鴻海、比亞迪、IDM風雲會 布局第三代半導體逐鹿中原
電子時報00:06何致中／綜合報導
新世代半導體發展趨勢風起雲湧，醞釀20多年的氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)並非嶄新的「黑科技」，但隨著無線通訊技術、充電技術越來越需要具「高功率密度」特性的寬能隙(WBG)元件，GaN、SiC等明顯優於主流矽基(Si-Based)半導體的性能備受重視。
特別是在「未來車」相當有機會成為下一個資通訊產業革命的主戰場的此刻，欲想在電動車卡位的龍頭集團業者無不摩拳擦掌。除領頭的國際IDM大廠包括英飛凌(Infineon)、意法半導體(STM)、Cree、羅姆(Rohm)等業者外，中系功率半導體與電動車大廠比亞迪集團，以及台灣EMS龍頭的鴻海集團，紛紛著手對於SiC、GaN領域更深遠的布局藍圖。而針對近期包括兩岸、海外等龍頭大廠布局狀況，以下為DIGITIMES所作整理。
IDM廠轉向8吋廠生產 凸顯領跑者角色
儘管台系業者包括鴻海、中美晶、台積、聯電、富采投控、漢民、穩懋等，力求大打跨界集團戰儘速合縱連橫。惟領跑的國際IDM大廠「轉進8吋晶圓廠」生產已然增速，包括意法、羅姆等，近期英飛凌也宣布與Panasonic共同量產8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)新品，預期2023年上半新品將進入市場。
而此舉正是力圖突破目前第三代半導體元件價格明顯高於矽基元件2~3倍的主要方向之一，目前主流的6吋廠產能也不足以因應未來被廣泛應用於3C充電領域的GaN-on-Si元件。
英飛凌大中華區總裁蘇華、意法亞太區副總裁暨台灣區總經理Giuseppe Izzo等也公開指出，第三代半導體領域IDM大廠們已經卡好最佳位置，GaN、SiC的市場接受度目前看來也比預期快。
IDM廠在技術、產品組合、整體解決方案都相當完整，甚至是第三代半導體在材料以外的各種電源IC週邊包括驅動器、MCU等全方位配套策略，目前恐怕仍是寬能隙元件領域發展最全面的主力。
比亞迪、鴻海各自出招 共逐EV、第三代半導體大計
鴻海總裁劉揚偉於SEMI論壇中指出，EV將持續替第三代半導體的SiC、GaN鋪路，未來也可望成為一座「新護國神山」。
新世代化合物半導體潛力高 新護國神山待醞釀
事實上，化合物半導體也包括一般稱為第二代半導體的砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等等，穩懋副董事長王郁琦指出，化合物半導體繼5G RF應用、手機用3D感測應用等，後續包括未來的6G、衛星通訊、車用光達(LiDAR)、生物辨識等，在在都需要更多的化合物半導體，也將成為次世代半導體關鍵之一。
整體來看，舉凡光學元件、充電元件、通訊元件等，囊括寬能隙材料的第三代半導體潛力持續被市場重視，而不管是業界老鳥或集團新兵，組隊大打世界盃的風雲集結態勢為現在進行式，更可能往國家產業戰略方向角度前進，這也回應鴻海總裁劉揚偉所述，台灣已經在矽半導體享有高度成就，如何複製到剛起步的第三代半導體，打造一座「新護國神山」，更是未來產官學研界重點任務。
隊長資料整理：
TrendForce示，2021 年各國 5G 通訊、 消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使基地台、能源轉換器（Converter）及充電樁等應用需求大增，第三代半導體氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）元件及模組需求強勁。氮化鎵功率元件成長幅度最高，預估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據TrendForce研究，氮化鎵功率元件主要應用大宗為消費性產品，至2025年市場規模將達8.5億美元，年複合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%。據TrendForce調查，截至目前有10家手機OEM廠商陸續推出18款以上搭載快充的手機，且筆電廠商也有意跟進。
全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元，年複合成長率達38%，前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%，新能源車產業又以主驅逆變器、車載充電機（OBC）、直流變壓器（DC-DC）為應用大宗。
漢民科技集團，控股公司。打入華為5G基地台供應鏈。
