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mosfet歐姆區條件在 [問題] 將mos設計為開關的方法- 看板Electronics - 批踢踢實業坊的推薦與評價

作者linpogin213 (linpogin)

看板Electronics

標題[問題] 將mos設計為開關的方法

時間Mon Feb 8 11:05:03 2021

目前對於mos的應用有點搞不太清楚
該如何將mos設計為一開關使用
若將mos設為開關，需控制在歐姆區操作
Vgd>Vt, Vgs>Vt,此時Vds很小就能當作開關使用

有疑問的部分是我該怎麼設計一簡單電路為開關線路呢？需注意的部分有哪些

還有一個問題是飽和區的條件為Vgd<=Vt, Vg>=Vt,此時Vds很大

這部分是調整Rd去控制mos在飽和區或歐姆區嗎？還是有其他方式可以調整Vds的電壓

--

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 101.10.29.42 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1612753505.A.EC2.html

→ samm3320: 當開關不會操作在飽和區 02/08 11:29

→ samm3320: 飽和區的vds 也不用很大，超過vgs-vt 就行了 02/08 11:31

推 taipoo: google「MOS 開關電路」找圖片，就有一堆電路圖範例了 02/08 11:33

→ linpogin213: 嗯我知道開關是要用在歐姆區，但要怎麼確保mos工作 02/08 11:35

→ linpogin213: 在歐姆區呢？畢竟只差在Vgd>Vt這部分 02/08 11:35

→ samm3320: vg拉高你就很難在飽和區啦 02/08 11:39

→ samm3320: 你要把mos 當作可變電阻來思考 02/08 11:39

→ samm3320: vgs拉電阻變很小，你要保持很大的vds操作在飽和區代表你 02/08 11:40

→ samm3320: 要灌很大的電流給他 02/08 11:40

→ samm3320: 電流不夠他就會自然在歐姆區 02/08 11:41

→ samm3320: 當開關很多時候根本沒電流，只有電容負載，自然不會在 02/08 11:42

→ samm3320: 飽和區 02/08 11:42

→ linpogin213: 所以基本上Vgs>Vt都能操作在歐姆區，除非Rd太小或VDD 02/08 11:54

→ linpogin213: 太大，才有可能導致mos進飽和區嗎 02/08 11:54

→ linpogin213: Vgs調大，Id變大，Rds(on)變小，Rd不變的情況下Vds 02/08 11:56

→ linpogin213: 變小，就能操作在歐姆區 02/08 11:56

→ samm3320: vgs>vt你本來就可以設計Id來決定要把mos操作在飽和還歐 02/08 12:00

→ samm3320: 姆區 02/08 12:00

推 taipoo: 基本上，MOS電流是跟通道開啟的開口寬度有關，Vgs不大時， 02/08 12:04

→ taipoo: 通道一端開口隨Vgs愈大愈大，但Vgs大到一個程度時，通道開 02/08 12:04

→ taipoo: 口就達到極限寬度了，此時通道開口幾乎是最大的，而歐姆區 02/08 12:04

→ taipoo: 跟飽和區的差別，就在於通道開口是否有限或可微調了 02/08 12:04

→ linpogin213: 據我目前的理解，Rd不變的情況下，單調整Vgs的話，會 02/08 12:24

→ linpogin213: 影響Id的大小，進而影響Vds，但在Vgs不變的情況下， 02/08 12:24

→ linpogin213: 若要決定歐姆區或飽和區的話，應是調整Rd來決定Vds， 02/08 12:24

→ linpogin213: 此時便能控制Vds大小進而控制mos在歐姆區或飽和區， 02/08 12:24

→ linpogin213: 我這理解是對的嗎 02/08 12:24

推 mmonkeyboyy: 你要什麼開關? 0/1 analog? 02/08 12:26

→ linpogin213: 單純就是Vgs拉H，Vd拉L的開關而已，只是L要拉的確實 02/08 12:29

→ linpogin213: ，若不小心在飽和區的話，L就非0V了吧 02/08 12:29

→ samm3320: 邏輯開關根本沒電流，怎麼跑到飽和區 02/08 12:36

→ linpogin213: Vgs拉H，mos導通，不就會有Id電流嗎 02/08 13:46

→ linpogin213:

02/08 13:47

→ linpogin213: 單純這種電路 02/08 13:48

→ samm3320: 欸因為現在大多都用cmos邏輯了，你要用nmos 邏輯的話那 02/08 14:42

→ samm3320: 就是Rd要放夠大 02/08 14:42

推 andyping: 數位用transmission gate就ok啦 nmos 就是會加負載之類 02/08 16:01

→ andyping: 的 02/08 16:01

推 mmonkeyboyy: 樓上正解所以我才問到底要什麼開關 02/09 00:20

→ mmonkeyboyy: on/off的拿到TG就解了別串太多就好 02/09 00:22

推 oldhan1: 買零件插板一測就明白了 04/15 23:35

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在VGS＞VGS（th）的条件下，如果在漏极D和源极S之间加上正电压VDS，导电沟道就会有电流流通。漏极电流由漏区 ... 定义IDM的目的在于：线的欧姆区。

#72. SiC MOSFET 功率器件的应用可靠性评价技术体系报告

工业应用相对广泛，使用寿命更长（5-30 年），工作环境条件恶劣，基准质量测试多 ... SiC MOSFET 短路电流上升速度快是因为其输出特性曲线的三角区(欧姆区)与饱和区 ...

