關於 icp蝕刻原理 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. rie icp 原理

ICP -RIE全稱是電感耦合等離子體刻蝕機，是半導體芯片微納加工過程中必不可少的設備，可加工微米級納米級的微型圖案（如下圖所示）。其基本原理是先在半導體材料表面加工 ...

#12. ICP 蝕刻原理 - 軟體兄弟

蝕刻 製程步驟. 蝕刻原理 ... ,而感應耦合電漿活性離子蝕刻（ICP-RIE，inductively coupled plasma reactive ion etching）正符合上述要求，其以離子源之物理性作用， ...

#13. 「icp蝕刻」+1 (Inductively - 藥師家

感應耦合型電漿(Inductively coupled plasma, ICP). ,第二章感應耦合電漿蝕刻與AlGaN/GaN HFET. 本章我們將介紹氮化鎵之基本材料性質、閘極掘入工作原理與電漿蝕刻基.

#14. 什麼是蝕刻(Etching)？

在IC晶片裝配時，四項需要蝕刻的材料是單晶矽、多晶矽、介電質（矽氧化 ... 達到蝕刻的目的，而乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)，電漿蝕刻 ...

#15. 以SF6/O2/Ar 感應偶合電漿蝕刻碳化矽材料

構，探討氣體混合比例與製程時間對蝕刻產生之表面形貌及表面粗糙 ... 2-3 電漿之原理及應用 ... 感應偶合式電漿(Inductively Coupled Plasma，ICP)：腔體上方或.

#16. 行政院原子能委員會委託研究計畫研究報告

(四)ICP 乾蝕刻製程. ... 了在碳化矽背向通孔中最常見的問題，蝕刻柱狀物的形成與避免。 ... 輸線原理(transmission line theory)來探討，金屬導線在高頻操作下，.

#17. icp蝕刻 - 雅瑪黃頁網

搜尋【icp蝕刻】相關資訊的網站及服務公司，方便你快速正确找到所需的資料。 ... 利用蝕刻與高分子鈍化保護交替的製程，稱為Bosch Process，圖二為原理示意圖，圖二(a) ...

#18. icp etch 原理

icp etch 原理. 1.各向同性與各向異性蝕刻( Isotropic and Anisotropic Etching) 不同的蝕刻機制將對蝕刻後的輪廓(Profile)產生直接的影響。. 如下圖所示，純粹的化學 ...

#19. 等離子刻蝕機 - 中文百科全書

感應耦合電漿刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產生的射頻輸出到 ...

#20. 乾蝕刻技術 | 蘋果健康咬一口

乾蝕刻機台原理- C.R.Yang,NTNUMT.-2-.濕式蝕刻法.乾式蝕刻法.溼式與乾式蝕刻.電漿.蝕刻.遮罩層.結構層...感應耦合電漿離子蝕刻機ICP示意圖.Page11.

#21. 等離子刻蝕機_百度百科

等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面 ... 它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈，以 ...

#22. ICP蝕刻設備｜莎姆克

Explore SAMCO's Line-ups in ICP (Inductively Coupled Plasma) Etching Systems with small foot print and robust design.

#23. Chapter 7 電漿的基礎原理

Chapter 7. 電漿的基礎原理 ... 蝕刻. • PVD. • 離子佈植. • 光阻剝除. • 製程反應室的乾式清洗 ... 感應耦合型電漿(Inductively coupled plasma, ICP).

#24. 7 Plasma Basic 7 Plasma Basic

說明在蝕刻製程及化學氣相沉積(CVD)中. 使用電漿的好處 ... 發光顏色的變化被用來決定蝕刻和反應室清潔的終. 端點(endpoint). ... Inductively Coupled Plasma (ICP).

#25. Etch - 電漿蝕刻產品

KIYO系列產品. Atomic Layer Etch (ALE) Reactive Ion Etch. Lam Research領先市場的導體蝕刻產品能以 ...

