因此款行動電源規格/價格較高,過保後使用者抱持救救看的想法將其送來檢查,經檢查後也的確是電池發生故障,更換電池後就恢復正常運作,不過此款行動電源在電池組所安裝的電路板,對六串的電池組僅有平衡的作用,無獨立過充/過放/過電流保護用MOSFET,也只提供溫度給主控電路板,所以等到電池已經完全過放,行動電源無法運作後,使用者才會發現已經出問題。另外此行動電源結構較緊湊,全功率充電/放電時內部溫度較高,雖然已經內建一個小風扇,內部溫度升高時會運轉,但為避免在高溫下加速電池老化,使用時最好要注意散熱
mosfet符號 在 Analog Devices台灣亞德諾半導體股份有限公司 Facebook 的精選貼文
ADI Video:LTspice:SOAtherm教程
在高功率水準下驗證熱插拔設計不超出MOSFET的限值是一個極大的挑戰。幸運的是,利用LTspice IV®等電路模擬器可以針對熱行為和SOA進行建模。LTspice中的SOAtherm-NMOS符號包含一系列MOSFET熱模型,旨在簡化這一任務。這些熱模型可以用來驗證設計不超出MOSFET最高晶片溫度,即便在Spirito區域中,所允許的電流在高汲源級電壓下呈指數級下降,也可進行驗證。理論上,SOAtherm會報告MOSFET晶片上的溫度最大值。SOAtherm模型可以在不影響電路模擬的電特性的前提下預測MOSFET的溫度。本視頻介紹了如何使用LTspice中的SOAtherm模型,並重點介紹了電路設計人員如何輕鬆評估應用的SOA需求以及所選的N通道MOSFET是否合適。
https://youtu.be/jMMZkUPc-Bg
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