It works when the source is at the same potential as the substrate. But not all NMOS transistors will have their sources connected to the ... ... <看更多>
pmos body effect 在 MOSFET Operation 的推薦與評價
For the NMOS, the drain is at the top of the symbol, while for the PMOS the ... We can define a body effect coefficient or body factor by. ... <看更多>
pmos body effect 在 Re: [討論] Body effect與電路設計- electronics | PTT學習區 的推薦與評價
引述《ihlin ()》之銘言: : ※ 引述《pow (FeiFei)》之銘言: : : 雖然PMOS的Bulk是n-well(假設是p type substrate) : : 可是硬要把B接到S 在layout的時候還是挺麻煩 ... ... <看更多>
pmos body effect 在 Re: [問題] MOS的Body effect - 看板Electronics - 批踢踢實業坊 的推薦與評價
※ 引述《andy2007 (...)》之銘言:
: MOS電晶體裡面有 Body effect 這個效應
: 裡面有個公式:
: _________ ___
: Vtn = Vto + γ( √Vsb + 2ψ - √2ψ )
: 由維基百科知道的:https://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET
: 上課用的Razavi - Design of Analog CMOS Integrated Circuit 課本也常提到,
: 請問這個公式是怎麼推導過來的呢?有什麼書目是有講解推導的?
: Google上面也查不太到啊...
: 麻煩各位前輩們幫忙了,謝謝前輩們。<(_ _)>
對n-channel的MOSFET而言, _______
在空乏區的單位面積電荷 Qd = -2√εqNqψ (ψ應該為 ψF, F為下標。)
(ε應該為 εs, s為下標。)
如果在substrate與source有電壓VB(在n-channel為負值)存在,此時空乏區會變大
______________
新的Qd' = -√2εqNq(2ψ-VB)
又Vt = -Qd/Ci + 2ψ
ΔVth = Vt' - Vto
= -(Qd'-Qd)/C (ψ消去)
______________ _______
= -(-√2εqNq(2ψ-VB) + 2√εqNqψ )/Ci
______ ________ ___
=(√2εqNq / Ci) *〔√(2ψ-VB) -√2ψ 〕 (提出共同項)
_________ ___
對比到原po的公式, Vtn = Vto + γ( √Vsb + 2ψ - √2ψ )
______
Vtn =-Vto = ΔVth, γ = (√2εqNq / Ci), Vsb = -VB
如果VB >> 2ψ(典型值約0.6V),那
______ ____
ΔVth~(√2εqNa / Ci) *〔√-VB)〕 (n-channel)
___
ΔVth~(√2εqNd / Ci) *〔√VB)〕 (p-channel)
物理意義就是當存有VB時,Vth是會增加。
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「君知刻酷之積怨,不知忠厚亦能積怨也。夫煢煢孱弱,慘被人戕,就死之時,楚毒萬狀
。孤魂飲泣,銜恨九泉,惟望強暴就誅,一申積憤。而君但見生者之可憫,不見死者之可
悲,刀筆舞文,曲相開脫,遂使兇殘漏網,白骨沉冤。君試設身處地,如君無罪無辜,受
人屠割,魂魄有知,旁觀讞是獄者,改重傷為輕,改多傷為少,改理曲為理直,改有心為
無心,使君切齒之仇,從容脫械,仍縱橫於人世,君感乎怨乎?不是之思,而詡詡以縱惡
為陰功,被枉死者,不仇君而仇誰乎?」
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