當今的銅雙鑲嵌互連伴隨著氮化鉭(TaN)銅擴散阻障層和鈷底襯。當銅線變得越來越纖薄,酸性的銅化學物質可能蝕刻至底襯,從而使鍍銅與其下的TaN薄膜相互作用。由此產生的氧化鉭可能會產生隨機開路,從而降低產量。因此,半導體公司一直在尋找其他替代方案... https://www.eettaiwan.com/…/20171213NT02-with-alkaline-chem… Tags: 氧化鉭 0 comments 19 likes 6 shares Share this: EE Times Taiwan About author EE Times《電子工程專輯》結合實體雜誌與數位電子報。 每日提供最新的電子產業資訊與科技趨勢,並分享研討會資訊。 <和工程師們一起改變世界,與電子產業共同創造未來> 6762 followers 6191 likes "http://www.eettaiwan.com/" View all posts