目前半導體產業處於產能緊張狀態,高盛認為,這一波限電是針對能源和電力消耗較高的重工業,反而對台灣半導體產業影響不大。
#中國限電 #高盛 #能耗雙控
同時也有8部Youtube影片,追蹤數超過15萬的網紅豐富,也在其Youtube影片中提到,主持人:陳鳳馨 來賓:DIGITIMES顧問|台大物理系客座研究員 林育中 主題:第三代半導體於汽車產業的應用及趨勢 節目時間:週一至週五 7:00-9:00am 本集播出日期:2021.09.22 #News98 #陳鳳馨 #第三代半導體應用 📣 更多 #財經起床號 專題影音:https:...
大中半導體 在 我是產業隊長 張捷 Facebook 的最讚貼文
鴻海、比亞迪、IDM風雲會 布局第三代半導體逐鹿中原
電子時報00:06何致中/綜合報導
新世代半導體發展趨勢風起雲湧,醞釀20多年的氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)並非嶄新的「黑科技」,但隨著無線通訊技術、充電技術越來越需要具「高功率密度」特性的寬能隙(WBG)元件,GaN、SiC等明顯優於主流矽基(Si-Based)半導體的性能備受重視。
特別是在「未來車」相當有機會成為下一個資通訊產業革命的主戰場的此刻,欲想在電動車卡位的龍頭集團業者無不摩拳擦掌。除領頭的國際IDM大廠包括英飛凌(Infineon)、意法半導體(STM)、Cree、羅姆(Rohm)等業者外,中系功率半導體與電動車大廠比亞迪集團,以及台灣EMS龍頭的鴻海集團,紛紛著手對於SiC、GaN領域更深遠的布局藍圖。而針對近期包括兩岸、海外等龍頭大廠布局狀況,以下為DIGITIMES所作整理。
IDM廠轉向8吋廠生產 凸顯領跑者角色
儘管台系業者包括鴻海、中美晶、台積、聯電、富采投控、漢民、穩懋等,力求大打跨界集團戰儘速合縱連橫。惟領跑的國際IDM大廠「轉進8吋晶圓廠」生產已然增速,包括意法、羅姆等,近期英飛凌也宣布與Panasonic共同量產8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)新品,預期2023年上半新品將進入市場。
而此舉正是力圖突破目前第三代半導體元件價格明顯高於矽基元件2~3倍的主要方向之一,目前主流的6吋廠產能也不足以因應未來被廣泛應用於3C充電領域的GaN-on-Si元件。
英飛凌大中華區總裁蘇華、意法亞太區副總裁暨台灣區總經理Giuseppe Izzo等也公開指出,第三代半導體領域IDM大廠們已經卡好最佳位置,GaN、SiC的市場接受度目前看來也比預期快。
IDM廠在技術、產品組合、整體解決方案都相當完整,甚至是第三代半導體在材料以外的各種電源IC週邊包括驅動器、MCU等全方位配套策略,目前恐怕仍是寬能隙元件領域發展最全面的主力。
比亞迪、鴻海各自出招 共逐EV、第三代半導體大計
鴻海總裁劉揚偉於SEMI論壇中指出,EV將持續替第三代半導體的SiC、GaN鋪路,未來也可望成為一座「新護國神山」。
新世代化合物半導體潛力高 新護國神山待醞釀
事實上,化合物半導體也包括一般稱為第二代半導體的砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等等,穩懋副董事長王郁琦指出,化合物半導體繼5G RF應用、手機用3D感測應用等,後續包括未來的6G、衛星通訊、車用光達(LiDAR)、生物辨識等,在在都需要更多的化合物半導體,也將成為次世代半導體關鍵之一。
整體來看,舉凡光學元件、充電元件、通訊元件等,囊括寬能隙材料的第三代半導體潛力持續被市場重視,而不管是業界老鳥或集團新兵,組隊大打世界盃的風雲集結態勢為現在進行式,更可能往國家產業戰略方向角度前進,這也回應鴻海總裁劉揚偉所述,台灣已經在矽半導體享有高度成就,如何複製到剛起步的第三代半導體,打造一座「新護國神山」,更是未來產官學研界重點任務。
隊長資料整理:
TrendForce示,2021 年各國 5G 通訊、 消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升,驅使基地台、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,第三代半導體氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)元件及模組需求強勁。氮化鎵功率元件成長幅度最高,預估今年營收將達8,300萬美元,年增率高達73%。據TrendForce研究,氮化鎵功率元件主要應用大宗為消費性產品,至2025年市場規模將達8.5億美元,年複合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%。據TrendForce調查,截至目前有10家手機OEM廠商陸續推出18款以上搭載快充的手機,且筆電廠商也有意跟進。