#73. mosfet id公式2023-精選在Youtube/網路影片/Dcard上的焦點 ...

圖4 P通道FET衰減器電路。對於歐姆、三極管或線性區的N通道JFET，公式(1)至(5)僅在Vp ≦ Vgs ≦ 0V時有效。

#74. MOS管参数，一一解惑 - 科技- 新浪

定义IDM的目的在于：线的欧姆区。 ... VGS(th)是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关断MOSFET时电流消失时的电压，测试的条件（漏极电流，漏源 ...

#75. AN-9010 — MOSFET 基础

显示寄生BJT和二极管的MOSFET垂直结构. 3.4. 输出特性. ID特性与许多VGS条件下的VDS有关（参见图 6）。 →其分为欧姆区、饱和（=活跃）区和截止区。

#76. JFET 之基本構造

FET Biasing - . introduction. for the jfet, the relationship ... JFET操作於歐姆區將JFET操作於歐姆區，並控制逆向偏壓來改變電阻的大小，則JFET ...

#77. MOSFET应用参数理论详解 - 维科号

归算到环境温度的热阻是布板，散热片和散热面积的函数，如果散热条件良好，可以极大提升MOSFET的功耗水平。 2. 漏极（沟道）电流.

#78. 技术参数详解，MOS管知识最全收录！ - 电子工程世界

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#79. 一般警察人員考試及106 年特種考試交通事業鐵路人員 - 公職王

下圖是一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想 ... 3.75 毫歐姆 ... 試問電晶體Q 的截止條件為何?

#80. 場效電晶體（MOSFET）檢測方法與經驗 - ITW01

將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。由於測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些 ...

#81. 寄生二極管、導通條件、開關電路、串聯電阻、米勒效應 - 台部落

MOSFET 有增強型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩大類，增強型和耗盡型每一類下面都有NMOS和PMOS。一般主板上使用最多的是增強型的MOS管，NMOS最多，一般用在 ...

#82. MOSFET - 氧化層-半導體-場效電晶體 - 百科知識中文網

它用一塊P型矽半導體材料作襯底，在其面上擴散了兩個N型區，再在上面覆蓋一層二氧化矽(SiO2）絕緣層，最後在N區上方用腐蝕的方法做成兩個孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上 ...

#83. 寄生二極體、導通條件、開關電路、串聯電阻、米勒效應

場效應管分爲結型（JFET）和金屬-氧化物-半導體型（MOSFET）兩種類型，MOSFET應用廣泛，結型管（JFET）幾乎不用，MOSFET一般稱MOS管。 MOSFET有增強型（ ...

#84. 半導體第六章 - SlideShare

15 mosfet threshold voltageLakshman Yandapalli5.3K views•25 slides ... 範圍內的通道電導）因只考慮漂移電流，故以歐姆定律來求電流電壓關係。

#85. MOS 飽和區條件

N-JFET 的三極體區之條件為. 歐姆區與飽和區的交界電壓VDSS 必需符合VGDVGS-VDSS. Vth即VDSS VGS-VthVDSS 隨VGS 變大如圖6 中之虛線和JFET 類似MOSFET 是利用閘極偏壓 ...

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然后，内部MOSFET在欧姆区中工作。这是一种线性稳压器功能。在这些可调节的限制模式中，内部MOSFET始终位于SOA内，不会受损。

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如果电流达到限值，则切断电流并等待一段时间后恢复，或者电流持续中断，直到下一次导通，又或者通过降低电压来限制电流。然后，内部MOSFET在欧姆区中工作 ...

#88. 第一章類比設計導論

MOS 符號. 三種常用表示NMOS和PMOS電晶體的電路符號。 ... 考慮邊界條件V(0)=0，V(L)=V ... 飽和MOSFET做為連接汲極和源極之電流源，將電流送至接. 地端或由V.

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控制环路测量有助于表征电源怎样对输出负载条件变化作出响应。 ... 这通常通过控制电源和负载之间元器件(一般是MOSFET)的快速开关来实现。

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( VGS 為閘極至源極之電壓) (A)空乏型 N 通道 MOSFET 其 VGS 可接負電壓或正 ... 則該 FET 工作於飽和區(C)若V GS =3V,V DS =8V,則該 FET 工作於歐姆區(D)若V GS =5V,V ...

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描述欧姆区和饱和区之间边界的夹断轨迹,可以通过将 Ves - VistVe 代入式( 8.15 ) ... 20V V 10V 0 图 8.15 N 沟道耗尽型 MOSFET 转移特性测试电路转移特性的测试条件是, ...

#93. 108年電子工程專業科目歷年試題澈底解說: [初考/五等]

17 DMOS 的基本特性一、DMOS 的特性 N通道- Depletion MOSFET P通道- Depletion MOSFET 物理結構導通載子截止區偏壓條件三極區(歐姆區)偏壓條件主動區(飽和區)偏壓條件 ...

#94. 现代电力电子器件及其应用 - 第 46 頁 - Google 圖書結果

JFET 以两个 N *区上的欧姆接触作为 UG +++++ + + + ++ +++ ++ N + P 衬底 a ) N ... 尽管增强型 MOSFET 在常态下不具备这个条件,但是利用绝缘介质的静电感应作用可在 ...

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雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)依結構區分，有npn型及pnp型兩種， ... npn電晶體工作在飽和區時，則基射極和基集極之電壓為順向偏壓或反向偏壓？

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