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22nm Gate Last FinFET Process Flow介绍(中) ... 上篇主要介绍了Fin的形成,接下来继续讲解。 ... 铺上PR和BARC,然后进行litho和etch,使NMOS区域暴漏出来 ... ... <看更多>
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✓Proposed by AIST in 1980 (named “FinFET” by UCB in 1999). ✓Ultrathin and undoped channel and self-aligned double gate. ✓Extremely high short channel ... ... <看更多>
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The fins are formed in a highly anisotropic etch process. Since there is no stop layer on a bulk wafer as it is in SOI, the etch process has to be time based. ... <看更多>