請各位大大糾正--推HiJimmy: GS偏壓不足?06/28 23:03推a1654812398: 你在哪裡看到的？06/29 01:17推mos888tw: 怎麼可能是飽和區開關就是線性歐姆特性06/29 09:08一開始 ... ... <看更多>
Search
Search
請各位大大糾正--推HiJimmy: GS偏壓不足?06/28 23:03推a1654812398: 你在哪裡看到的？06/29 01:17推mos888tw: 怎麼可能是飽和區開關就是線性歐姆特性06/29 09:08一開始 ... ... <看更多>
#1. 第8章場效電晶體
BJT與FET的模擬控制機構如圖8-1所示，其中BJT是「電流控制元 ... 當操作在飽和區時，JFET可做線性放大器使用； ... 時特性曲線之斜率固定，呈現線性電阻特性。
在VGS＞Vth的條件下，當VDS=VGS-Vth時，MOS剛好達到飽和狀態的條件，若VDS＞VGS-Vth，MOS就進入飽和區工作。如果VDS＜VGS-Vth，那麼MOS便在線性區工作。
金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與 ...
#4. 第3 章MOSFET 講義與作業
n 通道MOSFET 之參數為VTN=0.75V，W=40μm，L=4μm， μn=650cm2/V-s，εox = (3.9)(8.85×10-14)F/cm。求當電晶體在飽和區，. VGS = 2VTN 之iD 電流。 解：. 算出導電參數.
圖5.18: n- 通道MOSFET 在飽和區下包含輸出電. 阻 的大信號與等效電路模型。輸出電阻模擬. 與 的線性關係，即(5.27) 式。
#6. CH08 場效電晶體
在飽和區時，電流ID的值受到電壓VGS影響很大，符合電壓控制的特性。 △圖8-8 JFET的ID - VDS特性曲線. (a) N通道 ... 圖8-13 N通道空乏型MOSFET工作於飽和區（續）.
#7. MOSFET 的线性区和饱和区的分界点为什么是Vds=Vgs-开启 ...
Vdsat=Vgs-Vth 是一个基于沟道夹断的近似模型，实际上并不是很准确，尤其是在短沟道器件、FINFET器件误差会较大。实际的Vdsat会比这个值更小。
#8. MOS管的三个工作区域状态分析
mos 管三个工作区为完全导通区、截止区、线性区. MOSFET工作区域的判定 ... 当Vgs > Vth 且Vds > Vgs - Vth 时，饱和区(恒流区)。 其中Vth 是MOS管的 ...
#9. 第六章MOSFET的电气特性
MOSFET 的电气特性. 1. MOS结构. 2. I/V特性：线型区、饱和区. 3. 电阻、电容、简单RC模型 ... --Ch.6 MOSFET的电气特性# 14 / 31. 沟道长度调制效应. 线性区. 线性区 ...
#10. 線性功率,MOSFET,電子負載,Littelfuse - CTIMES
A類音訊放大器、主動式DC-link放電、電池充放電、浪湧電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線性模式應用，都要求功率MOSFET元件在電流飽和區內運行 ...
#11. mos管的线性区指的是哪个区？-综合电源技术
一种是Vgs固定：调Vds时，Vds与Ids成线性关系，呈电阻特性。 Vgs控制Rds变化，即电阻可变区 2）开关电源是工作在可变电阻区，不是饱和区。 开关 ...
#12. 功率MOSFET線性區、完全導通區的電場和電流分布 - 每日頭條
MOSFET 的漏極導通特性如圖1所示，其工作特性有三個工作區：截止區、線性區和完全導通區。其中，線性區也稱恆流區、飽和區、放大區；完全導通區也稱可 ...
#13. Chapter 5 The Field-Effect Transistor - 正修科技大學
DC分析、應用(切換開關、數位邏輯、線性放大器). 可取代電阻，所以可設計電路僅含MOSFET. ;JFET(接面). 若是pn接面則為pn JFET ... 飽和區：理想MOSFET有固定之D極電流.