#26. 以光電化學溼式蝕刻氮化鎵之研究張良勇

本研究以光電化學蝕刻為基礎加上偏壓來引誘大量的電子-電洞對，加速氮化鎵氧化還原反應， ... 4 1.2.3 ICP蝕刻． ... 12 2.3 外加偏壓之光電化學溼式蝕刻原理．

#27. icp蝕刻原理 乾蝕刻技術 | 藥師+

2-.濕式蝕刻法.乾式蝕刻法.溼式與乾式蝕刻.電漿.蝕刻.遮罩層.結構層....大學機電科技學系.C.R.Yang,NTNUMT.-11-.保護製程步驟.蝕刻製程步驟.蝕刻原理 ...。

#28. 晶圓的處理－ 微影成像與蝕刻

（photolithography）步驟. 塗敷光阻劑. 溶解度會隨曝光程度改變. 曝光. 改變光阻劑溶解度. 顯影. 去除溶解度較高的光阻劑. 蝕刻. 移除未被光阻劑覆蓋的. 晶圓外膜.

#29. 乾蝕刻機臺原理 - UMJJ

9/7/2014 · 鈦能科技股份有限公司Talon Technologies Co.，以便理解全貌並了解乾蝕刻今後的課題與展望。 Dry ETCHING制成原理_圖文_ ...

#30. 反應式離子蝕刻機RIE - ishien vacuum 部落格- 痞客邦

反應式離子蝕刻機RIE（Reactive Ion Etching）介紹【蝕刻原理】 在半導體製程中，蝕刻（Etch）被用來將某種材質自晶圓表面上移除。蝕刻通常是利用腐蝕 ...

#31. 【面板制程刻蚀篇】史上最全Dry Etch 分类、工艺基本原理及良 ...

在半导体以及LCD制程中，纯化学反应性蚀刻应用的情况通常为不需做图形转换的步骤，如光阻的去除等。 行家说. 基于化学反应机制的理想乾蚀刻过程. 如上图所 ...

#32. 半導體乾蝕刻技術| 誠品線上

作者, 野尻一男. 出版社, 白象文化事業有限公司. 商品描述, 半導體乾蝕刻技術：日本生產工程權威獎項得主力作，圖解與表格詳實，帶領工程師掌握半導體乾蝕刻技術的 ...

#33. 新泰真空科技有限公司- 1.反應離子刻蝕反應離子刻 ... - Facebook

PE模式原理 3. 電感耦合等離子體（ICP） 除了PE及RIE機台，array製程最常用到的還有ICP（Inductively Coupled Plasma ）模式。 ICP的上電極是一個螺旋 ...

#34. 半導體製程技術 - 聯合大學

選擇性蝕刻是將光阻上的IC設計圖案轉移到晶圓表面. ▫ 其他的應用: 光罩製作, ... 測量在蝕刻製程中物質倍從晶圓移除的速率有多快. ... ICP反應室示意圖. 製程氣體.

#35. 高密度電漿(High Density Plasma) -..:: 馗鼎奈米科技股份有限 ...

所謂高密度電漿的定義在低氣體密度與高電漿密度，從原理說明知道電漿形成係靠碰撞，一旦將氣體 ... 感應耦合式電漿(Inductively Coupled Plasma, ICP)所謂感應耦合式電 ...

#36. 使用感應式耦合電漿反應式離子蝕刻系統蝕刻氮化矽與氮化鈦

在乾蝕刻氣體CHF3/O2的流量為20/10 SCCM的情況下得到了高達9的SixNy對TiN選擇比。 ... 論文中除了詳細描述蝕刻過程外，也介紹了各成長系統原理及電漿物理、蝕刻反應。

#37. 半導體材料

霧狀晶圓的對準原理. (a)傳統光罩，和(b)相移光罩的成像的解析度比像 ... 三種乾蝕刻終點偵測器之原理圖 ... 圖6.12 ECR蝕刻機的概略圖. 圖6.13 ICP蝕刻機的概略圖 ...

#38. Chap9 蝕刻(Etching)

乾式蝕刻的原理. ◇乾式蝕刻是以電漿，而非濕式的溶液，來進行薄膜蝕刻的. 一種技術。 ◇乾蝕刻的優點為非等向性蝕刻。 ◇乾蝕刻的非等向性主要是利用粒子轟擊的物理 ...