旗下「嘉晶」(61.2%)為國內前二大磊晶矽晶圓供應商。
旗下「漢磊科技」(100%)為國內最大功率/類比IC晶圓代工廠、全球第九大矽磊晶圓廠，生產MOSFET、IGBT及二極體。
4吋廠600~1200V SiC SBD/MOSFET已量產。
6吋廠1700V SiC SBD/MOSFET已量產
SiC晶圓薄化可達100微米。
因應5G、電動車應用帶動功率半導體需求，研發WBG寬能隙材料的GaN氮化鎵、SiC碳化矽製程，漢磊旗下三座晶圓廠都已通過車規認證並量產。
去年EPS-1.64元。今年上半年EPS 0.07元轉虧為盈。
今年7月營收6.31億元續創新高，月增4.43%、年增41.08% 八月營收再創新高
漢磊布局化合物半導體超過10年，這將是未來營運主軸，近2年策略上正往氮化鎵、碳化矽、車用MOSFET、二極體、靜電保護等TVS等5類別發展，特別鎖定車用相關，今年已看到成效，由於碳化矽與氮化鎵產品價格比一般半導體高，對漢磊營收或獲利都會有幫助。漢磊下半年到明年上半年營運展望皆樂觀，因為還有很多客戶排隊要產能，「客戶追單仍多，產能滿到年底沒有問題」。惟上半年剛虧轉盈，EPS還未顯現，
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gan mosfet廠商 在 [新聞] GaN和SiC功率半導體市場將在2021年突破10 - 看板Stock 的推薦與評價
GaN和SiC功率半導體市場將在2021年突破10億美元
1.原文連結：
https://bit.ly/3f817sS
2.原文內容：
由於，在混合動力與電動汽車、電源和太陽能光電（PV）需求的刺激下，新興的碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體市場，預計在2021年將突破10億美元。
根據Omdia《2020年SiC和GaN功率半導體報告》，全球SiC和GaN功率半導體的銷售收入，預計未來十年的市場收入將以兩位數的速度增長，將從2020年的8.54億美元增加到2029年將超過50億美元。
其實，SiC肖特基二極體已進入市場十多年了，近年來出現了SiC金屬氧化物半導體場效應電晶體（SiC MOSFET）和結柵場效應電晶體（SiC JFET）。SiC功率模組也越來越多，包括混合SiC模組、包含帶Si絕緣柵雙極電晶體（IGBT）的SiC二極管，以及包含SiC MOSFET的全SiC模組。
在SiC MOSFET受到製造商歡迎而已有多家公司提供產品，也因此導致平均價格在2019年下降，包括推出定價與矽超結合MOSFET競爭的650V、700V和900 V之SiC MOSFET，以及供應商之間的競爭加劇。價格下跌也將促使SiC MOSFET技術更快地被採用。
相比之下，GaN功率電晶體和GaN系統IC最近才出現在市場上。GaN是一種寬帶隙(WBG)材料，具有與SiC類似的性能優勢，但具有更高的降低成本的潛力。這些具有價格和性能優勢，因為GaN功率器件可以生長在比SiC便宜的矽或藍寶石基底上。儘管現在可以提供GaN電晶體，但預計Power Integrations、德儀和Navitas Semiconductor等公司的GaN系統IC的銷售，將以更快的速度增長。
SiC和GaN功率半導體市場趨勢
預估從2021年起，SiC MOSFET將加快速度增長，成為最暢銷的SiC功率器件。SiC JFET供應商較少、仍保持特殊的利基產品，但收入將比SiC MOSFET小得多。
混合SiC功率模組結合了Si IGBT和SiC二極管，完整的SiC功率模組預計到2029年將達到8.5億美元。因將首先進入混合動力和電動汽車動力總成逆變器(powertrain inverters)。相比之下，混合SiC電源模組將主要用於太陽能（PV）逆變器、不間斷電源系統和其他工業應用之成長率並不高。
現在，SiC和GaN功率器件都獲得供應商，甚至是新進入市場的供應商通過JEDEC和AEC-Q101認證。SiC和GaN器件通常看起來比矽更好。
帶有GaN電晶體和GaN系統IC的最終產品正在量產，尤其是USB C型電源適配器和充電器，可為手機和筆記型電腦快速充電。同樣，許多GaN器件由代工商製造，可在標準矽晶片上提供GaN外延電晶體的生長，並且隨著產量的增加而無限擴大產能。
3.心得/評論：
電動車電子元件帶動GaN和SiC功率半導體，前景看好，功率半導體領導廠商，意法半導體、英飛凌、安森美半導體和三菱電機等都可能隨時進入該領域搶奪商機。
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