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mosfet飽和區條件 在 コバにゃんチャンネル Youtube 的最佳解答

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2021-10-01 13:19:08 有 9 人看過 有 1 人喜歡
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mosfet飽和區條件 在 大象中醫 Youtube 的最佳解答

大象中醫 By 大象中醫

2021-10-01 13:10:45 有 0 人看過 有 0 人喜歡
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大象中醫

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長照是一個劇變的旋轉舞台 百年難得一見 沒有準備的人 被旋轉舞台甩出去 不是坐下就是躺下 而大象中醫是太極的推手 推動著旋轉舞台 讓 所有爬不起來的人 背後有一股推手力量 支撐再站起來
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mosfet飽和區條件 在 大象中醫 Youtube 的精選貼文

大象中醫 By 大象中醫

2021-10-01 13:09:56 有 0 人看過 有 0 人喜歡
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大象中醫

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mosfet飽和區條件 在 [問題] 將mos設計為開關的方法- 看板Electronics 的推薦與評價


作者linpogin213 (linpogin)
看板Electronics
標題[問題] 將mos設計為開關的方法
時間Mon Feb 8 11:05:03 2021

目前對於mos的應用有點搞不太清楚
該如何將mos設計為一開關使用
若將mos設為開關，需控制在歐姆區操作
Vgd>Vt, Vgs>Vt,此時Vds很小就能當作開關使用

有疑問的部分是我該怎麼設計一簡單電路為開關線路呢？需注意的部分有哪些

還有一個問題是飽和區的條件為Vgd<=Vt, Vg>=Vt,此時Vds很大

這部分是調整Rd去控制mos在飽和區或歐姆區嗎？還是有其他方式可以調整Vds的電壓

--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 101.10.29.42 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1612753505.A.EC2.html
→ samm3320: 當開關不會操作在飽和區 02/08 11:29
→ samm3320: 飽和區的vds 也不用很大，超過vgs-vt 就行了 02/08 11:31
推 taipoo: google「MOS 開關電路」找圖片，就有一堆電路圖範例了 02/08 11:33
→ linpogin213: 嗯 我知道開關是要用在歐姆區，但要怎麼確保mos工作 02/08 11:35
→ linpogin213: 在歐姆區呢？ 畢竟只差在Vgd>Vt這部分 02/08 11:35
→ samm3320: vg拉高你就很難在飽和區啦 02/08 11:39
→ samm3320: 你要把mos 當作可變電阻來思考 02/08 11:39
→ samm3320: vgs拉電阻變很小，你要保持很大的vds操作在飽和區代表你 02/08 11:40
→ samm3320: 要灌很大的電流給他 02/08 11:40
→ samm3320: 電流不夠他就會自然在歐姆區 02/08 11:41
→ samm3320: 當開關很多時候根本沒電流，只有電容負載，自然不會在 02/08 11:42
→ samm3320: 飽和區 02/08 11:42
→ linpogin213: 所以基本上Vgs>Vt都能操作在歐姆區，除非Rd太小或VDD 02/08 11:54
→ linpogin213: 太大，才有可能導致mos進飽和區嗎 02/08 11:54
→ linpogin213: Vgs調大，Id變大，Rds(on)變小，Rd不變的情況下Vds 02/08 11:56
→ linpogin213: 變小，就能操作在歐姆區 02/08 11:56
→ samm3320: vgs>vt你本來就可以設計Id來決定要把mos操作在飽和還歐 02/08 12:00
→ samm3320: 姆區 02/08 12:00
推 taipoo: 基本上，MOS電流是跟通道開啟的開口寬度有關，Vgs不大時， 02/08 12:04
→ taipoo: 通道一端開口隨Vgs愈大愈大，但Vgs大到一個程度時，通道開 02/08 12:04
→ taipoo: 口就達到極限寬度了，此時通道開口幾乎是最大的，而歐姆區 02/08 12:04
→ taipoo: 跟飽和區的差別，就在於通道開口是否有限或可微調了 02/08 12:04
→ linpogin213: 據我目前的理解，Rd不變的情況下，單調整Vgs的話，會 02/08 12:24
→ linpogin213: 影響Id的大小，進而影響Vds，但在Vgs不變的情況下， 02/08 12:24
→ linpogin213: 若要決定歐姆區或飽和區的話，應是調整Rd來決定Vds， 02/08 12:24
→ linpogin213: 此時便能控制Vds大小進而控制mos在歐姆區或飽和區， 02/08 12:24
→ linpogin213: 我這理解是對的嗎 02/08 12:24
推 mmonkeyboyy: 你要什麼開關? 0/1 analog? 02/08 12:26
→ linpogin213: 單純就是Vgs拉H，Vd拉L的開關而已，只是L要拉的確實 02/08 12:29
→ linpogin213: ，若不小心在飽和區的話，L就非0V了吧 02/08 12:29
→ samm3320: 邏輯開關根本沒電流，怎麼跑到飽和區 02/08 12:36
→ linpogin213: Vgs拉H，mos導通，不就會有Id電流嗎 02/08 13:46
→ linpogin213: 02/08 13:47
→ linpogin213: 單純這種電路 02/08 13:48
→ samm3320: 欸因為現在大多都用cmos邏輯了，你要用nmos 邏輯的話那 02/08 14:42
→ samm3320: 就是Rd要放夠大 02/08 14:42
推 andyping: 數位用transmission gate就ok啦 nmos 就是會加負載之類 02/08 16:01
→ andyping: 的 02/08 16:01
推 mmonkeyboyy: 樓上正解 所以我才問到底要什麼開關 02/09 00:20
→ mmonkeyboyy: on/off的拿到TG就解了 別串太多就好 02/09 00:22
推 oldhan1: 買零件插板一測就明白了 04/15 23:35






