關於 latch up測試方法 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. 闩锁效应（latch up） - TI E2E™ 中文设计支持论坛

沒有這個頁面的資訊。

#12. 锁定效应（Latch-up）测试介绍-中文 - 摩尔实验室

随着电子技术的发展，电子电路的集成度越来越高，相关的电压瞬变会引起半导体器件失效，即锁定效应（latch.

#13. 台湾ESD协会推荐文章——ESD/Latchup测试方法 - 电子技术 ...

台湾ESD协会推荐文章——ESD/Latchup测试方法内有100页PPT,详细介绍了ESD(HBM/MM/CDM)和Latchup的测试方法，以及相关的各个标准。是台湾ESD协会副会长何正江先生的大作， ...

#14. 半導體產品ESD靜電防護能力測試 - 華證科技

所謂的閂鎖效應Latch-up，是指瞬間電流被鎖定或者放大，而造成晶片在電源與對地之間造成短路，而因為大 ... Line Pulse)測試，屬於半導體產品靜電放電的先期模擬方法。

#15. Latch up - 中文百科知識

ƒ Latch up 是指cmos晶片中，在電源power VDD和地線GND(VSS)之間由於寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產生的一低阻抗通路。 Latch up 的 ...

#16. CMOS的閂鎖效應:Latch up的原理分析 - 人人焦點

Latch up 是指CMOS晶片中，在電源VDD和地線GND(VSS)之間由於寄生的PNP和NPN雙 ... 針對上述產生原因，Latch up的防護方法主要有以下幾個方面入手：.

#17. 閂鎖效應 - 華人百科

避免閂鎖的方法就是要減小襯底和N阱的寄生電阻，使寄生的三極體不會處於正偏狀態 ... ESD 和相關的電壓瞬變都會引起閂鎖效應(latch-up)是半導體器件失效的主要原因之一 ...

#18. ESD Testing Station 1200 series - 東京電子交易株式会社

ESD/CDM/LATCH-UP 测试方法. ESD Station 1200 series 1100 系列 ... Model 1200 系列是符合全球标准的ESD/CDM/闩锁效应测试系统，最多允许256 个引脚进行可编程引脚组合测试 ...

#19. ESD測試與設計服務 - MA-tek 閎康科技

靜電防護是所有積體電路必須採用的內建式電路防護方法，且必須抵抗外界所有電性對於內建積體電路的損傷。 ... 請問是否可以進行高溫Latch-up ? 規格是多少?

#20. latch up原理ppt - Ruious

CH13 CH8 GuardRing Latch-up的防護Latch-up原理分析CMOS電路中在電源VDD和地線GND ... ESD模型及有關測試1、ESD模型分類2、HBM和MM測試方法標準3、 CDM模型和測試方法 ...

#21. 「latch up概念」懶人包資訊整理(1)

CMOS電路設計技術，已經變成電路設計上的主流創新技術。何謂CMOS電路呢? 就是利用互補式金屬層氧化 ... ,ESD 靜電放電測試隨著IC制程工藝不斷升級, 特徵尺寸已演進到深亞 ...

#22. 一种毛刺干扰触发芯片闩锁效应的测试方法 - Google Patents

[0011] 实施本发明测试方法的测试流程完全按照标准IC Latch-Up Test JESD78B之规定进行，不同的是，测试时需要先选择毛刺脉冲的最大尖峰电压值、最大脉冲宽度Twidth、 ...

#23. latch up - CSDN

图文并茂，解释了latch up产生的原因，并详细介绍了防止latch up 产生的方法 ... 阐述了在Latch-up测试中负电流的产生机理，以及芯片内部寄生双极晶体管对负电流的连锁 ...

#24. latch up測試方法 - 台灣公司行號

2014年5月9日- ESD与latchup测试介绍- ESD模型及有关测试1、ESD模型分类2、HBM和MM测试方法标准3、 CDM模型和测试方法标准4、拴锁测试5、 I-V测试6、 ...

