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交大光電所劉柏村特聘教授分享其研發多年之「超臨界流體技術：氣液態共存態」，此技術可應用於前瞻單晶堆疊三維積體電路（Monolithic 3D IC）製程、平面顯示薄膜電晶體陣列（TFT array）製程，以及軟性電子與薄膜元件製程技術，其特色為低溫（小於200℃）製程，可應用於各式軟性或硬式基板製程。
此外，劉教授研發之「鍺次氧化物移除方法」專利亦為一種應用超臨界流體於鍺基金氧半場效電晶體元件之製程技術，可提升鍺半導體通道表面的品質，有效降低鍺基金氧半場效電晶體元件的閘極漏電流。
劉柏村特聘教授研發之「半導體元件製造方法」專利技術，應用微波退火技術於非晶態金屬氧化物半導體製程中，可以有效提升氧化物薄膜電晶體元件的效能與電性可靠度。
交通大學和工研院在微波退火技術的合作研究至今已進行三年多。一開始是因為交通大學因研究而需要 5.8 GHz 工業規格的微波退火設備，但高頻微波的 5.8 GHz 磁控管技術尚未進入成熟階段，元件壽命不長，大約 500 小時就要換一根微波管，成本高昂，經費負擔極為沉重。
國立交通大學電子物理系教授趙天生表示，交通大學做元件，工研院做設備，雙方一拍即合，國家奈米元件實驗室則提供半導體製程實作的潔淨室。早在合作之前，交通大學就已發表多篇微波退火技術的相關論文，若能成功推向商業化，無論是現在的 12 吋或未來的 18 吋晶圓，都能節省大量的元件製程時間。
整體而言，單片晶圓的均勻性從 95％ 達到 99.5％，優於國內半導體廠商要求的 99％。
工研院研發的「半導體 微波退火 」 技術 採用2.45GHz微波管，成本僅工業等級5.8GHz的1/10、平均使用壽命長6倍，且產出晶圓均勻性達99.5%，超越廠商99%的 ... ... <看更多>
【只要30秒， 技術 你就瞭】 精密的半導體製程不斷突破，工研院、交通大學、國家奈米實驗室攜手合作研發「半導體 微波退火 」，將家用微波爐使用的低頻 ... ... <看更多>
微波退火技術 在 【AG-T】微波退火 的推薦與評價
隨著摩爾定律的演進，半導體的製程線寬越做越窄，工研院、交通大學及國家奈米實驗室三方合作的「半導體 微波退火 」 技術 ，把微波爐的低頻微波應用在製程 ... ... <看更多>