#39. 半導體乾蝕刻技術 - Taaze讀冊生活

圖解乾蝕刻技術的原理與實務，讓你一讀即懂。 ... 為何Poly-Si及Al的蝕刻使用ICP（電感耦合式電漿）之類的高密度電漿，而SiO2的蝕刻則使用中密度電漿 ...

#40. ICP-RIE设备工作原理介绍 - 知乎专栏

ICP -RIE全称是电感耦合等离子体刻蚀机，是半导体芯片微纳加工过程中必不可少的设备，可加工微米级纳米级的微型图案（如下图所示）。其基本原理是先在 ...

#41. 介電質常壓電漿產生器之開發及其於質譜分析之應用 - 國立中山 ...

裝置可利用光纖連接光譜儀測得大於5 ppm 的氯化鈉溶液，測量原理. 是利用ICP 將原子激發而產生輝光，輝光的波形會顯現出特定元素的. 特徵，此種技術也被稱為ICP-OES ...

#42. 多晶矽製絨技術的介紹 - 材料世界網

技術，以及新開發的金屬輔助蝕刻與乾蝕刻的技術原理與發展進度，並且分析各技術目前的 ... 多晶矽太陽電池(Multi-crystalline Solar Cell)、酸蝕刻製程(HNA Etching)、 ...

#43. 鎳基高強度暨高深寬比微模仁陣列之研製Design and ...

(Inductively coupled plasma-reactive ion etching, ICP-RIE)製作矽晶母模（原理示意圖見圖. 三所示）。實驗蝕刻反應氣體為SF6，鈍化氣體是C4F8。使用n型100 方位之四吋矽 ...

#44. 半導體＆ ETCH 知識，你能答對幾個？ - 吳俊逸的數位歷程檔

答：利用IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓表面的水份去除. 測Particle時,使用何種測量儀器? 答：TencorSurfscan. 測蝕刻速率時,使用何者量測儀器?

#45. 半導體乾蝕刻技術– TreeMall書城

日本生產工程權威獎項得主力作，圖解與表格詳實，帶領工程師掌握半導體乾蝕刻技術的全貌，提升現場即戰力。 ... 圖解乾蝕刻技術的原理與實務，讓你一讀即懂。

#46. 乾蝕刻

乾蝕刻工程簡介工程部ARRAY課Dry Etching ? 呂佳謙賴彌正? 內容大綱(Outline) Dry Etching 基本原理及應用? Dry Etching 反應機制;蝕刻終點偵測? Dry Etching 評價項目?

#47. 乾蝕刻技術乾蝕刻技術Dry etching technique Dry ... - 9lib TW

乾蝕刻沒有液態的蝕刻溶液，主要分為物理濺擊或離子銑削、電漿蝕刻、與介於兩者之間的活性離子蝕刻三類，右圖是三者蝕刻特性與壓力、激發能量的分類關係圖。

#48. PECVD去除二氧化矽與RIE的區別是什麼？ - 微百科

RIE：Reactive Ion Etching, 作為蝕刻用途，那麼需要一個向下轟擊的 ... 答：由於ICP與PECVD的工藝原理有差別，所有PECVD一般沒有DC BIAS和VPP的 ...

#49. 儀器預約系統

感應耦合電漿反應式離子蝕刻機, ICP RIE. 原理介紹書 · 使用指導書. 放置地點 電機二館331室, 指導教授. 管理員 林群涵, 目前狀態 正常 預約狀態 ...

#50. 蝕刻機原理– 台灣公司行號

製程上，透過黃光製程來定義出想要的圖形，利用蝕刻. 來得到。 半導體的蝕刻... 結構與操作原理. TCP9400(多晶矽乾蝕刻機)為科林研發之蝕刻機，. 為一高密度蝕刻 .

#51. 半導體製造、晶圓環境、品質控制的化學分析 - Thermo Fisher ...

製造環境引起的晶圓污染; 藉由ICP-MS 分析製程所用化學品和試劑中的超微量金屬; 離子層析法（IC） ... 用於清潔晶圓表面或在晶圓表面蝕刻材料的化學試劑、酸、鹼和溶劑 ...

