互動式穿戴裝置是許多科幻電影中不可或缺的元素,不過啊,如果希望電影演的都是真的,還得克服許多問題!
從現實面來看,若想要實現互動式穿戴裝置普及的夢,偵測裝置裡的放大器最好是低功耗、具有延展性,放大效果好,還得耐用又便宜……
延伸閱讀:
要電子產品輕薄、方便攜帶?那就印在紙上吧!
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共射極放大器 在 優分析UAnalyze Facebook 的精選貼文
🔥 宏捷科(8086)受惠手機與需求強勁,營運維持高檔,預計未來擴廠能更提升營運動能
砷化鎵晶圓代工廠宏捷科 (8086-TW) 受惠手機功率放大器 (PA)、Wi-Fi 6 需求強勁,營運維持高檔,本季底月產能將達 1.5 萬片,由於既有擴產計畫不變,估年底將達 2 萬片目標,不排除再加碼擴產,最高上看 2.3 萬片,產能年增逾 5 成。
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因應台幣升值與建廠成本上升,宏捷科1月已通知所有客戶產品將全面漲價10%,13日後新訂單適用,先前已下單部分不溯及既往,目前先消化在手訂單,估漲價效應將反映在5、6月後。
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🤔近期走勢
法人指出,目前三大主要客群產品分布在4G、5G與WiFi 6領域,為了讓產品組合更加全面性,現階段已積極布建新產能,以擴大全球砷化鎵市場市占,同時也積極布局低軌道衛星市場,預計第2季開始量產出貨,挹注業績成長。
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✨未來走勢
另外,與中美晶旗下環球晶合作腳步也正加速中,預計今年5、6月攜手搶攻氮化鎵(GaN)市場商機,未來環球晶將擔負上游化合物半導體穩定供應角色,宏捷科可由客戶端提供快速產品驗證,加速氮化鎵產品,以快速符合客戶需求,估計這項業務未來將成為宏捷科的營收主力。
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💼公司簡介:
為全球第二大砷化鎵晶圓代工廠,從上游購買磊晶片,依照客戶設計圖加工製造成6吋砷化鎵(GaAs)晶圓,再交由客戶委託的封裝廠進行晶粒封裝。主要代工客戶為立積(4968)、台灣絡達、Skyworks(全球寡占的PA領導商、也是iPhone的PA模組供應商,本身也擁有相同產能)。
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🦾主要競爭對手:
穩懋(3105)、環宇KY(4991)、聯穎(3550)、中國三安光電。
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👥主要事業部門:
產品主要為砷化鎵與光學產品:
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砷化鎵:
HBT應用於手機與無線網路功率放大器(PA)。pHEMT應用於手機/衛星射頻開關(SW)、以及低雜訊放大器(LNA)。BiHEMT應用於WIFI/手機、PA/SW/LNA三合一整合晶片。IPD應用於被動元件、WIFi濾波器。主要客戶為SkyWorks、立積(4968)、台灣絡達、中國VanChip、中國RDA等。
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光學產品:
主要產品為LD VCSEL(垂直共振腔面射型雷射),可應用於深度測距、相機 3D 建模,此技術應用普及於 Smartphone 臉部辨識、AR/VR 以及未來汽車自動駕駛所需之 LiDAR 元件,主要客戶為德國Vixar、奧地利AMS。根據市調研究機構 Yole 預估 2017 年至 2023 年 3D Sensing & Imagine 需求市值複合成長率(CAGR)約 48%。
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營收區域比重:
2019年銷售區域比重:台灣佔54%、美國佔23%、亞洲佔23%
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🕵️♂一起和小樂來檢視財務三率
2020Q3毛利率:30.79 比同期(2019Q3:32.34%) 衰退
2020Q3營益率:22.59 比同期(2019Q3:2.26%) 衰退
2020Q3淨利率:17.45 比同期(2019Q3:19.29 %) 衰退
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共射極放大器 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的精選貼文
#寬能隙半導體WBG #碳化矽SiC #氮化鎵GaN #功率器件 #5G通訊 #功率放大器PA #量子接面電晶體QJT #USB-PD #原子層沉積ALD
【SiCXGaN 卡位戰起跑!】
儘管目前 SiC 晶片成本仍較 IGBT 貴上 4~5 倍,然著眼於碳化矽 (SiC) 功率器件將受惠於全球交通電氣化轉型的不斷前行——從火車、有軌電車和無軌電車,到公共汽車、小汽車和電動汽車充電樁,微芯科技 (Microchip) 宣佈推出 SiC 功率模組套件,讓開發者無需再單獨採購功率模組和閘極驅動器 (包括用於成品生產的閘極驅動器),不必在檢驗功率模組後又花費時間開發自己的閘極驅動器,可大幅縮短數個月的開發週期。
另有鑑於目前氮化鎵 (GaN) 市場,功率電晶體和驅動 IC 通常是離散元件,使設計人員必須學習兩者間的協同作業以達到最佳性能,意法半導體 (ST) 推出全球首個單封裝整合矽基驅動晶片和 GaN 功率電晶體的解決方案;而恩智浦半導體 (NXP) 亦為 5G 射頻功率放大器 (PA) 於美國錢德勒啟用全新 6 吋 (150mm) 氮化鎵晶圓廠,針對氮化鎵技術進行深度最佳化,改善半導體中的電子陷阱 (electron trapping) 問題,藉由一流的線性度提供高效率和增益。
製程方面亦有所突破。派科森 (Picosun) 公司利用原子層沉積 (ALD) 薄膜塗層解決上述困境:將預清洗方法與高介電常數和大能隙絕緣子結合使用可降低介面陷阱密度。與此同時,為滿足寬能隙設備測試需求,量測大廠太克科技 (Tektronix) 推出新型參數測試系統,可為晶圓廠最大程度減少投資並最大化每小時的晶圓產出。寬能隙半導體也牽動變壓器產業的生態,為平面變壓器 (Planar Transformer) 帶來需求轉捩點。
延伸閱讀:
《SiC、GaN 初入成長期,創新方案輩出》
http://www.compotechasia.com/a/feature/2020/1112/46363.html
#微芯科技Microchip #AgileSwitch數位可程式設計閘極驅動器 #SP6LI #意法半導體ST #MasterGaN #恩智浦NXP #太克Tektronix #S530 #佩頓Payton
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共射極放大器 在 [問題] 考慮early effect的含射極電阻共射極增益- 看板Electronics 的推薦與評價
最近學弟在算電子學的增益
其中算到了考慮early effect的含射極電阻的共射極放大器增益
他問我該怎麼算?
本文只是問問看是不是只有近似解而已 沒有要計算過程 所以沒題目
不過印象中劉超老師說過這個好像沒精確解 只能近似解 是不是這樣呢?
當然除了土法煉鋼以外 他是要準備考試的
學弟說翻過書店其他補習班老師的書
好像都沒看到討論有ro影響的含射極電阻共射極放大器增益
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※ 編輯: iamchyun (101.10.114.206), 06/23/2014 02:08:02
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