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飽和區 ：又稱為「定電流區」、「夾止區」，此時FET之DS間的通道存在但最窄，在此 ... VP：夾止電壓(由VDS決定)，達此條件後FET有效通道仍存在、但ID不再隨VDS增加而為 ...

#68. [問題] 將mos設計為開關的方法 - PTT 問答

需注意的部分有哪些還有一個問題是飽和區的條件為Vgd<=Vt, Vg>=Vt,此時Vds很大這部分是調整Rd去控制mos在飽和區或歐姆區嗎？

#69. MOS晶體管 - 台灣Word

在臨界飽和點之前的工作區域稱為非飽和區，顯然，線性區是非飽和區中VDS很小時的一段。繼續在一定的VGS條件下增加VDS (VDS>VGS-VTN)，在漏端的導電溝道消失，只留下耗 ...

#70. 以高性能SiC MOSFET設計電力電子

SiC MOS結構表明，在特定電場條件下，由於障壁(barrier)高度較小，相較於 ... 快開關，因此在發生飽和效應之前，4-pin元件的電流也會上升到更高的值。

#71. Vdsat、Vov、Vds聯繫與區別– 科技始終來自於惰性

vds>vdsat管子工作在飽和區 vds. Vov=Vgs-Vth,用MOS的Level 1 Model時，不考慮短溝道 ... MOSFET Modeling and BSIM3 user's Guide, 1999.

#72. 107 學年度技術校院四年制與專科學校二年制統一入學測驗電機 ...

下列有關雙極性接面電晶體（BJT）操作於順向主動（active）區之條件描述，何者正 ... 體流過之電流為10mA且順向電壓為2V，電晶體工作於飽和區且VCE之飽和電壓視為零，.

#73. 轉載-詳解功率MOS管引數 - IT人

電力MOSFET工作在開關狀態，即在截止區和非飽和區之間來回轉換。電力MOSFET漏源極之 ... 最大額定引數，所有數值取得條件(Ta=25℃). 轉載-詳解功率MOS ...

#74. Chapter 6 金氧半場效電晶體及相關元件- ppt download

產生原因： 主要是因為MOS操作時所產生的電子電洞被氧化層內的雜質或未飽和鍵所 ... 56 飽和區（續） 當汲極電壓大於VDS(sat)反轉電荷為零的點往源極移動，此時電子 ...

#75. MOSFET結構及其工作原理詳解 - ITW01

文章摘要： 耐壓500V以上的MOSFET 的額定結溫、額定電流條件下的導通電壓很高4. ... 電力MOSFET工作在開關狀態，即在截止區和非飽和區之間來回轉換。

#76. CMOS設計手冊—基礎篇

當MOS管處於堆積區時，柵極到地的電容Cgb的主體部分經過了襯底的大寄生 ... 工作在飽和區的短溝道MOSFET的漏電流隨著\(V_{GS}\)線形增加，而長溝道 ...

#77. OP用BJT和MOS的優缺點在那?－第1頁 - 電子工程專輯.

大家相信都有用過OPA741 現在相似的OP很多種不過有的用BJT有的用MOS 有 ... 兩種操作模式：線性區與飽和區，線性區適用於放大電路，而飽和區則為開關 ...

#78. MOS管驅動電壓最大是多少 - 程式人生

也就是說，能夠使用過驅動電壓來計算飽和區的電流。 ... PMOS的工作條件是在柵上相對於源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯 ...

