中國建構半導體自主產業鏈，在半導體製造設備、材料等上游領域面臨最大挑戰，讓我們帶您一起了解中國半導體沉積設備供應商概況。
半導體製程蝕刻 在 拓墣產業研究院 Facebook 的精選貼文
半導體製程蝕刻 在 股人阿勳-價值投資 Facebook 的最讚貼文
🔥 護國神 G 的溶劑廠
勝一我在 2019 年時寫過 2 次，當時價格僅有 65 元，如今也漲到了 122 元，期間配發 2 次股利 ( 現金股利 2.22元 + 3.49 元 ; 股票股利 2 元 + 1.11 元)，累積報酬約達 100%。
-
公司主要生產半導體用高純度電子級溶劑、蝕刻液，近期受到供需緊張等影響，刺激油價居高不下，吸引工業級用戶紛紛加緊拉貨，加上產品售價水漲船高，帶動營收出現明顯成長。
--
📲阿勳 APP 潛力股免費下載
點擊前往：https://cmy.tw/008YFI
--
🧐勝一 (1773) 是怎樣的公司!?
公司成立於 1979 年，董事長孫靜源，一開始是做合板，就是由較薄的木板疊合，本片之間塗上強力膠，在一定溫度及壓力下壓合而成。
當時正式合板外銷的全盛時期，廠商都用味道刺鼻的尿素膠黏著合板為了改善這缺點，孫靜源成立勝一化工，並找上日商三菱化學，學習「無味膠」配方。
之後沒幾年，台灣的合板業就在印尼低價搶市下，快速萎縮，孫靜源看到危機，全力轉戰化工，順利完成從膠水到溶劑的轉型，選擇溶劑為主力產品的原因，是因為 80 年代快速起飛的製造業，應用廣泛的溶劑供不應求，後來變成為國內溶劑大廠，大客戶則是台積電 (2330)。
-
🍀主要產品
公司主營產品為溶劑，包括丙二醇甲溶劑醚(PM)、丙二醇甲醚丙酸酯(PMP)、丙二醇甲醚醋酸酯(PMA)等，廣泛應用於工業及電子領域。
電子級溶劑以純度較高的 PM、PMA 為主，用於 TFT-LCD 面板及半導體製程中的光阻去除液、剝離劑、清洗劑、去光阻緩衝液及蝕刻製程化學品。
-
💁♂️阿勳的價值投資社團
傳送門 : https://pse.is/3aj2de
半導體製程蝕刻 在 Joe's investment Facebook 的最佳解答
Joe：「中國持續在半導體產業做設備進口或收購歐美企業，強化半導體的生產能力，美國封鎖中國的半導體發展，未來只會更加劇烈。」
由於美中地緣政治緊張，美國加強管制中國半導體設備出口，中國半導體產商擔心受出口管制波及，加強半導體設備採購，採購數量等於需求範圍再多買1.5套，南韓媒體《ETnews》報導，美國統計資料顯示，2021年1~5月美國對中國半導體出口金額達21.96億美元，較2020年同期14.12億美元成長55%。出口中國的半導體設備，美商應材、科林研發、美商科磊全球半導體設備市佔超過40%，為中國半導體設備主要供應商，包含蝕刻、沉積、檢查等設備。
雖然美國對中國半導體設備出口管制，但銷售金額屢創新高，反映中國在美國未來可能收緊半導體出口情況下，中國半導體廠商希望及早獲得設備，以建立自主化供應鏈。目前美國Biden政府不但延續Trump政府限制策略，甚至強化，加深中國半導體廠商的不確定感，有華為、中芯國際、福建晉華等300多家廠商及單位被美國列入管制出口黑名單。美國AI國家安全委員會建議，沉浸式曝光設備也列入極紫外光曝光設備(EUV)類管制清單，屆時對中國半導體製造的衝擊不僅先進製程，一般的成熟製程也可能受限，使中國半導體產業更受重擊。
基於以上原因，中國半導體廠商積極大量庫存半導體設備。全球半導體設備產業一方面受惠於中國半導體產商大量採購，迎接難得的大量採購週期，有利公司營收，另一方面讓三星或SK海力士等備感壓力，因大量採購使晶片荒導致交貨期拉長更惡化，南韓半導體業者也加入搶購半導體設備行列，南韓海關統計，2021上半年南韓半導體製造設備（SME）進口總金額創歷史新高，達94.2億美元，較2020年同期成長68%，為2018上半年81.6億美元以來，再度寫下歷史新高紀錄。
