這個合作案不容小覷!為防堵中國大陸業者一波波的高功率絕緣閘雙極型電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)元件發展攻勢,茂矽電子、富鼎先進將與工研院光電所合作,透過透過雷射退火(Laser Anneal)製程開發適用於電動車的高功率IGBT,鞏固台灣電動車半導體零組件實力。
anneal半導體 在 退火- 维基百科,自由的百科全书 的相關結果
退火(Annealing),在冶金學或材料工程,是一種改變材料微結構且進而改變如硬度和強度等機械性質的熱處理。 過程為將金屬加溫到高於再結晶溫度的某一温度並維持此溫度 ... ... <看更多>
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半導體 製程技術. IC x13000times ... 阻材料清除,最後在半導體表面得到與光罩圖. 形一樣的圖形。 ... 快速高溫處理通常用於回火製程(annealing),負責. ... <看更多>
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半導體. 回火(Anneal:) 回火是冶金材料製程裡,非常常見的一種製程技術。它的目的是要消除材料裡(尤其 ... 快速熱回火:RTA (rapid thermal anneal)。 ... <看更多>