#52. 乾蝕刻技術 - Fytob

作者於1989年，以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。1994年，以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。 圖解乾蝕刻技術的原理 ...

#53. 乾式蝕刻機 - Hyzzk

請問半導體製程的乾蝕刻技術? – Yahoo!奇摩知識+ 請問有人可以給我半導體製程中”乾蝕刻”的相關資訊與原理嗎，請盡量不要給我網址叫我自己去爬文，謝謝 ...

#54. 【金石堂讀物性價比高】 半導體乾蝕刻技術 - udn部落格

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#55. 開發高密度電漿深蝕刻技術應用於矽晶圓切割 - 國立成功大電子 ...

中文關鍵詞：, 矽深蝕刻、電漿切割、感應耦合式電漿、Bosch製程、深反應性離子蝕刻. 英文關鍵詞：, deep silicon etching、plasma dicing、inductively coupled ...

#56. 一篇文章读懂等离子体刻蚀- NAURA创新

... 感应耦合等离子体ICP(Inductively coupled plasma)和微波ECR 等离子 ... 的介绍了等离子体刻蚀中的主要几个过程，但是对于原理性的描述非常有限。

#57. 等離子刻蝕機 - 中文百科知識

等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕，是乾法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在 ...

#58. 基座冷卻結構設計及其在電漿蝕刻製程之應用

[2] 李世鴻， “半導體工程原理” ，全威圖書 (1997). ... 溫度0°C時，基座溫度可以降低至60°C，而從電漿參數改變顯示，ICP功率所產生的熱能對基座冷卻影響能力最強。

#59. 半導體乾蝕刻技術 搶鮮 - :: 痞客邦::

圖解乾蝕刻技術的原理與實務，讓你一讀即懂。 ... 為何POLY-SI及AL的蝕刻使用ICP（電感耦合式電漿）之類的高密度電漿，而SIO2的蝕刻則使用中密度電漿 ...

#60. 太陽電池之大面積電感耦合電漿乾蝕刻粗糙化製程開發研究成果 ...

在現今的乾蝕刻製程技術上，低壓、高密度的ICP電漿蝕刻系統將逐漸取代傳統式電漿 ... 方電極使用靜電夾盤，利用靜電力的原理來固定玻璃基板或非晶矽/玻璃基板試片。

#61. 國立中央大學光電中心SENTECH ICP 電感耦合電漿蝕刻機使用 ...

B 級使用者. 1. T 級使用者實機操作次數達8 次以上(二個月內) (每日最多累計2 次). 須有訓練員簽名，並在使用紀錄簿上登記）。 2. 上機實作考試。 3. 系統原理口試。 4.

#62. 半導體乾蝕刻技術- PChome 24h書店

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#63. 5、干货！掌握这两个电压（Vdc&Vpp），就理解了DRY ETCH ...

Vdc是一种直流偏压（DC），也称为自我偏压（self bias voltage），是DRY ETCH原理上非常重要的一个参数，下面通过平行板反应离子蚀刻机台进行说明。 前面 ...

#64. 宏捷科技股份有限公司- 蝕刻設備工程師 - 104人力銀行

乾蝕刻設備維修及保養( RIE & ICP ) ( AMAT P-…。薪資：月薪36000元以上。 ... 半導體經驗尤佳，有乾蝕刻經驗尤佳 ... 2.對於蝕刻原理及相關參數有基本了解 ...

#65. 知識力

濕式蝕刻技術(Wet etching) ... 乾式蝕刻所使用的機台稱為「乾式蝕刻機」，如＜圖一＞所示，微波主要是外加電磁波 ... 圖一乾式蝕刻機的構造與原理。

#66. 半導體乾蝕刻技術 - 金石堂

圖解乾蝕刻技術的原理與實務，讓你一讀即懂。 ... 為何Poly-Si及Al的蝕刻使用ICP（電感耦合式電漿）之類的高密度電漿，而SiO2的蝕刻則使用中密度電漿於間距狹窄的平行 ...

#67. icp 電漿原理

原理 簡介. 感應耦合電漿原子發射光譜法Inductively Coupled Plasma Optical. Emission Spectrometry, ICP – OES 對水樣中多元素進行分析時，樣品先.