#14. 電晶體的三個工作區| ElectronicsLab - 東海大學
1）飽和區（saturation region）. Latex formula ... 電晶體被拿來作為放大器使用時，即在主動區工作。 ... 電晶體工作於線性放大區， Latex formula ...
#15. 介面修飾對有機薄膜電晶體元件特性之影響Effect of Surface ...
圖1.1 MOSFET 的元件結構圗(a)p 型半導體基板、(b)n 型半導體基板 ... 得電晶體在飽和區中的場效載子遷移率µ值，將此線延伸對VGS軸交的截距即為.
#16. 簡稱FET)和雙極電晶體一樣都有三隻接腳
讀者可以和BJT 的操作原理比較，JFET 的夾. 止區和BJT 的基極與集極間的空乏區特性很類似。 圖7是對於不同VGS 的ID 對VDS 圖。線性區與飽和區的分界電壓VDSS(=VGS-Vp).
#17. MOS管、BJT 饱和区不同_努力很美的博客
MOS ：从左到右 依次为可变电阻（非饱和区、完全导通区）、饱和（横流区、放大区、有源区、线性区）、截至 开关状态下是工作在截至和可变电阻区.
#18. MOSFET开关：电源变换器基础知识及应用| 技术文章 - MPS
换句话说，它必须仅工作于截止区或线性区，并尽可能避免进入饱和区。 功率MOSFET中的寄生元件. 对任何电子设备而言，了解它所包含的寄生元件都非常重要，寄生 ...
#19. 解決電熱不穩定線性MOSFET提升工作功率 - 新電子
A類音訊放大器、主動式DC-link放電、電池充放電、浪湧電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線性模式應用，都要求功率MOSFET元件在電流飽和區內 ...
#20. 具有佈植通道的短通道MOSFET電流-電壓模式
本論人提出一新的以製程為導向的MOS 電晶體電流－電壓模式，並建立一套新的模式 ... 具有佈植通道的短通道MOS 電晶體，其內容包括元件工作在次臨界區，線性區及飽和區 ...
#21. 國立臺灣師範大學機電科技學系碩士論文指導教授：劉傳璽博士 ...
(VG < VT) ，代表此時的電壓值不足以使元件產生反轉層，因此MOSFET 被. 操作於截止區中； ... 比較線性區與飽和區求得之臨界電壓值；在長通道結構時獲得的VT,lin.
#22. BJT基本觀念
雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)依結構區分，有npn型及pnp型兩種， ... npn電晶體工作在飽和區時，則基射極和基集極之電壓為順向偏壓或反向偏壓？
#23. MOS 的Surface potential 之探討 - 逢甲大學
(a)和(b)的偏壓並不會使. 反轉層消失，通道和電阻類似，ID 隨VDS 增加，稱為歐姆區或線性. 區；在VDS 比(c)點大的區域，ID 幾乎不隨VDS 改變，稱為飽和區. 或恆流區。歐姆 ...
#24. 所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性
這張表個是從N-ch 600V 4A的功率MOSFET：R6004KNX的技術規格中所摘錄出來的。 Si_2-4_spec. 藍線框起來的是VGS(th)，條件欄中的是VDS= ...
#25. 模拟CMOS 集成电路设计
MOS 管工作时，其漏极电流受过驱动电压控制，定义. 跨导为电压转换电流的能力：. 当MOS 管工作在饱和区时，其跨导为. ＝ 1/Ron. 深线性区等. 效电阻. 当MOS 管进.
#26. 半導體第六章 - SlideShare
線性區 加V DS 使得E Fn 與E Fp 分開，半導體表面附近的能帶圖彎曲更大，故空乏區寬度越 ... </li></ul><ul><li>在飽和區： </li></ul>此為閘極控制電流的能力由MOSFET ...
#27. 第1 章電學概論
稱為夾止區， 飽和區，. 定電流區，可用於線性放大。 稱為崩潰區。 20. VDS－ID轉換曲線. (1) 為P 通道JFET，. 為N 通道JFET。 (2) 為P 通道空乏型MOSFET，.
#28. 明新科技大學校內專題研究計畫成果報告- 接觸蝕刻截止層厚度 ...