#25. [08S042]CMOS積體電路Latch-Up/Transient Latch-Up測試與防護

CMOS積體電路Latch-Up/Transient Latch-Up測試與防護熱烈招生中. CMOS積體電路或電子產品之EOS(含LU)破壞是影響IC或零組件可靠性及延緩上市的重要因素，因此無論由製程 ...

#26. Latch-up测试中负电流的影响和防护 - 电子技术应用

阐述了在Latch-up测试中负电流的产生机理，以及芯片内部寄生双极晶体管 ... Cap”造成的，一般来说米勒补偿电容在这种应用中的实现方法有两种，一种是 ...

#27. [转载]什么是ESD,什么是latch up_m0_47095451的博客

因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且与ESD（静电防护） ... 图文并茂，解释了latch up产生的原因，并详细介绍了防止latch up 产生的方法 ...

#28. latch up 解決

對成品廠商而言，除了要求IC供應商測試到所訂定的ESD防護等級，對於所選用的IC， ... 2010-11-12 消除“Latch-up”效應的方法版圖設計時： 為減小寄生電阻R ，版圖設計時 ...

#29. ESD & Latch-up - 环境可靠性与电磁兼容试验中心

当您选择GRGT时，您将与ESD测试和闩锁测试领域的公认专家合作。我们致力于为客户提供最新的测试方法，以及测试数据的技术解释和对结果的准确评估。

#30. LATCH UP 测试分析_百度文库

但是，以前我没做过类似的工作，因为以前的公司的芯片LATCH UP 测试都是找宜硕这样的公司进行测试。LATCH UP 测试主要分为VSUPPLY OVER VOLTAGE TEST ，I ...

#31. ESD静电放电测试/Latch-up闩锁测试 - 展芯芯片分析实验室

ESD/Latch-up Test. ESD Test. 随着IC制程工艺不断升级, 特征尺寸已演进到深亚微米阶段. 而随特征尺寸减小, 集成电路对静电放电( Electrostatic Discharge ) 变得更加 ...

#32. ESD/CDM/Latch-UP抗靜電能力測試系統 - Quatek

型號1100ELC:支援HBM、MM、latchup和CDM測試。 通過ESD測試，可以測試設備損傷與ESD應力之間的關係。ESD ...

#33. 轉寄 - 博碩士論文行動網

論文摘要閂鎖效應(Latchup)是CMOS積體電路(IC)產品的設計上一項常見的問題，嚴重時 ... 提出了一個靠提供補償電流以對抗閂鎖測試電流刺激提高對閂鎖效應耐受度的方法。

#34. latch up 测试方法疑问- ESD/EOS资料区 - EETOP论坛

在lacth up 测试的时候为什么要对IO PIN触发至高电平和低电平两种情况来进行拉电流和灌电流。这两种情况有什么区别? latch up 测试方法疑问,EETOP 创芯网论坛(原名： ...

#35. latch up原理

鎖定效應（Latch-up）測試介紹-中文-摩爾實驗室, www.morlab.cn ... 金等減少少子存在時間的方法之外，我們還可以從latch-up 的原理出來，用電路和版圖的方法來解決。

#36. 逻辑电平之CMOS Latch up（3） | 电子创新网赛灵思社区

Latch up 是指CMOS晶片中，在电源VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极 ... 针对上述产生原因，Latch up的防护方法主要有以下几个方面入手：.

#37. cmos latch up 原理 - Missxhuzi

鎖定效應（Latch-up）測試介紹-中文-摩爾實驗室, www.morlab.cn ... Latch up是指CMOS晶片中，在電源VDD和地線GND (VSS)之間由于寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而 ...

#38. 目录

... 集成电路设计与制造中存在的闩锁效应（Latch-up）问题进行了详细介绍与分析。在介绍了CMOS集成电路寄生效应的基础上，先后对闩锁效应的原理、触发方式、测试方法、 ...

