【蘋果iPhone12拉動台積電】
台灣積體電路製造有限公司（TSM）是世界上第一家也是最大 晶片代工廠龍頭，市場份額估計在51.5%到53.9%之間。排在第二的是三星電子（場外交易：SSNLF）（場外交易：SSNNF），市場份額估計為17.4%至18.8%。台積電的獨特之處在於，自1987年成立以來，它一直保持領先地位，並繼續大力投資先進的晶圓科技和工藝，以保持其領先地位，鞏固其在不斷增長的細分市場中的地位。
電路製造市場有多大？TMSC的增長速度有多快？
全球半導體製造市場預計將從2019年的420億美元左右增長到2025年的620億美元以上，複合年增長率為6.75%。
相比之下，台積電第二季營收較前一季增長28.9%，上半年營收增長35.2%，均以新台幣計算，雖然季度營收同比增幅在2009年第一季度之前出現了持續下滑，但第二季度仍出現正增長，自第三季度以來，以新台幣計算的營收同比增幅已達兩位數。很明顯，台積電最近幾個季度的表現明顯好於整體市場，尤其是上半年
台積電擁有最高的EUV或極紫外線裝機基數，達50%，以及全球晶圓產能的60%，顯示出其在電晶體鑄造市場的主導地位
短期增長指標
H2-20也將成為收入強勁增長的時期，原因如下：
首先，除了未來的iMac和MacBook機型外，蘋果公司（Apple，Inc.）已經將台積電（TSMC）的A14仿生晶片的全部5nm容量用於即將推出的iPhone12和其他設備。據信蘋果對台積電在2019財年的營收貢獻率高達20%，我們預計，隨著幾款核心設備即將上市，下半年至2020年也將出現類似的業績
其次，在蘋果將nano階梯升級到台積電的5nm節點之後，其他客戶很快就開始接受7nm的預訂。AMD預計將佔據最大份額，並將在H2-20成為台積電最大的7nm客戶
在第三季，該公司的收入在112億至115億美元之間，與第二季度的104億美元相比，連續增長率在7.9%至10.8%之間，與第三季度的94億美元相比，同比增長19%至22.3%
2020年7月和8月的月度收入數據分別同比增長25%和16%。第三季度前兩個月的收入已經達到80億美元，而去年同期的收入為67億美元，增長率超過19%。2019年9月的收入為35.5億美元；只要今年再與之匹配，該公司就可以超越自己的上限。假設2020年9月的年比收入保守增長10%，那麼第三季度的收入將強勁增長，約為119億美元，而普遍預期為118億美元
總的來說，台積電預計，儘管美國監管挑戰和流感大流行的不確定性可能帶來不利因素，但台積電預計收入將以美元計增長20%左右：
近期內，它們將與客戶進行動態合作以儘量減少美國新法規對業務的影響。從中長期來看，它們認為5G相關應用和高性能電腦應用的潜在大趨勢仍然保持不變，供應鏈可以自我調整和重新平衡。憑藉它們的科技領先優勢，它們完全可以抓住中長期的增長機會。
行業、醫療保健業等。
5G市場現時傾向於7nm和5nm晶片科技，但我們最終會看到向5nm和3nm以及更多的方向轉變。這也是台積電長期營收增長的來源。現時，7nm是整個市場的焦點，佔據了第二季度晶圓收入的36%，但下半年預計對5nm的需求強勁，並在最終為整體收入貢獻約8%。由於蘋果已經預定了公司2020年下半年的全部5nm產能，台積電將在2021年需求激增之前，尋求在產能擴張方面投入更多資金。然而，由於人工智慧和機器學習（機器學習）的快速增長，對7nm晶圓的需求仍然很大，預計未來幾年這兩個市場的複合年增長率都將超過40%。
投資者角度
未來幾年，我們將看到的增長勢頭在很大程度上依賴於今年對產能擴張的投資，以及未來的資本支出支出。因此，快速看一下這些財務資料就可以了。
截至2020年6月30日，台積電的流動比率為1.4，速動比率為1.2，這意味著有足够的流動性來處理短期債券。由於帳面上沒有重大債務，上半年至2020年尾經營活動產生的現金流強勁，達124億美元，反映台積電的財務狀況良好
該公司同期為普通股支付了43億美元的股息，派息率為55%。現時，收益率約為2%，但10年增長率為16%，3年增長率為29%，這表明儘管該業務屬於資本密集型，但資本配置做法良好。因此，1年期、3年期和5年期的總回報率分別為87%、149%和364%。同期的價格回報率分別為82%、124%和291%
晶體配位數 在 [心得] 配位數、晶體讀得霧沙沙請入內- 看板SENIORHIGH 的推薦與評價
我一直有個印象，就是高中時晶體結構讀得超混亂的
但也有可能是我記錯了，所以才有前一篇文
雖然看板上消息，離子晶體其實好像沒在考了?