本研究將針對奈米製程接觸窗蝕刻停止層(CESL)壓縮應變於(110)MOS 元件 ... 當短通道MOSFET 的汲極電壓由線性區增加到飽和區時，臨界電壓下滑更.
#29. mos管三个工作区-完全导通区、截止区、线性区等详细分析
在了解MOS管三个工作区之前，先了解一下MOS管三个工作区分别是什么？下面讲述MOS管场效应管的四个区域：（1）可变电阻区（也称非饱和区）， ...
#30. 第二章MOS器件物理基础 - Quizlet
MOSFET 处于线性区的条件？ [大信号分析]. 栅压大于阈值电压，且未进入饱和. VGS >VTH，VDS ...
#31. 第八章電流鏡與積體式放大器
(3) 善用電晶體的非線性特性效果，在動態方面來取代線性大電阻負 ... (c) MOS 在飽和區時，因通道在D 極處夾止，使得G-D 極之間寄生. 電容只剩下重疊電容.
#32. 59.若做為線性放大器時，場效應電晶體應工作於何種區域？ (A ...
view1234k 高一上(2019/11/16). 當開關: BJT : 截止區和飽和區. MOS :截止區和歐姆區(線性區&三極區). 當放大器: BJT : 線性區. MOSFET: 飽和區.
#33. 第五章： MOS器件 - 中国科学技术大学
§5.6 MOSFET的温度特性. §5.7 MOSFET的开关特性 ... （6）沟道与衬底间的反向饱和电流很小，可以忽略不计。 ... 线性区和饱和区的跨导都与器件的沟道长度L和栅.
#34. 技術支持- Part 4
是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？ ... MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱和区)，与三极管相似，电流Ids由Vgs和Vds ...
#35. 國立中山大學物理研究所碩士論文
Keyword：POWER-MOSFET, Breakdown Voltage, Reliability ... 表4-3：Bending 後之線性區與飽和區之變化··················· 49.
#36. CH-4 場效電晶體
(A)MOSFET為一種電流控制元件 (B)MOSFET為單極性( unipolar )電晶體 (C)一般BJT 的基極輸入 ... 某N通道JFET，，當時，欲使該JFET工作於飽和區，所需的值範圍為何？
#37. 選擇題共0 分1. ( B ) 欲使FET 放大器的輸出與輸入信號呈比例放大
為一電壓控制電壓源(B)P 通道增強型MOSFET 操作於飽和區時之交流小信號模型為一電流控制電流源(C)應用於線性放. 大器設計時，靜態工作點必在直流負載線上(D)應用於線性 ...
#38. 金氧半電晶體（MOSFET）
線性區. 加VDS使得EFn與EFp分開，半導體表面附近的能帶圖彎曲更大，故空乏區寬度越大。 小的汲極電壓使得能帶圖變成好似斜坡，電子很容易由S到D，產生電流。 飽和 ...
#39. Lab 1：HSPICE 介紹目的： - 輔仁大學學術資源網
工作點是設定在偏壓點附近，也就是將電路視為線性電路(Linear Circuit)，電. 路中所有非線性元件透過偏壓點 ... 請說明MOS 的操作特性，線性區、飽和區各有什麼作用？
#40. 详解集成电路中MOS管的基本原理和工作特性 - 萨科微半导体
当VG大于VTH，且VDS≥VGS-VTH，此时管子处于饱和区，电流为： 图片 3.当VG大于VTH，且VDS＜VGS-VTH，此时为三极管区（也有叫线性区的），此时电流为 ...
#41. 第三章场效应管
线性 电子电路教案. 二、伏安特性. 输出特性曲线. 转移特性曲线. 图3-3 漏极输出特性曲线和转移特性曲线. 1．非饱和区. 非饱和区（Nonsaturation Region）是沟道未被预 ...