#39. 静电服务<试验分析及设备应用服务<QRT

静电放电试验设备; 闩锁测试; EOS 测试 ... 该试验利用向Package充电荷的方法。CDM分类水平为200 V ~ 1000 V。 ... 预防Latch-up的最重要方法为将设计本身做得完善些。

#40. 靜電放電保護電路設計與閂鎖效應防制之研究黃致遠

要的角色，在過去LATCH UP問題，總是困擾著積體電路工作者，因此大家無不想盡方法 ... 高電流觸發ESD保護電路設計的實驗晶片做抗靜電放電能力測試，元件的抗正向ESD果.

#41. 頭號難題！我是一ESD（上） - GetIt01

在講ESD的原理和Process之前，我們先講下ESD的標準以及測試方法，根據靜電的產生 ... 而Hold電壓就是要維持Snap-back持續ON，但是又不能進入柵鎖(Latch-up)狀態，否則 ...

#42. latch up原理讲解 - 传递计算机信息!

latchup 原理讲解闩锁效应（latchup）闩锁效应（latchup）是CMOS必须注意的现象 ... 因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且 ...

#43. ESD和閂鎖測試- 靜電| EAG實驗室

EAG Laboratories是行業領導者，擁有最先進的ESD測試（靜電放電）和閂鎖測試技術。 ... 我們致力於為我們的客戶提供最新的測試方法，以及測試數據的技術解釋和結果的 ...

#44. 靜電防護過度電性應力閂鎖試驗(ESDEOSLatch | 健康跟著走

閂鎖效應(Latch-up) 測試; 靜電放電閂鎖測式(Transient-Induced Latch up); 系統級靜電放電模式(ESD GUN TEST); 測試ESD I-V Curve量測; 過度 .

#45. 微处理器的应用可靠性设计

科学的质量管理方法. ISO9001、ISO16949质量管理体系认证. 不断改进的制造工艺 ... 屏蔽效能的仿真及测试 ... 如果电流较大，或持续较长时间，Latch-up将直接引发EOS！

#46. latch up 電路

CMOS積體電路Latch-Up/Transient Latch-Up測試與防護CMOS積體電路或電子產品 ... Up）效應：這是3個超實用的方法; CMOS的閂鎖效應：Latch up的原理分析; Latch ...

#47. 关于静电放电（ESD）原理以及其保护方法的详细分析

在讲ESD的原理和Process之前，我们先讲下ESD的标准以及测试方法，根据 ... 还有个概念就是二次击穿电流，就是进入Latch-up之后I^2*R热量骤增导致硅 ...

#48. 如何预防IC的latch-up现象和Antenna effect？ - 世强

通常在电路设计和工艺制作中加以防止和限制。 1）在基体（substrate)上改变金属的掺杂，降低BJT的增益2）避免source和drain的正向偏压3）增加一个轻掺杂的layer在重掺 ...

#49. 課程 - 科技人才學習網- 竹科管理局

Latchup in CMOS ICs (3 hrs, 柯明道講師) ... Electrostatic Discharge)防護設計」，其中包括靜電放電工業標準、靜電放電測試方法、靜電放電防護基本概念、靜電放電的 ...

#50. latch up概念

Latch up 是指cmos晶片中，在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路。 26/1/2009 · 閂鎖效應測試(Latch-Up ...

#51. latchup_爱学术

【期刊】 平板显示器功率驱动芯片的Latch-up及克服方法 · 【期刊】 Latch-up测试中负电流的影响和防护 · 【期刊】 CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究 · 【专利】 一种集成 ...

#52. 國立交通大學- PDF Free Download

16 第二章靜電防護元件與測試方法一般製程所生產的元件為了獲得高積集度因此在 ... 例如RC-PMOS 電路設計或是高壓製程中對於閉鎖效應(latch-up) 考量的高維持電壓的 ...

#53. 人體靜電放電模型 - 政府研究資訊系統GRB

驗，延續此未來42V車用電源系統高壓驅動LDMOS之高Latch-up免疫力/靜電防護能力 ... 本計劃中將提出最佳化方法去達到這樣的目的，對於功率結構的分析，針對ESD應力下 ...

#54. 靜電放電概論

產業（甚至材料）的測試方法（如：ASTM-257–DC Resistance or Conductance of Insulating ... ESD TR5.4-04-13 Transient Latch-up Testing（暫態栓鎖測試）.