全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元,年複合成長率達38%,前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%,新能源車產業又以主驅逆變器、車載充電機(OBC)、直流變壓器(DC-DC)為應用大宗。
漢民科技集團,控股公司。打入華為5G基地台供應鏈。
旗下「嘉晶」(61.2%)為國內前二大磊晶矽晶圓供應商。
旗下「漢磊科技」(100%)為國內最大功率/類比IC晶圓代工廠、全球第九大矽磊晶圓廠,生產MOSFET、IGBT及二極體。
4吋廠600~1200V SiC SBD/MOSFET已量產。
6吋廠1700V SiC SBD/MOSFET已量產
SiC晶圓薄化可達100微米。
因應5G、電動車應用帶動功率半導體需求,研發WBG寬能隙材料的GaN氮化鎵、SiC碳化矽製程,漢磊旗下三座晶圓廠都已通過車規認證並量產。
去年EPS-1.64元。今年上半年EPS 0.07元轉虧為盈。
今年7月營收6.31億元續創新高,月增4.43%、年增41.08% 八月營收再創新高
漢磊布局化合物半導體超過10年,這將是未來營運主軸,近2年策略上正往氮化鎵、碳化矽、車用MOSFET、二極體、靜電保護等TVS等5類別發展,特別鎖定車用相關,今年已看到成效,由於碳化矽與氮化鎵產品價格比一般半導體高,對漢磊營收或獲利都會有幫助。漢磊下半年到明年上半年營運展望皆樂觀,因為還有很多客戶排隊要產能,「客戶追單仍多,產能滿到年底沒有問題」。惟上半年剛虧轉盈,EPS還未顯現,
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大中半導體 在 交通大學校友會 NCTU Alumni Association Facebook 的最佳解答
引領全球半導體科研五十年 施敏教授獲頒未來科學大獎
被譽為「華人諾貝爾獎」、每年每獎項均頒百萬美元獎金的未來科學大獎9月12日公布獲獎名單,國立陽明交通大學終身講座施敏教授因提出基礎性的金屬與半導體間載子傳輸理論,引領全球半導體元件開發,獲頒2021未來科學大獎之「數學與電腦科學獎」,11月將於北京受獎。
未來科學大獎成立於2016年,是大中華區第一個由科學家和企業家共同創立的民間科學大獎,設立「數學與電腦科學獎」、「生命科學獎」與「物質科學獎」,授予具科學突破、重要科學發現的科學家。2021未來科學大獎頒獎典禮將於11月登場,國際頂尖科學家將齊聚分享科學成果,探討科學研究發展、洞悉未來趨勢。
施敏教授1963年取得美國史丹福大學電機博士,進入知名研發重鎮貝爾實驗室(Bell Labs) 。但在1968-1969年度,特別請長假回國,指導他的第一位博士生張俊彥(我國第一位工學博士),提出金屬與半導體間的電荷流動理論和傳輸模式,奠基過去五十年在積體電路元件中最為關鍵之歐姆與蕭特基接觸,使得晶片產業能夠依照「摩爾定律」持續擴展,成為各類電子系統不可或缺之要件,也不斷大幅度的提升了人類的生活和文明。
在此之前(1967年),施敏教授和貝爾實驗室同事姜大元博士,共同發現了「浮閘記憶體效應」(Floating-gate memory effect)。由此理論的基礎概念衍生出多種記憶體,其中「快閃記憶體」為目前所有移動電子產品的核心元件,但因此項工作在美國完成,並不在此次未來科學大獎獲獎範圍。
此外,施敏教授於1967-1969年所撰寫的《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices),起先用於交大電子研究所上課講義,很快受到全球矚目,翻譯成六國語言、發行超過300萬冊,被全世界半導體和積體電路領域師生、研究人員及相關產業不斷地引用,為全球最暢銷的「半導體界聖經」。
施敏教授的成就與貢獻備受國際推崇。1991年獲IEEE J.J. Ebers獎、2017年獲IEEE最負盛名的Celebrated Member Award;是少數當選中央研究院院士、美國國家工程院院士以及中國工程院外籍院士的三院院士;也曾獲工研院院士、全球「快閃記憶體高峰會」(Flash Memory Summit)「終身成就獎」。
未來科學大獎科學委員會輪值主席、國立交通大學前校長張懋中表示,科委會由國際知名科學家組成,評選過程中力求最大限度地全方位了解獲獎人的研究成果與國際科學界的地位與影響力,每一位獲獎人的誕生,都來自科學界客觀公正的評選與推薦。施敏教授的成就奠基相關領域,半世紀以來,對積體電路科技進展與社會的貢獻深遠,實為舉世同欽。
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