來自: 203.66.222.12 (11/27 15:19)
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