#55. Latchup现象和预防措施 - 面包板社区

Latchup 是指cmos晶片中,在电源powerVDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和. ... liyanesd 2006-11-07 15:05: volatile的用法和测试方法: volatile关键 ...

#56. 一文講透靜電放電（ESD）保護！ - ITW01

在講ESD的原理和Process之前，我們先講下ESD的標準以及測試方法，根據靜電 ... 而Hold電壓就是要維持Snap-back持續ON，但是又不能進入柵鎖(Latch-up) ...

#57. latch up 電路– d flip flop 電路圖 - Chezmoer

※避免Latch-up 現象的方法, 1,選用適當的Op-amp，或專用的Buffer amp。例如早期的μA741、TL07X，它們的”Differential input voltage”皆能高於電源電壓…。 2,兩輸入端各串入 ...

#58. latch up概念

因為它會導致整個芯片的失效，所以latch up 是QUAL測試的一種，并且與ESD（靜電 ... 最簡單最常用的方法是拉大Drain 的距離/ 拉大SAB 的距離(ESD rule 的普遍做法)。

#59. 集成电路latch up简介

专业集成电路测试网-芯片测试技术-ic test ... 集成电路latch up简介 ... 另外，这里也有一篇TI关于latch-up和ESD的技术文章，请下载参考：.

#60. 高壓BCD製程之靜電放電防護元件設計與實現

靜電放電 ； 閂鎖 ； 矽控整流器 ； 傳輸線系統 ； 持有電壓 ； 暫態閂鎖 ； (electrostatic discharge (ESD) ； latch-up ； silicon controlled rectifier (SCR) ...

#61. esd 标准 - 豆丁网

Kimpsion 訊程實業股份有限公司抗靜電抗栓鎖(ESD/Latch-Up)及TLP ... (接地)?NC 依民標ESDA,JEDEC,AEC 均需特別考量11 ESD/Latch-Up HBM/MM 測試方法-2 HBMMil-883 ESDA ...

#62. 基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件

关键词: 静电放电(ESD) 双向可控硅(DDSCR) TCAD仿真 传输线脉冲测试 二次击穿电流 ... Latch-up free design of SCR-based ESD protection circuits[J].

#63. 電源啟動順序, MOSFET,Maxim,電路保護裝置 - CTIMES

電源啟動順序控制不僅能夠解決避免雙載子積體電路在開關機過程中鎖死（Latch-up） ... 避免其中一電源比另一個更早到達的方法是監測主要電源，以確保它在第二個電源 ...

#64. 9608-9707 先進LDMOS 技術開發與其抗ESD 測試/模型T

值時不會有發生Latch-up 的危險。本計劃中將提出最佳化方法去達到這. 樣的目的，對於功率結構的分析，針對ESD 應力下我們使用TLP 測量工. 具，HBM 測試， EMMI 測量 ...

#65. 经典：CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转) - 360doc个人 ...

Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了，其实他两个 ... 去做免疫性提升，所以尽可能让Holding voltage (Vh)小于Vcc，方法如下：.

#66. IGBT latch up effect_文档下载

IGBT测试_信息与通信_工程科技_专业资料。IGBT AC TEST SET-UP 一. IGBT ...引起DEVICE 在Turn-off 时发生LATCH-UP, 造成DEVICE FAIL。 Ⅱ.改变测试...

#67. 集成电路动态闩锁效应检测方法研究- 期刊 - 中国知网

【Abstract】 In this paper, the dynamic latch-up test method of integrated circuit is studied, which is used to detect the real latch-up protection ...

#68. 靜電放電ESD，它的原理和測試方法！ - 農林漁牧網

在講ESD的原理和Process之前，我們先講下ESD的標準以及測試方法，根據 ... 還有個概念就是二次擊穿電流，就是進入Latch-up之後I^2*R熱量驟增導致矽 ...

