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nmos導通條件 在 コバにゃんチャンネル Youtube 的最佳貼文

コバにゃんチャンネル By コバにゃんチャンネル

2021-10-01 13:19:08 有 9 人看過 有 1 人喜歡
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nmos導通條件 在 大象中醫 Youtube 的精選貼文

大象中醫 By 大象中醫

2021-10-01 13:10:45 有 0 人看過 有 0 人喜歡
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大象中醫

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長照是一個劇變的旋轉舞台 百年難得一見 沒有準備的人 被旋轉舞台甩出去 不是坐下就是躺下 而大象中醫是太極的推手 推動著旋轉舞台 讓 所有爬不起來的人 背後有一股推手力量 支撐再站起來
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nmos導通條件 在 大象中醫 Youtube 的精選貼文

大象中醫 By 大象中醫

2021-10-01 13:09:56 有 0 人看過 有 0 人喜歡
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大象中醫

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長照是一個劇變的旋轉舞台 百年難得一見 沒有準備的人 被旋轉舞台甩出去 不是坐下就是躺下 而大象中醫是太極的推手 推動著旋轉舞台 讓 所有爬不起來的人 背後有一股推手力量 支撐再站起來
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社群媒體上有些相關的討論：

nmos導通條件 在 [問題] 將mos設計為開關的方法- 看板Electronics - 批踢踢實業坊 的推薦與評價


作者linpogin213 (linpogin)
看板Electronics
標題[問題] 將mos設計為開關的方法
時間Mon Feb 8 11:05:03 2021

目前對於mos的應用有點搞不太清楚
該如何將mos設計為一開關使用
若將mos設為開關，需控制在歐姆區操作
Vgd>Vt, Vgs>Vt,此時Vds很小就能當作開關使用