#42. OptiMOS™线性FET - Infineon Technologies
将低RDS(on)与宽安全工作区(SOA)相结合. OptiMOS™线性FET是一种变革性方法，利用增强型MOSFET在饱和区域中的工作可避. 免对导通电阻(RDS(on))和线性模式功能进行取舍。
#43. 第一章類比設計導論
MOS 符號. 三種常用表示NMOS和PMOS電晶體的電路符號。 ... 作於三極管區或線性區。 ... 飽和MOSFET做為連接汲極和源極之電流源，將電流送至接. 地端或由V.
#44. 功率MOSFET线性区、完全导通区的电场和电流分布 - 搜狐
MOSFET 的漏极导通特性如图1所示，其工作特性有三个工作区：截止区、线性区和完全导通区。其中，线性区也称恒流区、饱和区、放大区；完全导通区也称可 ...
#45. Analog Applications Journal - Texas Instruments
圖1顯示了采用p通道MOSFET (pFET)作為導通元件的線性穩壓 ... 這樣通過FET的電流就能确保輸出電壓相對于內部參考電壓得到 ... 線性區，導致反饋環路損失增益。
#46. 「科普」爲什麼MOS管飽和區溝道夾斷了還有電流? - 人人焦點
這是源漏電流IDS是隨其電壓VDS增大而線性增大的「線性區」。 ... 這時候MOS管進入「飽和區」，電流很難繼續隨電壓增大。
#47. MOS電晶體- 氧化物-半導體(Metal-Oxide - 中文百科知識
MOS 電晶體，金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的電晶體簡稱MOS ... 雙極性電晶體的輸出特性曲線形狀與MOS器件的輸出特性曲線相似，但線性區與飽和區 ...
#48. 金属氧化物半导体场效电晶体_百度百科
当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟着改变。 ... 事实上在饱和区的金氧半场效晶体管漏极电流会因为沟道长度调制效应而改变，并非与VDS全然无关 ...
#49. 電子學考前筆記整理- HackMD
因此，我們得要先判定該電路是否在夾止(飽和)區、或者在截止區。 ### FET固定偏壓電路 #### 直流分析先 ...
#50. 飽和區的英文單字 - 漢語網
而mosfet的靜態線性區和飽和區的特性也用於表示陽極電壓。 the linear and saturate portion of mosfet static state behavior is also included. 通過分析mos管在飽和 ...
#51. 103 年公務人員初等考試試題 - 公職王
某FET 工作在飽和區(Saturation Region)，其. 關係如圖所示， 是流入汲極之電 ... 線性區. 崩潰區. 飽和區. 一個1MHz 的石英晶體具有L=1H,.
#52. 在ON状态下MOSFET与三极管有何不同之处？ - 电子创新元件网
MOS 管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱和区)，与三极管相似，电流Ids由Vgs和Vds决定，但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变，因而Ids可仅受Vds ...
#53. 國立高雄第一科技大學106學年度碩士班招生考試試題紙- 系所別
(A)截止區(B)線性區(C)崩潰區(D)飽和區. 4. BJT 單級放大器架構中, ... MOSFET一般可應用於類比及數位兩種電路,當應用於小訊號放大,此時電晶體應工作於. 下列何區域?(
#54. 3。 結型場效應晶體管（JFET） - TINA和TINACloud
與結型場效應晶體管（JFET）相比，MOSFET具有許多優點。 ... FET放大器配置和偏置 ... 夾斷電壓和雪崩擊穿之間的區域稱為有源區，放大器工作區，飽和區， 或者夾斷區域 ...
#55. Si mosfet和SiC mosfet的导通电阻特性浅析
对于Si mosfet，其线性区和饱和区是非常分明的，当VGS电压大于VTH时，逐步由线性区移到饱和区，此时RDS是一个较小的电阻，在过渡阶段ID电流和VGS电压 ...
#56. MOS 晶体管(MOSFET) 的直流特性
首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。
#57. 教育部高職電子學科資訊科技融入教學教材
FET 工作於飽和區時. VI特性曲線關係. 互動式動畫. 當 FET 工作於飽和區時， ID 只隨 VGS 改變，特性與理想的電壓控制電流元件類似，差別在ID與VGS呈平方而非簡單的線性 ...