#69. 設計服務簡介Service - 翊傑科技股份有限公司

正確的設計流程和方法; 可靠的制程技術準備就緒; 矽晶圓驗證的IP和組件庫 ... EE Solutions提供的晶片和封裝認證包含老化測試、ESD、Latch up與高加速溫濕測試。

#70. 詳解靜電放電保護(收藏) - 台部落

在講ESD的原理和Process之前，我們先講下ESD的標準以及測試方法，根據靜電 ... 而Hold電壓就是要維持Snap-back持續ON，但是又不能進入柵鎖(Latch-up) ...

#71. Latch-up测试中负电流的影响和防护 - 论文发表

在芯片级Latch-up测试中，除电源和地之外的输入输出管脚都需要通过一定程度的负电流 ... 班的平均颠球个数均有所提高，合作学习法和传统的教学方法都可以提高颠球的个 ...

#72. 2 DC电参数测试（1） - caishunzhe - 博客园

（2）Latch-up 闩锁效应，由于在信号，电源或地等管脚上施加了错误的电压，在CMOS器件内部引起了大电流，造成局部电流受损甚至烧毁，导致器件寿命缩短 ...

#73. 数据手册

3.3.6.2 静态Latch-up . ... 图3-1（右）中显示了器件引脚上输入电压的测量方法。 ... 这些测试符合EIA/JESD 78E IC Latch-up 标准。

#74. [讨论] 防止latch up的方法

防止latch up的方法,EETOP 电芯联盟论坛(原名：电子顶级开发网) ... 片上集成TVS器件保护总线接口芯片; • 一个ESD测试案例; • 这种电路结构容易发生latch-up 吗？

#75. 電子產品ESD認證測試及防制技術

EN 61000-4-2 模擬人體放電測試方法包括下列事項. ... 經常使臨近的電路受干擾而失常, 如Latch-Up, 或暫時性程序錯亂,及資料流失等, 嚴重時更會損傷硬體成為永久行硬體 ...

#76. 經典！一文講透靜電保護（ESD）原理和設計_電子發燒友網

在講ESD的原理和Process之前，我們先講下ESD的標準以及測試方法，根據靜電 ... 而Hold電壓就是要維持Snap-back持續ON，但是又不能進入柵鎖(Latch-up) ...

#77. 分类目录归档：专业|IC-Design

这里把CMOS 中的闩锁效应（latch-up）的来源和一些具体的避免latch-up 的方法的内容 ... 的仿真方法，首先可以从电容的定义（或者说特性）来确定测试方法，这也是ee240 ...

#78. 靜電槍模型與靜電放電模擬 - 網際星空

5.5 HFSS可以模擬CDM(Charge Device Mode)測試嗎? ... 是否可以拿到模型，或者有方法可以建近似模型。 ... 其IC ESD只看HBM沒看MM與CDM，且沒看IC Latch-up. 2.

#79. 测试原理总介 - Coggle

测试 原理总介(五、功能测试一(基本术语), 二、半导体测试基础(2.3 正确的测试方法, ... 4.1 基本术语hot switching热切换; Latch-up 闩锁效应; Binning 测试类型分类a.

#80. PW2【電子通信】CMOS集成電路閂鎖效應 - 蝦皮購物

... 集成電路設計與制造中存在的閂鎖效應（Latch-up）問題進行了詳細介紹與分析。在介紹了CMOS集成電路寄生效應的基礎上，先后對閂鎖效應的原理、觸發方式、測試方法、 ...

#81. 【经验分享】避免电路中的闩锁效应——3个超实用的方法

闩锁效应(Latch Up) 是在器件的电源引脚和地之间产生低阻抗路径的条件。这种情况将由触发事件（电流注入或过电压）引起，但一旦触发，即使触发条件不 ...

#82. 簡化PC 主機板測試時多重偏壓電壓的排序與變換 - Keysight

流鎖定（latch up）現象而造成損害。 ... 方法。 • N673xB 50W 和N674xB 100W，5V 到. 100V 的基礎電源模組，為專門供電給 ... 易解決在測試時，針對供電給PC 主機板.