#79. MOSFET基本原理、引數及米勒效應全解 - 趣關注

SOA是由幾個限制條件組成的一個漏源極電壓uDS和漏極電流iD的關係圖，MOSFET正常工作 ... 電力MOSFET工作在開關狀態，即在截止區和非飽和區來回切換。

#80. 105學年度統一入學測驗電機子群專一試題

如右圖所示電路，若MOSFET 電晶體之轉移電導m ... 二極體流過之電流為10 mA 且順向電壓為2 V，電晶體工作於飽和區且CE. V 之飽. 和電壓視為零，則下列何者正確？

#81. 電晶體飽和狀態 - 華人百科

飽和 狀態就是電晶體的一種低電壓、大電流工作狀態(即開態).對於BJT(雙極型電晶體)和對於FET(場效應電晶體),飽和狀態的含義大不相同，要特別注意區分開來。

#82. 認識場效應管MOSFET - GetIt01

圖1.2，三極體和MOSFET的導通條件的對比 ... 不同大小的Ibe會使三極體分別處於截止、放大及飽和區；MOSFET是電壓型器件，意思是MOSFET的控制只關注Vgs ...

#83. MOS器件的重要特性——15個為什麼？ - 壹讀

對於溝道夾斷的飽和，因為夾斷區的長度會隨著其上電壓的增大而有所增大，則使得剩餘溝道的長度也將隨著源-漏電壓而減短，從而就會引起源-漏電流相應地隨著 ...

#84. MOS器件的重要特性為什麼 - 道客文檔

（6）為什麼mosfet的飽和區跨導大於線性區的跨導？ 【答】飽和區與線性區都是出現了溝道的狀態，但是它們的根本差別 ...

#85. 【Maker 電子學】漫談交換式電源的原理與設計—PART 7

由於Q3 無法真正進入飽和區，它上面的功耗會隨著電流增加越來越大，使得用NPN ... 的外部開關電晶體時，要注意一個限制：N-channel MOSFET 導通的條件 ...

#86. MOSFET基礎| 它的工作原理和4個重要的渠道效應 - Lambda ...

MOSFET 基礎知識特別是作為金屬氧化物矽晶體管參與晶體管技術. ... 在飽和區，隨著V的增加，高場的長度（被視為高場的ΔL）隨著源的增加而增加DS，其效果就像有效通道 ...

#87. 基於過驅電壓與電流調校之運算放大器設計 ... - 國立勤益科技大學

過驅電壓降低了輸入共模範圍，因而由VICM 的觀點來看，VOV 應儘可能. 的選擇較小的值。 運算放大器的輸出信號擺幅所容許範圍的下限是由維持M7 操作. 在飽和區的條件所決定 ...

#88. AN-1001 了解功率MOS 规格参数

在输出特性方面，主要介绍欧姆区、线性区、截止区。图中显示在不同的栅极电压条件下所. 定义的ID 与VDS 的曲线。当VGS<VGS(TH)， ...

#89. nmos 開關條件

3、MOS開關管損失不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上 ... 如果要繼續保持導通(飽和區)，需滿足兩個條件： (1)Vgs>Vth，Vth為1.4V ...

#90. 認識電晶體Datasheet 及電晶體代換 - QSL.net

電晶體(Transistor) 一詞是好幾種放大元件的泛稱，包涵BJT, J-FET, MOSFET, ... 以上兩項是電晶體在飽和區的特性，將電晶體做為開關時時需要參考這項 ...

#91. MOSFET 和IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 - 德州仪器

本报告对目前较为流行的电路解决方案及其性能进行了分析，包括寄生器件的影响、瞬态和极端工作条件。 本文从MOSFET 技术和开关运行概述入手，按照由易而难的顺序，对各 ...

#92. MOS 額定電流問題- Analog/RFIC討論區 - Chip123 科技應用 ...

換句話說，此時飽和區中MOS額定電流取決於最大的Vgs(閘極對源極) ... 而且以上的說明主要是解釋哪些會影響MOS源極電流的因素，只是當電壓條件(Vgs, ...

#93. nmos 開關條件第3

電力MOSFET工作。找到了mos飽和區條件相… [問題] PMOS的Gate輸入正電壓，E (射極) 以及B (基極) ...

#94. mosfet 開關設計

在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。 ... 需注意的部分有哪些還有一個問題是飽和區的條件為Vgd.

#95. mos 電流公式大學物理相關內容討論:增強型PMOS - Scsc

以下公式中，Upper MOS R DS，則驅動電晶體偏壓在非飽和區，進而產岥大量的電子與 ... 2016-01-09 電力mosfet導通條件是什么且什么13; 2017-09-19 為什么漏極飽和電流 ...