#58. 工作于线性区的功率MOSFET的设计（1） - 手机21IC电子网
笔记本电脑主板19V输入端，有二个背靠背的功率MOSFET，一个用于负载开关作软起动，限制浪涌 ... 注意到：MOSFET的线性区有时也称为：恒流区或饱和区。
#59. 如何在電壓控制電路中使用FET - 電子技術設計 - EDN Taiwan
本文還將探討減少非線性或失真並自動偏置FET的方法。 ... 飽和區包括曲線的水準部分，這時FET用作電壓控制電流源；另一個區域包括傾斜的「彎曲 ...
#60. 简述NMOS和PMOS晶体管的区别差异 - IC先生
MOSFET 有两种形式，即NMOS和PMOS晶体管，它们已成为几乎所有应用中 ... 分为三个工作区域（Cut-Off/截止区、Linear/线性区、Saturation/饱和区）。
#61. 實驗二NMOS 與PMOS 之直流特性
這個實驗所用到的MOSFET編號是CD4007UB，屬於CD4000系列。 ... 在理想情況下，在飽和區內對一固定VDS，做對VGS圖（IDSAT是在飽和區中IDS的值）。
#62. 桃園大眾捷運公司106年度新進人員甄試試題
4 雙極接面電晶體(BJT)當操作在截止區和飽和區時，電晶體就像執行何種功能？ ... 3 金屬氧化物半導體電晶體(MOSFET) 不同於接面場效電晶體( JFET)的主要原因為： (1) ...
#63. 功率MOSFET - Wikiwand
功率MOSFET是專門處理大功率的電壓和電流的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），也是功率 ... 好處是在飽和區（對應電晶體的線性區）特性比VDMOS好。
#64. CN104899350B - SiC MOSFET仿真模型的建模方法
根据Datasheet提供的SiC MOSFET的输出特性曲线，如图1所示，SiC MOSFET的输出特性曲线由线性区向饱和区逐步过渡，曲线有着明显的弧度，而Si MOSFET的输出特性曲线如图2所示 ...
#65. [問題] mos當作開關的操作區域- 看板Electronics - 批踢踢實業坊
小弟有個想不透就是如果mos作為開關導通s和d的電壓應該要很接近（可能有Rdson的 ... 推mos888tw: 怎麼可能是飽和區開關就是線性歐姆特性06/29 09:08.
#66. 新式負載技術加速穩定性測試 - 電子工程專輯
本文介紹一種經濟型替代方案，即利用MOSFET的線性區和飽和區與負載電阻配對來提供脈衝電流。 當一連串的環境和電路設計變數影響輸出時，就很難確定具有負 ...
#67. 大神告诉你真相：电路都是算出来的！ - 腾讯云
从输入-输出特性所表现的特性曲线可以看出，MOSFET在饱和区的不同点所对应的电路增益不同，这取决于器件的非线性特性，但是在足够小的范围内可以将非 ...
#68. 一文知道IGBT和MOSFET的工作区命名 - 电子发烧友
当栅极电压Vgs＜Vgs（th）时，MOSFET沟道被夹断，漏极电流Id=0，管子不工作。 ②恒流区（也称饱和区、有源区、线性放大区）.
#69. 國立成功大學機構典藏:Item 987654321/29735
Keywords: high-voltage MOSFETs hot carrier ... 電性模擬顯示在飽和區與線性區偏壓條件下的電流路徑對累積區長度與電流改變量有重大的影響。
#70. 用15个为什么？详解MOS器件的重要特性 - 与非网
三、为什么短沟道E-MOSFET 的饱和源- 漏电流并不完全饱和？ ... 六、为什么MOSFET 的饱和区跨导大于线性区的跨导？ 【答】饱和区与线性区都是出现了沟 ...
#71. MOS管输出特性曲线，你看明白了吗？ - 电子工程专辑
恒流区在输出特性曲线中间的位置，电流Id基本不随Uds变化，Id的大小主要决定于电压Ugs，所以叫做恒流区，也叫饱和区。当MOS用来做放大电路时，就是 ...