#83. RTI - 自動曲線追蹤儀 - 光學及半導器材專家

“曲線追蹤(Curve tracing)” 是用於尋找IC 芯片中被電損壞的引腳的方法。 ... 其它測量及測試功能 • Latch-Up 測試 • 功能性預處理 • 任何的±15V 一& ±1A 直流測量 ...

#84. latch-up的意思- 英漢詞典 - 漢語網

英漢詞典提供【latch-up】的詳盡中文翻譯、用法、例句等. ... 系統可靠性設計中遇到的幾個關於閂鎖的問題進行了研究，針對閂鎖產生的原因進行分析，并提出解決方法。

#85. 集成电路闩锁效应测试integrate circuit latch - 双偶网

文章针对目前国际上通行的闩锁效应测试方法作一个简要的介绍和研究。 ... CMOSICwouldbeinthe bebumedouttlle on，the state，and triggered latch—up.

#86. MCU的测试方法。-文章-单片机-基础知识 - 畅学电子

8. 为了保证IC生产的长期且稳定品质，还会做产品的可靠性测试，这些测试包括ESD测试，LATCH UP测试，温度循环测试，高温贮存测试，湿度贮存测试等；. 成测则是产品封装好后 ...

#87. 关于Latch Up - martin的日志- 21ic电子技术开发论坛

判断是否latch up的方法：当芯片因为某种原因（可能是ESD，EFT测试，强干扰，或者人体静电等）芯片停止工作，可能伴有芯片发热现象，而且MCLR外部手动 ...

#88. 陳秉睿- 技術副理- HFC Semiconductor Corp. | LinkedIn

熟悉布局、流片流程，熟悉ESD相關機台操作與測試方法，熟悉故障分析等等相關流程。擁有解決無數客戶在ESD/latch-up相關問題的實務經驗。擁有獨立規劃和架設ESD實驗室 ...

#89. EIAJESD78A-2006闩锁测试方法-20090513 - 文档网

提供EIAJESD78A-2006闩锁测试方法-20090513word文档在线阅读与免费下载，摘要:EIA/JEDEC标准集成电路闩锁（Latch-up）测试（1997年3月JESD78的修订版）2006年2月电子 ...

#90. 積體電路產品可靠度驗證評估系統Reliability Evaluation System ...

強健度測試（Robustness Test），測試項目大致分為兩部分，一為靜電放電. （ElectroStatic Discharge，ESD），一為閂鎖測試（Latch - Up，LU）。 Page 49. 40. 靜電放電（ ...

#91. esd 測試設備

ESD測試使用EMC測試設備進行，Latch-up等靜電放電測試設備，可直接放入口袋 ... 短暫的能量突發，主要是模擬人體接觸到產品所產生的靜電8 h& Y，它的原理和測試方法！

#92. latch up原理讲解

latchup 原理讲解闩锁效应（latchup）闩锁效应（latchup）是CMOS必须注意的现象 ... 因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且 ...

#93. 閂鎖效應:簡介,原理分析,產生Latch up 的具體 ... - 中文百科全書

避免閂鎖的方法就是要減小襯底和N阱的寄生電阻，使寄生的三極體不會處於正偏狀態。 靜電是一種看不見的破壞力，會對電子元器件產生影響 ...

#94. latch_up分析_文档下载

为什么它这么重要？因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且与ESD（静电防护）紧密相关。 第一部分latch up ...

#95. Latch_latch up闩锁效应形成原因- 文房网

每周分享Analog IC学习资料/笔记。关注获取。。。。。 00 - 本文内容. CMOS 中的闩锁效应（latch-up）的来源; 具体的避免latch-up 的方法 ...

#96. 集成电路latch up简介

专业集成电路测试网-芯片测试技术-ic test ... 另外，这里也有一篇TI关于latch-up和ESD的技术文章，请下载参考：. Latch-Up, ESD, and Other Phenomena ...

#97. cmos latch up 原理 - Kklkkl

产生Latch up 的具体原因芯片一开始工作时VDD变化导致nwell和Psubstrate间寄生电容中产生足够的电流，当VDD ... CMOS積體電路Latch-up 測試、設計法則及防制設計技…