ldd半導體 在 Re: [閒聊] 半導體產品有多難做? - 看板C_Chat 的評價 千空回: : "半導體是地獄阿" : "需要5年,不,10年的時間" : 10年. ... LDD離子布植現在要做n/p-doped well上面往gate oxide靠近的n+/p+部分,做法跟2-a ... ... <看更多>
ldd半導體 在 C_Chat - Re: [閒聊] 半導體產品有多難做? - PTT情感投資事業版 的評價 LDD 離子布植、側壁(Spacer)成長、蝕刻5. 源極(Source)、汲極(Drain)離子布植6. 金屬矽化物(Silicide)成長7. 配線成長懶得畫圖了,借用一下維基的圖做 ... ... <看更多>
ldd半導體 在 Re: [閒聊] 半導體產品有多難做? - c_chat | PTT動漫區 的評價 LDD 離子布植、側壁(Spacer)成長、蝕刻5. 源極(Source)、汲極(Drain)離子布植6. 金屬矽化物(Silicide)成長7. 配線成長懶得畫圖了,借用一下維基的圖做 ... ... <看更多>
ldd半導體 在 Re: [閒聊] 半導體產品有多難做? 的評價 LDD 離子布植、側壁(Spacer)成長、蝕刻5. 源極(Source)、汲極(Drain)離子布植6. 金屬矽化物(Silicide)成長7. 配線成長懶得畫圖了,借用一下維基的圖做 ... ... <看更多>
ldd半導體 在 Re: [請益] 第一份工作是整合工程師未來發展性如- tech_job 的評價 ... 解釋為甚麼要有LDD;也可考慮body effect(Vt受到body沒有與source接在 ... 甚麼: 在半導體製程很多時候都是電性要求是首要考量然後才是結構最後 ... ... <看更多>