2021上半年進口拜導體設備，荷蘭進口金額達30.6億美元，較2020年同期成長55.3%。美國進口27.9億美元，日本和新加坡進口為22.2億美元和12億美元以上。三星電子和SK海力士最近都在增加半導體製造設施投資。三星2021上半年投資為較2020年同期成長40.3%。SK海力士投資金也較2020年同期增加84.1%，中國半導體巨頭聞泰科技（Wingtech）旗下Nexperia半導體有限公司（Nexperia），收購英國最大晶片製造商Newport晶圓製造公司（Newport Wafer Fab）後，英國研究與創新署（UK Research and Investment）根據英國政府的指令，已經停止對Newport晶圓製造公司提供政府資助。
英國《電訊報》報導，Nexperia半導體公司總部雖然在荷蘭，卻是中國導體巨頭聞泰科技麾下的全資子公司。聞泰科技於2016年收購飛利浦的半導體分支後，後者易名為Nexperia，中國受限於晶片製造技術，四處尋求突破口，Newport位於英國南威爾斯Newport，是英國最大、也是英國為數不多的半導體晶片製造商之一，Nexperia這家中資公司針對英國Newport晶圓製造公司的收購，發生在美中、英中關係全面惡化，美國要在半導體行業對中國進行全面封殺之時，因此格外引人注目。英國首相Boris Johnson稱，不希望中資感到「仇中情意結」，以致放棄在英國進行任何投資。不過，在多名國會議員的施壓下，Johnson已下令對這宗價值6300萬英鎊的收購案展開國安調查。
中國海關總署統計，2021年一季度中國進口集成電路1552.7億塊，同比增長33.6%。出口集成電路737億塊，同比增長42.7%，今年上半年，無論是全球還是中國，整個半導體行業呈加速態勢。不過，仍存在結構性短缺，如汽車晶片、GPU、手機等，到今年上半年仍未得到緩解。這主要是由於美國制裁、疫情、供需錯配等因素造成的，各國政府均高度重視半導體產業的戰略，美國、歐盟、日本、韓國等國的扶持力度非常突出，中國也推出多項扶持政策，全力破解「缺晶片」難題。
中國長三角地區的安徽、江蘇、上海，泛珠三角的江西、福建、廣東、四川等，均對「十四五」期間集成電路的發展確立明確目標及發展規劃。據不完全統計，僅2020年上半年，有21個省份落地相關項目超140個，已披露總投資額超3070億元。在政策推動下，中國半導體產業資金洶湧。2019年設立的國家集成電路產業投資基金二期註册資本達2041.5億元，帶動數倍民間投資。目前，中國晶片製造的產能加速擴張。國際半導體產業協會報告稱，今年年底前，全球半導體製造商將開始建設19座大容量晶圓廠；2022年，全球將再增加10座晶圓廠。這其中，8座在中國，8座在台灣，中國是全球最大的集成電路市場，晶圓製造產能持續擴大，中國正在承接第三次半導體產業轉移。
https://udn.com/news/story/7333/5619619
https://udn.com/news/story/7333/5602192
https://technews.tw/2021/07/19/chinese-manufacturers-swept-global-semiconductor-equipment/
半導體製程蝕刻 在 [討論] 半導體的主要製造流程？ - tech_job | PTT職涯區 的推薦與評價
蝕刻製程 ：使用光阻劑進行膜加工4. 擴散製程：使矽晶圓板上形成導電層(*已更正) 5. CMP製程(化學機械研磨)：使不光滑薄膜表面平坦後段製程目的：將前段完成的矽晶圓板 ... ... <看更多>
半導體製程蝕刻 在 職場新人YO 的推薦與評價
首先先來解釋一下半導體製造業的基本面因為小弟我實在是進入職場後才真的了解整個 ... 大家應該都有聽說過四大製程蝕刻 (etch)、黃光 (litho)、擴散 (diffusion)、薄膜 ... ... <看更多>