#68. 電子材料連水養(S. Y. Lien) 電漿的基礎原理、製程與應用

電漿的基礎原理、製程與應用 ... 電漿蝕刻. ▫ 氧化物蝕刻製程，在電漿中使用CF. 4. 產生氟(F)的自由基 ... ICP可以在低壓的狀態(幾個毫托)製造. 高密度電漿.

#69. 電漿的基礎原理www.tool-tool.com

蝕刻 和CVD兩製程都希望在低壓下能得到高密度的電漿。 ○ICP和ECR是最普遍的高密度電漿源。 ○CP和ECR電漿源都能夠單獨控制離子的轟擊流通量和能量。 離子佈植.

#70. 反應離子蝕刻

平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統中，ICP被用作高密度離子源，從而增加了蝕刻速率，而單獨的RF偏壓被施加到基板（矽晶片）上，在基板 ...

#71. icp ccp 原理

icp ccp 原理. · PDF 檔案. 電漿的基礎原理2 目標• 列出至少三種用到電漿的半導體製程• 列出電漿中的主要三種碰撞• 說明平均自由路徑• 說明電漿如何增強蝕刻及CVD ...

#72. 用於電漿蝕刻腔室之變壓器耦合電容調諧匹配電路 - Google ...

乾蝕刻之其中一類為利用感應耦合電漿蝕刻設備所執行之電漿蝕刻。 ... 情況下，預期可應用依據於此所述之原理及實施例的匹配電路而達到期望之電漿處理系統的匹配功能。

#73. 「蝕刻升級篇」剖析幹蝕刻和溼蝕刻的作用、製程及其原理

蝕刻蝕刻 的作用：線路成型蝕刻分為幹蝕刻與溼蝕刻，其區別如下： 幹蝕刻：利用不易被 ... ICP=Inductively Coupled Plasma（電感耦合等離子體蝕刻）.

#74. 半導體乾蝕刻技術口碑必買 - 博客來好書年終慶

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#75. 半導體乾蝕刻技術↓最新 - 痞客邦

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#76. icp plasma原理

ICP 之原理– ICP-OES 基本原理一、 前言年代感應耦合電漿(inductively coupled plasma,ICP)開始應用於 ... 本研究使用之石英玻璃蝕刻機臺為感應耦合電漿離子蝕刻(ICP ...

#77. 学术干货丨Plasma etching 处理材料的原理及应用

一、什么是Plasma（等离子） Plasma 就是等离子（在台湾称为电浆），是由气体电离后产生的正负带电离子以及分子，原子和原子团组成。

#78. 半導體乾蝕刻技術pdf epub mobi txt 電子書下載2021

圖解乾蝕刻技術的原理與實務，讓你一讀即懂。 ◎由製程直到設備、新技術，更進一步設置有關電漿損傷的章節，以便理解全貌並瞭解乾蝕刻今後的課題與展望。

#79. 半導體乾蝕刻技術 搶鮮 - :: 痞客邦::

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#80. ICP-RIE操作說明書 - 豆丁社区

ICP -RIE操作說明書 ... 反應式離子蝕刻原理(Integratedcircuit) 的製造過程中，常常需要在晶圓上做出極細微尺寸的圖案(pattern)，這些圖案最主要的形成方式乃是使用 ...

#81. 半導體工藝工程師

熟悉SiC二極管和MOSFET器件的工作原理. 具有設計過程控制監視器的經驗(PCM) ... 濕法蝕刻工藝的工作經驗, RIE / ICP蝕刻, 金屬剝離圖案, 等等. 晶圓切割等後端處理, ...

#82. 半導體乾蝕刻技術 特賣 - :: 痞客邦::

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#83. 半導體乾蝕刻技術- 樂天書城

樂天書城Rakuten樂天市場線上商店，提供半導體乾蝕刻技術等眾多優惠商品、會員獨享下殺優惠券、點數回饋、信用卡 ... 圖解乾蝕刻技術的原理與實務，讓你一讀即懂。

#84. 電漿電子密度與射頻峰值電壓回授控制電漿蝕刻製程之研究

作者(中文):, 黃竑旻. 論文名稱(中文):, 電漿電子密度與射頻峰值電壓回授控制電漿蝕刻製程之研究. 指導教授(中文):, 林強柳克強. 指導教授(外文):, C. Lin K. C. Leou.

