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mosfet電流公式 在 コバにゃんチャンネル Youtube 的最佳解答

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2021-10-01 13:19:08 有 9 人看過 有 1 人喜歡
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mosfet電流公式 在 大象中醫 Youtube 的最佳貼文

大象中醫 By 大象中醫

2021-10-01 13:10:45 有 0 人看過 有 0 人喜歡
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大象中醫

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長照是一個劇變的旋轉舞台 百年難得一見 沒有準備的人 被旋轉舞台甩出去 不是坐下就是躺下 而大象中醫是太極的推手 推動著旋轉舞台 讓 所有爬不起來的人 背後有一股推手力量 支撐再站起來
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mosfet電流公式 在 大象中醫 Youtube 的最佳貼文

大象中醫 By 大象中醫

2021-10-01 13:09:56 有 0 人看過 有 0 人喜歡
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大象中醫

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mosfet電流公式 在 [理工] 電子學歐姆區電流問題- 看板Grad-ProbAsk - 批踢踢實業坊 的推薦與評價


作者hanson5133 (HS)
看板Grad-ProbAsk
標題[理工] 電子學歐姆區電流問題
時間Tue Mar 15 09:26:35 2011

我想問一下關於歐姆區之電流公式

不是Id=K[2(Vgs-Vt)Vds-Vds^2]嗎

這個Id=K[2(Vgs-Vt)Vds-Vds^2](1+Vds/Va)

請問也是對的嗎?

因為歐姆區不是沒有body effect

所以是不是下面那個公式Va=無限大?

--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 59.104.148.44
→ stevegood:不對 感覺你對於MOS的結構並不十分了解 03/15 09:39
→ stevegood:建議你回頭翻翻原文書 重新建構觀念比較好 03/15 09:40
→ stevegood:相信你了解MOS的操作之後就能解決你的問題:) 03/15 09:41
推 mekevin:Va 應該是 爾利效應 同樓上建議你再翻一次書:) 03/15 13:31
推 gn01216674:應該是<通道長度調變效應>吧@_@ 03/15 14:17
推 WinAVI:Va是給飽和區用的 歐姆區就是電阻區 它的斜率比飽和區 03/15 14:33
→ WinAVI:大很多 這時候算電阻要用另外一個公式 而不是飽和的ro 03/15 14:34
→ WinAVI:另外body effect好像是substrate端偏壓所造成的效應 03/15 14:37
→ WinAVI:你現在說的這個應該是early effect才對 03/15 14:38
→ bulcas:運作在歐姆區，沒有Va的問題吧。Va只有在飽和區有影響 03/15 16:49
→ bulcas:建議你回去翻翻看MOS的運作原理，很快就會了解 03/15 16:50
→ hanson5133:感謝大家 03/16 09:03
→ sneak: 應該是<通道長度調變效 https://daxiv.com 09/11 14:21






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公式 中IDIP是放電過流保護時回路中的最大電流值，VDIP是放電過流保護電壓，RON是M1和M2兩個MOSFET的導通內阻之和。 以HY2110-AB為例，VDIP是150mV（typ.

#84. 7.MOSFETs in ICs—Scaling,Leakage,and Other Topics

一个重要的主题是MOSFET 的关闭电流或者泄流电流。 ... 也介绍了器件仿真和电路仿真用的MOSFET 集成模型。 ... 于理论公式，即使小尺寸晶体管的L 不能被精确测量。

#85. 單元七J-FET、MOSFET的特性與基本公式 - 開南商工首頁

FET 的分類(1)JFET(2)MOSFET. 2.FET與BJT的特性. (1)FET電壓控制元件 (2)BJT電流控制元件. (3)BJT基極電流控制射極、集極電流 (4)FET閘極電壓控制洩極電流.

#86. mosfet gm 公式

在公式1.3中，如果漏端電流Id是恒定的，那么減小過驅動電壓Vgs-Vth，就意味著晶體管尺寸W/L必須增加。公式1.4的情況類似。 MOSFET應用參數理論詳解– OFweek, mp.ofweek.com.

#87. SiC MOSFET 門極驅動電壓應用指南

除了靜態門極偏壓引起的漂移以外，SiC MOSFET 的閾值電壓也會因器件的開關 ... 工作壽命之內系統工作的百分比，歸一化的工作頻率可以透過以下公式計算.

#88. mos 飽和區

上述的公式也是理想狀況下，MOSFET在飽和區操作的電流與電壓關係式。 事實上在飽和區的MOSFET汲極電流會因為通道長度調變效應（channel length modulation effect） 而改變 ...

#89. MOS 額定電流問題- Analog/RFIC討論區 - Chip123 科技應用 ...

各位線上前輩：請問MOS 額定電流是否與MOS面積有關？ ... 的內部熱電阻Rth、接面的額定溫度(Tjm)與外殼溫度(Tc)帶入下方公式算出消耗功率

#90. mos管电容特性_mos电容计算公式 - 分享技术与设计

mos 管电容特性_mos电容计算公式MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体 ... Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率，在这种 ...

#91. FET輸入放大器中的電流雜訊| 设计资源 - Analog Devices

FET 輸入型放大器的典型偏置電流約為1 pA，相當於會產生0.57 fA/√Hz典型雜訊. 如果公式. Equation 2. 正確的話。10 GΩ源極阻抗熱雜訊為. Equation 3.

#92. 邏輯閘層次電源分析（Gate-Level Power Analysis）

電流 及負載電容充放電（Charge/Discharge）. 所造成的功率消耗，屬於Switching Current ... 其功耗值可由下列公式 ... W、L 為MOS 的閘極寬度與長度.

#93. 如何抑制湧浪電流?

透過公式8可以求得R1與R2的值，再透過公式1與3可以得出C1與啟動時間。從中可以發現，在相同的R2之下，C1越大，MOSFET操作在歐姆區的時間越長，代表抑制湧 ...

#94. Mos管驱动电流计算方法？ - 电子设计论坛

查了些资料，大致分为两种，一种是与mos管的Ciss有关，根据公式I=Ciss*u/t.u为给VGS充电的电压，t为所需要的导通速度。另一种是与mos的栅极充电总 ...

#95. 功率MOSFET的開關損耗計算方式是什麼？開關損耗的主要引數 ...

t3也可以用下面公式計算：. 圖1: MOSFET開關過程中柵極電荷特性. 注意到了米勒平臺後，漏極電流達到系統最大電流ID，就保持在電路決定的恆定最大 ...

#96. 線性穩壓器(LDO) 選擇標準

LDO控制器也因為採用外部MOSFET來提供電流，LDO控制器通常可以有更大的電流輸出能力。 ... 乘上流過它的電流所決定的，其計算公式為PD = (VIN - VOUT)* ILOAD。