有疑問的部分是我該怎麼設計一簡單電路為開關線路呢？需注意的部分有哪些

還有一個問題是飽和區的條件為Vgd<=Vt, Vg>=Vt,此時Vds很大

這部分是調整Rd去控制mos在飽和區或歐姆區嗎？還是有其他方式可以調整Vds的電壓

--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 101.10.29.42 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1612753505.A.EC2.html
→ samm3320: 當開關不會操作在飽和區 02/08 11:29
→ samm3320: 飽和區的vds 也不用很大，超過vgs-vt 就行了 02/08 11:31
推 taipoo: google「MOS 開關電路」找圖片，就有一堆電路圖範例了 02/08 11:33
→ linpogin213: 嗯 我知道開關是要用在歐姆區，但要怎麼確保mos工作 02/08 11:35
→ linpogin213: 在歐姆區呢？ 畢竟只差在Vgd>Vt這部分 02/08 11:35
→ samm3320: vg拉高你就很難在飽和區啦 02/08 11:39
→ samm3320: 你要把mos 當作可變電阻來思考 02/08 11:39
→ samm3320: vgs拉電阻變很小，你要保持很大的vds操作在飽和區代表你 02/08 11:40
→ samm3320: 要灌很大的電流給他 02/08 11:40
→ samm3320: 電流不夠他就會自然在歐姆區 02/08 11:41
→ samm3320: 當開關很多時候根本沒電流，只有電容負載，自然不會在 02/08 11:42
→ samm3320: 飽和區 02/08 11:42
→ linpogin213: 所以基本上Vgs>Vt都能操作在歐姆區，除非Rd太小或VDD 02/08 11:54
→ linpogin213: 太大，才有可能導致mos進飽和區嗎 02/08 11:54
→ linpogin213: Vgs調大，Id變大，Rds(on)變小，Rd不變的情況下Vds 02/08 11:56
→ linpogin213: 變小，就能操作在歐姆區 02/08 11:56
→ samm3320: vgs>vt你本來就可以設計Id來決定要把mos操作在飽和還歐 02/08 12:00
→ samm3320: 姆區 02/08 12:00
推 taipoo: 基本上，MOS電流是跟通道開啟的開口寬度有關，Vgs不大時， 02/08 12:04
→ taipoo: 通道一端開口隨Vgs愈大愈大，但Vgs大到一個程度時，通道開 02/08 12:04
→ taipoo: 口就達到極限寬度了，此時通道開口幾乎是最大的，而歐姆區 02/08 12:04
→ taipoo: 跟飽和區的差別，就在於通道開口是否有限或可微調了 02/08 12:04
→ linpogin213: 據我目前的理解，Rd不變的情況下，單調整Vgs的話，會 02/08 12:24
→ linpogin213: 影響Id的大小，進而影響Vds，但在Vgs不變的情況下， 02/08 12:24
→ linpogin213: 若要決定歐姆區或飽和區的話，應是調整Rd來決定Vds， 02/08 12:24
→ linpogin213: 此時便能控制Vds大小進而控制mos在歐姆區或飽和區， 02/08 12:24
→ linpogin213: 我這理解是對的嗎 02/08 12:24
推 mmonkeyboyy: 你要什麼開關? 0/1 analog? 02/08 12:26
→ linpogin213: 單純就是Vgs拉H，Vd拉L的開關而已，只是L要拉的確實 02/08 12:29
→ linpogin213: ，若不小心在飽和區的話，L就非0V了吧 02/08 12:29
→ samm3320: 邏輯開關根本沒電流，怎麼跑到飽和區 02/08 12:36
→ linpogin213: Vgs拉H，mos導通，不就會有Id電流嗎 02/08 13:46
→ linpogin213: 02/08 13:47
→ linpogin213: 單純這種電路 02/08 13:48
→ samm3320: 欸因為現在大多都用cmos邏輯了，你要用nmos 邏輯的話那 02/08 14:42
→ samm3320: 就是Rd要放夠大 02/08 14:42
推 andyping: 數位用transmission gate就ok啦 nmos 就是會加負載之類 02/08 16:01
→ andyping: 的 02/08 16:01
推 mmonkeyboyy: 樓上正解 所以我才問到底要什麼開關 02/09 00:20
→ mmonkeyboyy: on/off的拿到TG就解了 別串太多就好 02/09 00:22
推 oldhan1: 買零件插板一測就明白了 04/15 23:35






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增強型負載邏輯電路與下拉網路使用相同的NMOS,製程上最簡便,但輸出準位受到導通電壓的限制;空乏型負載邏輯電路改善輸出準位的問題,但耗電量較大;PMOS負載邏輯電路 ...

#68. 112年電子學(含實習)[歷年試題+模擬考][升科大四技]

此題實質上考了兩個概念,包含 MOS 的結構以及導通條件。由 N 通道可知甲區為 n 型,乙區為 p 型;由增強型可知臨界電壓 V- > 0 ,而導通條件為 Ves≥V ,故選( D )。

#69. 半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 435 頁 - Google 圖書結果

臨界電壓(Threshold Voltage)為增強型 MOSFET 導通所需的 VGS 電壓,臨界電壓 VTH 是決定 MOS 電晶體能否使在閘極下方-源極與汲極間產生反轉層而形成通道的一個界限值。

#70. 108年電子工程專業科目歷年試題澈底解說: [初考/五等]

C 國考 CP 值命題核心 MOSFET基本特性。澈底解說 NMOS導通條件為 VGS >|Vt | ,故可得4V>3V。 A 國考 CP值命題核心 MOSFET小訊號公式運算。澈底解說利用互導gm = 2KnID ...

#71. 105年電子學(含概要、大意) - 第 407 頁 - Google 圖書結果

有關下列增強型 MOSFET 之特性敘述,何者錯誤? ( V 爲臨限電壓(Threshold Voltage ) ) ( A )於 N 通道, Ves > V 可感應通道( B )於 P 通道, V 爲一正值電壓( C )於 Vas ...