#72. 半导体概念科普——MOSFET是什么：工作原理及其应用 - 技术邻
MOS 中有不同的类型，如以电子（负：negative）为载流子的“nMOS”， ... 是漏极和源极之间的电压降，模拟电路中控制晶体管工作在饱和区或者线性电阻区。
#73. 功率MOSFET线性区工作设计-电源管理 - 电子元件技术网
... 有三个工作状态，在漏极导通特性曲线上，对应的是三个工作区：截止区，线性区和可变电阻区。注意到：MOSFET的线性区有时也称为：恒流区或饱和区。
#74. 谈MOS管的米勒效应 - 大大通
... MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升， ...
#75. MOS管為什麼會有飽和區特性的一個解釋 - 壹讀
在這點動態電阻開始變為無窮大，電流不再變化，MOS管從線性區進入飽和區。 如果我們假定當VDS=VGS-VTH時，載流子濃度突變為0，那麼這就意味者夾斷 ...
#76. 109 學年度四技二專統一入學測驗電機與電子群專業(一) 試題
2. 如圖(一)所示之MOSFET 電路，MOSFET 之臨界電壓(threshold voltage)VT＝1.8V，. 參數K＝1.2mA/V2，已選擇適當之RD 使電路操作於飽和區且ID＝10.8mA，則RG1.
#77. mos管饱和区电流公式及MOS的其他三个区域解析 - 壹芯微二极管
当uGs一定时，ip与uDs成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。 2）恒流区（也称 ...
#78. 為什麼三極體（BJT）的飽和區和場效應管（MOSFET ... - GetIt01
不同的意思是：三極體把能夠線性變化的部分稱為飽和；而場效應管把能放大的部分稱為飽和。所以「飽和」本質的含義是什麼，是指誰飽和了？BJT：MOSFET：對BJT...
#79. 電晶體的三種工作模式- 藝能饗宴 - Google Sites
此時IC = βIB，電晶體工作於線性放大區，IC受控於IB，BJT可當成一訊號放大器。 三、飽和模式（Saturation）：VBE 及VBC均為順偏。
#80. 为什么MOSFET的饱和区跨导大于线性区的跨导？ - 丽晶微IC芯片
电路中经常用到MOSFET，作为一种常用的半导体器件，需要了解它的一些特性。MOSFET的饱和区与线性区都是出现了沟道的状态，但是它们的根本差别就在于沟 ...
#81. 功率MOSFET线性区、完全导通区的电场和电流分布 - 电源网
MOSFET 的漏极导通特性如图1所示,其工作特性有三个工作区:截止区/线性区和完全导通区.其中,线性区也称恒流区/饱和区/放大区;完全导通区也称可变电阻 ...
#82. Rdson测试的问题及分析。 - 看我哒www.kanwoda.com
MOS 作为开关在模拟电路中常用于多路器选择，调制等，在数字电路中常用作传输门。在作为开关时，MOS一般工作在非饱和区（线性区）， 而在作为源时（电流或 ...
#83. [問題] mos當作開關的操作區域 - PTT 熱門文章Hito
請各位大大糾正--推HiJimmy: GS偏壓不足?06/28 23:03推a1654812398: 你在哪裡看到的？06/29 01:17推mos888tw: 怎麼可能是飽和區開關就是線性歐姆特性06/29 09:08一開始 ...
#84. 理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性 - 电子工程世界
三极管有三个工作区：截止区、放大区和饱和区，而MOSFET对应的是关断区、饱和区和线性区。MOSFET的饱和区对应着三极管的放大区，而MOSFET的线性区对应 ...
#85. AN-4161 沟道MOSFET 在线性工作模式下实现稳定性的实际 ...
安全工作区(SOA) 曲线描绘了功率MOSFET 器件在功 ... 线性变化。 ▫ 饱和区. ▫ 漏极电压(VDS) 大于栅极电压(VGS)，导致电子扩散。
#86. MOS管为什么会有饱和区特性的一个解释- gaojun927的日志
MOS 有饱和区特性这件事据说Tsividis用河流与大坝模型来解释。这里我想用一个半物理半形象的模型来解释一下。 首先回顾一下电流是怎样形成的， ...
