「冠名權」不是單純的買與賣!
文 / DIGITIMES 總經理暨電子時報社長黃欽勇
電視新聞上看到柯P侃侃而談,要將台北市的公共建築命名權授權給企業界,此事應得到社會的全面支持,只是業界會如何看待這件事呢?
上週應邀到京都羅姆(Rohm)講課,羅姆這家系統整合半導體元件大廠(IDM),在靜岡與京都,各有一座12吋與8吋廠,總部位於京都市區,建築物上的Logo配合京都政策,不用標準的紅色,而與街道巧妙融合。成立59年的Rohm,創辦人是具有音樂家背景的電阻器發明人,Rohm的好友西村先生說,老闆多次參加音樂大獎賽總是鎩羽而歸,最後轉而投入電阻器的研發。
無心插柳,反倒事業有成的Rohm,在京都左京區的岡崎參與很多文創事業,甚至承諾以50年50億日圓的經費,贊助京都劇院,並取得50年的冠名權。這座可以容納2,005人入座的歌劇院,傳承著東西方文化的精髓作品。Rohm除了每年承諾的贊助費之外,還幫忙打點邀請世界級的音樂家、演奏家到京都表演。其中包括執世界牛耳的指揮家小澤征爾。小澤每年都會到京都,並成立「小澤征爾音樂塾」,這是企業家與藝術活動的美好結合。Rohm這四個英文字,是Reliable OHM的縮寫,”Reliable”這個字,說來容易,要堅持50年就不容易了!
在京都羅姆劇院之旁,還有京都美術院,冠名權則落在另外一家電子大廠「京瓷(Kyocera)」手上,同樣也是50年50億日圓。我們都很明白,全世界頂級的藝術成就,如果沒有企業家的幫忙,一般民眾很難參與人類文明的頂級饗宴,而藝術家也很難心無旁騖的練習、創作。
每年大約100萬美元的贊助費,是成就,是負擔,還是因為由衷的認同,而願意與社會共享呢?您能想像,台北最好的建築,命名權落在「阿貓阿狗」的公司,或者哪天會賣出「加料油」的企業手上嗎?
#黃欽勇 #京都 #羅姆 #電子時報 #DIGITIMES
電阻英文縮寫 在 黃欽勇 Facebook 的最佳解答
「冠名權」不是單純的買與賣!
一早電視新聞上看到柯P侃侃而談,要將台北市的公共建築命名權授權給企業界,只是企業界會怎麼看這件事呢?
我上週剛應邀到京都羅姆(Rohm)講課回來,羅姆這家系統整合半導體元件大廠(IDM),在靜崗與京都,各有一座12吋與8吋廠,總部位於京都市區,建築物與街道巧妙的融合。成立59年的Rohm,創辦人是具有音樂家背景的電阻器發明人,Rohm的好友西村先生說,老闆多次參加音樂大獎賽總是鎩羽而歸,最後憤而投入電阻器的研發。
無心插柳,反倒事業有成的Rohm,在京都左京區的岡崎,參與很多文創事業,甚至承諾以50年50億日圓的經費,贊助京都劇院,並取得50年的冠名權。這座可以容納2,005人入座的歌劇院,傳承著東西方文化的精髓作品。Rohm除了每年承諾的贊助費之外,還幫忙打點邀請世界級的音樂、演奏家到京都表演。其中包括執世界牛耳的指揮家小澤征爾。小澤每年都會到京都,並指導Rohm的樂團,這是企業家與藝術活動的美好結合。Rohm這四個英文字,其實是Reliable OHM的縮寫。
在京都羅姆劇院之旁,還有京都美術院,冠名權則落在另外一家電子大廠「京瓷」手上,同樣也是50年50億日圓。我們都很明白,全世界頂級的藝術成就,如果沒有企業家的幫忙,一般民眾很難參與這種人類文明的頂級饗宴,而企業家也很難心無旁騖的練習、創作。
每年大約100萬美元的贊助費,是成就,是負擔,還是因為由衷的認同,而願意與社會共享呢?您能想像,台北最好的建築,命名權落在「阿貓阿狗」的公司,或者哪天會賣出「加料油」的企業嗎?
電阻英文縮寫 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的精選貼文
#氮化鎵GaN #電源管理 #功率因數校正PFC #Cascode #聯結構電晶體
#圖騰柱TotemPole #總諧波失真THD #過流保護OCP
【GaN 功率元件強勢降臨】
被稱為第三代半導體材料的「氮化鎵」(GaN) 新興工藝技術,用於功率因數校正 (PFC)、軟式切換 DC-DC 等電源系統設計,以及電源轉接器、太陽能逆變器、伺服器和通訊電源等各種終端應用,可實現矽元件難以達到的高電源轉換效率和功率密度水準,為交換式電源供應器和其他在能效及功率密度至關重要的應用,帶來性能的飛躍。GaN 具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度,能負載的工作溫度也更高。
GaN 提供高電子遷移率,意味著切換過程的反向恢復時間可忽略不計,故擁有低損耗、高切換頻率優點。前者加上寬頻元件的高結溫特性,可降低散熱量;後者則可減少濾波器和無源元件的使用 (如:變壓器、電容、電感等),進而減少系統尺寸和重量、提升功率密度,有助設計人員實現緊湊的高能效電源方案。同為寬頻元件,GaN 比 SiC 成本更低、更易於商業化,具備廣泛採用的潛力,包括:工業、電腦、通訊、LED照明及網路領域的各種高壓應用。
採用單排直插 TO-220 封裝,更易於根據客戶現有製板能力進行整合。基於同一導通電阻等級,與高壓矽 MOSFET 相較,第一代 600 V 矽基 GaN (GaN-on-Si) 元件即可提供 4 倍以上的閘極電荷、更優的輸出電荷、同級輸出電容和 20 倍以上的反向恢復電荷,未來技術水準將持續演進。Cascode 相當於由 GaN HEMT 和低壓 MOSFET 組成:GaN HEMT 可承受高電壓,過電壓能力達到 750 V,並提供低導通電阻;低壓 MOSFET 則提供低閘極驅動和低反向恢復。
HEMT 是高電子遷移率電晶體的英文縮寫,通過二維電子氣在橫向傳導電流下進行傳導。使用 600 V GaN Cascode 的三大好處是:
★具有卓越的自體二極體特性:串接建立在低壓矽技術上,且反向恢復特別低;
★容易驅動:設計人員可使用像普通 MOSFET 一樣的傳統閘極驅動器,採用電壓驅動,且驅動由低壓矽 MOSFET 的閾值電壓和閘極電荷決定;
★高可靠性:透過長期應用級測試,且符合 JEDEC 行業標準——零個擊穿、最終的漏電流和導通電阻皆低於規格門檻。
在連續導電模式 (CCM) 升壓 PFC 拓墣中,在 200 KHz 和 120 Vac 輸入的條件下,Cascode GaN 較超結合Si (SJ Si) 提升近 1% 的效率;隨著頻率升高,GaN 的優勢將更明顯。採用 GaN還可實現「圖騰柱」(Totem Pole) 電路,較傳統 CCM 升壓 PFC 提供更高能效。高能效的電源轉換有利於軟切換電路拓墣結構回收能量,如:相移全橋、半橋或全橋 LLC、同步升壓等。受惠技術發展和市場成長,有望降低 GaN 的採用成本。
延伸閱讀:
《安森美半導體推進更快、更智慧和更高能效的GaN電晶體》
http://compotechasia.com/a/ji___yong/2016/0428/31784.html
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圖檔取材:pixabay.com
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