我的方法如下首先JFET與MOSFET分類成兩大類1.JFET與空乏型MOSFET 2.增強型MOSFET 判別進入飽和區條件有兩個. ... <看更多>

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參考圖片:https://i.imgur.com/6rx5sn8.jpg?1 想請問，照片右手邊部分，飽和區的公式是VDS>VGS-VT。我想請問這條公式是怎麼得到的? 那這樣VGS在正常情況下不是都要 ... ... <看更多>

小弟有個想不透就是如果mos作為開關導通s和d的電壓應該要很接近（可能有Rdson的一點壓降）那為什麼會操作在飽和區呢？還是我有哪裡觀念錯誤了？ ... <看更多>

需注意的部分有哪些還有一個問題是飽和區的條件為Vgd<=Vt, Vg>=Vt,此時Vds很大這部分是調整Rd去控制mos在飽和區或歐姆區嗎？ ... <看更多>

增強型MOSFET判別進入飽和區條件有兩個1.有通道2.已夾止第一類JFET與空乏型MOSFET判別飽和區公式1.有通道(表示未截止)公式為|Vgs|<|Vp| ===>適用n p ... ... <看更多>