#87. 截止/三极/饱和区| 《电路基本原理》全英讨论课第七集
MOSFET, NMOS, PMOS, 工作区间，截止/三极/饱和区| 《电路基本原理》全英讨论课第七集. 橘猫博士. 相关推荐. 查看更多. 一看就会的MOS管工作原理终于来啦！ 8.8万 13.
#88. Page 14 - ePF825_PVQC電機與電子專業英文詞彙全收錄
轉出特性曲線圖3 N 通增強型MOSFET 之特性曲線圖2 電晶體V ce-I c 請注意，BJT 與MOSFET 兩者所指的saturation region（飽和區）是不相同的。 表2 BJT 與FET 工作區域 ...
#89. AN-1001 了解功率MOS 规格参数
在选择MOSFET 时，多数工程师只关注VDS, RDS(on)和ID 参数，然而在电源系统中，根据不同的 ... VDS = VGS – VGS(th). 欧姆区. 截止区. 线性区. 正温度系数 efficient.
#90. 認識二極體及電晶體特性曲線
區內原本亦是屬電中性，現因喪失電洞而留下3A 的陰離子，使得電位因而降低。 ... 壓繼續增加，少數載子流也達到飽和而不會再增加，稱為反向飽和電流（IS）。
#91. 什么是MOSFET:基础，工作原理和应用 - bob足球平台
截止区,这是设备将处于关闭状态的区域，没有电流通过它。 · 饱和区域,在这个区域，器件的漏极到源极电流值将保持不变，而不考虑漏极到源极电压的增强。 · 线性/电阻地区-它是 ...
#92. 如何為邏輯電路或閘極設計選擇MOSFET - DigiKey
若閘極閾值電壓在最小閾值和最大閾值之間，MOSFET 可能會導通，也可能會截止，因此必須加以避免。請注意，在圖1 中最小值與最大值之間的區域大致與非法區 ...
#93. 数控恒流源设计.doc - 人人文库网
利用功率MOSFET的恒流特性，再加上电流反馈电路， 使得该电路的精度很高。 ... 设计者主要有两个选择：线性调节LED电流（模拟调光），或者使用开关 ...
#94. 金氧半二極體 - 道客巴巴
金氧半二極體、電晶體及其電性討論MOSFET 為一四端元件，。 ... 之電流公式所畫之關係圖， 可看出電流電壓成正比的線性區以及電流維持定值的飽和區。
#95. 半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 127 頁 - Google 圖書結果
最後再次強調,因為增強型 MOSFET 元件遠比空乏型元件更常應用於電路中(尤其是指數位 ... 區、線性區、與飽和區等三個區域如圖 4-3 所示,並討論如下: (1)截止區(cutoff ...
#96. 新電子 06月號/2022 第435期 - 第 101 頁 - Google 圖書結果
解決電熱不穩定線性MOSFET提升工作功率 José Padilla/Aalok Bhatt/Vladimir ... 電壓直流馬達控制或電子負載等線性模式應用,都要求功率MOSFET元件在電流飽和區內運行。
mosfet飽和區線性區 在 [問題] mos當作開關的操作區域- 看板Electronics - 批踢踢實業坊 的推薦與評價
小弟有個想不透
就是如果mos作為開關導通
s和d的電壓應該要很接近
（可能有Rdson的一點壓降）
那為什麼會操作在飽和區呢？
還是我有哪裡觀念錯誤了？
請各位大大糾正
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.77.197.77
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1530196171.A.753.html
一開始是問我同學跟同事，他們說在飽和區
但上網找，有人說飽和也有人說線性
上本版爬文，也有人跟我有一樣的問題
但卻沒有討論出一個答案...
※ 編輯: u3308642 (42.77.197.77), 06/29/2018 09:55:09
因為我認為如果當開關導通
應該要讓跨壓（vds)很小
所以會盡量在vds-id圖的左邊
triode區裡面斜率大
Rds就小
※ 編輯: u3308642 (42.74.26.45), 06/29/2018 23:06:54
※ 編輯: u3308642 (42.74.26.45), 06/29/2018 23:08:03
... <看更多>