#科基百科 所謂砷化鎵呢,是由鎵和砷兩種元素所合成的化合物,分子式為「GaAs」。
這種化合物是種很常見的半導體材料,會被用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半導體雷射器和太陽電池等等元件。
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咦?半導體材料?那不是矽 (Si)、鍺 (Ge) 等等元素嗎?
嘿嘿,除了元素之外,化合物也能做半導體喔!
尤其是現在邁向 5G 的新世代,過去的半導體材料會遇到一些困境。
像是「矽」的導通電阻過大,易造成電能損耗,在電子裡跑得不夠快、不能做高頻,又不耐高電壓,不適合做高功率元件。
面對這種種缺點,製作端便需要不斷開發新的材料來尋找別的可能。
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目前第二代半導體材料便是以砷化鎵為主,在製作技術上較為純熟,同時能用來製作高頻元件,但它不耐高電壓,所以仍有不少優化空間。
你可能很好奇,有了第二代,會有第三代嗎?
還真的有,像是氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 目前都是非常熱門的新秀,未來最適合 5G 時代的半導體材料之王會是誰呢?讓我們繼續看下去!
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正確用法:新時代來臨?用砷化鎵迎擊!
錯誤用法:堅持用矽,一百年,不許變!
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參考資料:數位時代《5G帶動半導體新戰場,氮化鎵能當下一個材料寵兒嗎?要先克服兩大挑戰》、維基百科《砷化鎵》
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延伸閱讀:
不再只有0與1:台灣團隊發表新世代記憶體材料「鐵酸鉍」的光控技術
https://pansci.asia/archives/flash/162289
導電但不導熱:夢幻的熱電材料「二氧化釩」——《科學月刊》
https://pansci.asia/archives/119044
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優點:
1.採用GaN氮化鎵+SiC碳化矽功率元件,提高轉換效率,降低整體發熱
2.內建功率因數修正,提高功率因數,於同樣實功率消耗下可降低線電流、無效虛功、電流波形失真度及諧波
3.兩個USB-C加一個USB-A,自動偵測PD/PPS/QC/AFC/FCP/SCP等主流快充協議,部分輸出組帶電壓補償,可依照連接狀況修改輸出電壓組、最大電流及限流門檻,最大輸出120W
4.附贈100公分倍思小白系列5A 100W充電傳輸線及收納袋,可收折式插頭設計,方便攜帶
缺點:
1.測試中部分輸出組發生測試中電壓突然中斷又接通的情形
2.測試中部分輸出組的電流截止點比起PDO所標示的最大值要低
3.長型機身設計,插座方向將決定其佔用縱向或橫向空間
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