半導體製程蝕刻 在 [心得] 半導體黃光製程工作內容分享-4 - 精華區Tech_Job 的推薦與評價
(三) 與etch的合作
參考書籍:
1. Principles of Plasma Discharges and Materials Processing
by M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg
2. Lecture Notes on Principles of Plasma Processing
by F. F. Chen and J. P. Chang
多數製程在photo後緊接著就是etch,所以兩個module像是敵人又是朋友.此處先介紹
etch的考量.在一般Fab內etch有十多種氣體可供選擇,分別扮演物理蝕刻與化學蝕刻
的角色.若是鈍性氣體,He與Ne為調整機台腔內離子濃度,Ar與Kr因為離子夠重,可以
扮演物理蝕刻的角色.物理蝕刻選擇性較低,所以一般先進製程以化學蝕刻為主力.
etch Eng.通常在考量recipe時,會先在bare Si wafer上coating不同的inorg.或是
org. film,接著以不同recipe去蝕刻量測前程與當程厚度差以得到蝕刻率,進而得到
在etch不同film之間的選擇比.一般將蝕刻過程分為ME (major etching)與
OE (over etching),前者選擇比約3:1到10:1速度較快,後者(使用另一recipe)選擇
比約15:1到30:1,調整整片wafer的uniformity而速度較慢.在偵測更換時間或是蝕刻
終點時是利用time mode與n-point mode.前者是指以某一recipe蝕刻固定秒數.後者
是在蝕刻過程中利用輝光放電去偵測某一peak,此peak可以是某層film的離子濃度
逐漸下降,也可以是當etch開始到某層film後產生與先前不同的離子濃度,這些會
導致peak出現或是強度改變,在建立這個recipe的過程中,會先有個固定的秒數,接
下來去fit peak的形狀而得到機台函數的參數值,然後就可以大概判定蝕刻終點.
所以在建立n-point mode的recipe時,會犧牲一片wafer從頭吃到尾來得到全部
的訊號.
對photo而言,影響較大的是etch化學蝕刻所使用的gas與recipe.例如,如果etch使
用ashing此recipe,一般就是使用O2,此recipe就無選擇性.或是常見的CF4,CF3H,
CF2H2,CFH3,這四種氣體不太吃光阻,但喜歡吃Silicon-related film.而上述四
種氣體除了CF4外,其餘氣體可以邊etch邊產生polymer dep.以維持蝕刻缺口的
uniformity.所以若是etch完發現有吃不乾淨(or particle)的現象,有些時候可能是
etch的recipe不對,photo Eng.可不能被對方嚇到以為是自己的問題.
photo完的結果叫做ADI (after develop inspection),etch完叫做AEI (after etch
inspection).與etch開會時,一但AEI的結果不好,etch的大絕招就是AEI follow ADI,
所以是photo的問題.如果photo不懂etch的recipe,很可能就會被冠上AR (action
responce)要求限期改善.如前段所言,photo要適當的在會議中提出檢討etching
recipe的可能,AR太多的後果就是老闆對你的印象不好與讓自己晚下班.推太極
的嘴泡來自於扎實的基礎,所以photo要對etch花些工夫了解.切記不能直接在
會議上提出對方的問題,要恰當的引導對方思考可能是自己的問題.
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 123.193.33.152
... <看更多>