#85. 南台科技大學 - 旋寶好化學

4-3-2 感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma, ICP)深蝕刻模型........ 53 ... 作動原理為反應物質在電極表面進行氧化還原反應並生成法拉第電流為檢測之訊.

#86. 剖析干蚀刻作用、制程及其原理 - 江苏志文半导体科技有限公司

ICP =InductivelyCoupled Plasma（电感耦合等离子体蚀刻）. Chemical +physical (ion). 上部是coil状的诱导电极，下部是bias电源。

#87. Rie 蝕刻

介電材料活性離子蝕刻系統a Dielectric Materials Reactive Ion Etching ... Inductively Coupled Plasma Etching Icp Oxford Instruments 万博手机 ...

#88. 蝕刻機原理 - Sword

蝕刻 機原理. Dry etching（干蝕刻）. 將特定氣體置於低壓狀態下施以電壓，將其激發成各種不同的帶電荷離子、原子團、分子以及電子（這種物質狀態稱為Plasma）並利用 ...

#89. 乾式蝕刻及研磨去層次 - MA-tek 閎康科技

化學蝕刻去層次; 離子乾蝕刻去層次; 機械研磨去層次. 在層次去除應用上，以故障結構分析及逆向工程為主。在故障分析上可藉由層次去除，確認在製程中所發生的缺陷, ...

#90. 蝕刻技術

涵蓋的內容包括電漿產生的原理、電漿蝕刻中基本的物理與化學現象、電漿蝕刻的機制、電漿 ... 感應耦合式電漿(ICP, Inductive Coupled Plasma)或變壓耦合式電漿(TCP, ...

#91. 乾蝕刻設備

乾蝕刻工程簡介工程部ARRAY課Dry Etching ? 呂佳謙賴彌正? 內容大綱(Outline) Dry Etching 基本原理及應用? Dry Etching 反應機制;蝕刻終點偵測? Dry Etching 評價項目?

#92. 【蚀刻升级篇】剖析干蚀刻和湿蚀刻的作用、制程及其原理 - 网易

ICP =Inductively Coupled Plasma（电感耦合等离子体蚀刻）. Chemical +physical (ion). 上部是coil状的诱导电极，下部是bias电源。

#93. 【icp原理電漿】與【icp原理】的網路資訊整理 - dow10k logo

【icp原理】的新聞內容,購物優惠,廠商名單都在城市黃頁。 ... ICP 為具有高電漿密度低氣體壓力(high density low pressure, HDLP) 之蝕刻技術，可廣泛應用於微製造技術 ...

#94. 乾式蝕刻機5分鐘看臺股/2020/11/30早盤最前線按一下以檢視

參考資料[1] 半導體製程技術導論[2] 乾蝕刻製程暨機臺原理簡介檔案大小: 1MB 三協光電股份有限公司，000: CF-E09: ICP Etcher-感應耦合式電漿蝕刻 ...

#95. 乾蝕刻機台原理

半導製程原理與概論Lecture8.蝕刻技術.(Etching).嚴大任助理教授..有機清洗1台. 無機清洗1台. 石英管清洗1台. 晶片旋乾機（3"、4"）. 各1台.。 答：無wafer自動干蝕刻 ...

#96. 乾蝕刻半導體製程簡介 - Thomblake

3. 使用限制: 本機臺屬於半導體前段製程機臺基板僅能使用6 吋矽晶片，把沒有被光阻覆蓋及保護的部分，製程及其原理– 每日頭條”> 採用Panasonic製高性能ICP，但卻是如同 ...

#97. VCSEL 技術原理與應用 - 第 177 頁 - Google 圖書結果

為避免形成兩段式蝕刻側面,可行的解決方法有兩種,其一為乾式活性離子蝕刻之後再輔以磷酸— ... 同時改用感應耦合電漿活性離子蝕刻(ICP-RIE)設備來改善乾式蝕刻製程。