算了，反正一些傳統名校和補充教材八成還是會教，所以還是來講講
－－－以下正文－－－
首先，配位數到底是什麼？
配位數在高中時，如果是金屬，指的是一顆原子旁邊相鄰原子數
如果是離子晶體，指的是以一顆陽離子為基準，圍繞在其周遭的陰離子數目
這邊其實還不至於混淆，不過到大學後，有再特別討論這塊的話，會寫陽：陰離子配位數
接下來就是重點了，關於結構的問題
沿用上一篇的圖
以及推文
推 elvis533: 左邊是金屬，右邊是離子化合物，都是BCC
高中時我這邊唸得很混亂，只能靠死背
不過實際上，大學後碰到這塊，是有能有效處理的系統在的
在大學，左邊一樣是BCC沒有問題
右邊的話，其實不只是國內，我去查國外的一些教材，也是有分歧出現
毫無爭議的講法的話，右邊的晶體結構名稱是叫Cesium Chloride，絕對不是叫BCC
（不過在高中，作答時還是叫它BCC比較安全）
或用化學式簡稱為CsCl結構
在這裡，結構的名稱即是用同結構中具代表性的離子晶體來稱呼
例如氯化鈉，高中時稱面心立方結構，但這邊稱為Rock Salt結構
但如果是在牽涉到陰陽離子堆積(packing)的討論時，至少有兩種以上的說法
不過比較主流的說法是，在描述離子晶體時通常有以下規則
「先決定陰離子的架構，再來描述陽離子」
與高中相比，就比較不會混淆了
但這規則也秉持著化學這個科目的優良傳統，有規則即有例外
像是反螢石結構，因為它陰陽離子的排列等於與螢石結構互換，就不太適用於這規則
下面是補充
依據J.Lima-de-Faria定出的規則，化合物AX，在陰離子X半徑大於陽離子A的半徑下
X分別有三個上標來配合表示：c、h、sc分別指的是CCP、HCP、simple cubic結構
A也有三個上標可用來表示：t、o、cb分別指的是T-site、O-site、8-fold site
高中的大家應該對A的表示法比較陌生，但在這裡不做太多說明
總之，BCC和FCC各自有不同的T-site、O-site位置
而這是一套先決定了陰離子X堆積的結構後
再來決定陽離子A會堆積填充在結構中的哪種位置的系統
(注意，陽離子A不一定會把該結構中的該種位置全部填充完)
以CsCl為例，即A(cb)X(sc)結構
在Cl(-)以simple cubic堆積的架構下，Cs(+)會填充在8-fold site（100%填充）
註:括號中內容為上標
而Rock Salt，即A(o)X(c)結構
在Cl(-)以CCP，即FCC堆積的架構下，Na(+)會填充在O-site（100%填充）
最後舉一個沒有完全填充的例子：
Zinc Blend，即A(t)X(c)結構 （β-ZnS）
在S(2-)以CCP，即FCC堆積的架構下，Zn(2+)會填充在T-site（50%填充）
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※ 編輯: fragmentwing (42.74.137.91 臺灣), 11/07/2020 18:19:51
如果高中為了避免講到T-site O-site而這樣講就還能接受 因為這樣至少不是錯的
當然到大學再碰到的話還是要往精確的說法修改
※ 編輯: fragmentwing (42.74.25.59 臺灣), 11/13/2020 22:56:15
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