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Product VDS IDS(@25℃) RDS(on) Pkg. Type Datasheet
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H1J065F050 650V 56A 50mΩ TO247‑3L download
H1J120F060 1200V 41A 60mΩ TO247‑3L download ... <看更多>
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H1M170F1K0, 1700V, 3.4A, 1Ω, TO247. H1M065Q020*, 650V, 107A, 20mΩ, TO247-4L, Coming soon. H1M120Q030*, 1200V, 80A, 30mΩ, TO247-4L ... ... <看更多>
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The H1M120Q030 1200V, 30mΩ silicon carbide power. MOSFET is an N-channel enhancement mode device. Exploiting the outstanding wide bandgap material. ... <看更多>