《下世代顯示器技術如何翻轉你我生活?》
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你可能看過摺疊手機,聽過可捲曲平板、電視螢幕,
應材顯示與柔性技術事業群產品行銷經理Kerry ,
為我們揭開OLED顯示器的下一個大事件!
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OLED薄膜電晶體(TFT) 技術,擁有自發光功能,架構更簡單,
因此相較於傳統液晶(LCD)技術,擁有諸多優點🔽
▋更好的色域、視角 👉 擁有更優異的顯色效果
▋更低的耗能、運行溫度 👉 更省電
▋反應時間極快 👉 更少的動態模糊
▋面板更薄且具可撓性 👉 更多產品可能性
這麼多的優點,你可能疑惑為何OLED還無法完全取代傳統液晶螢幕呢?
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即使架構簡單,OLED所需材料以及製程技術較為複雜,
因此,在追求8K解析度及大尺寸的同時,
成本以及產量一直是OLED的大挑戰!
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Kerry說,解決這些問題,需要從材料改革著手,
以金屬氧化物(MOx)取代傳統低溫多晶矽(LTPS)作為顯示器背板,
是大幅降低成本的一種方式,
其中氧化銦鎵鋅(IGZO)這一類的MOx被視為是實現未來的有效解答!
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在MOx的製程方面,
應材提供最佳解決方案(BKM),結合PVD和CVD技術,
透過單室製程,形成高度均勻的薄膜,讓製程具關鍵的成本效益。
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未來,透過材料及製程的持續優化,OLED將掀起一場顯示器界的新革命。
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《OLED:顯示器的下一個大事件》中譯全文:https://www.appliedmaterials.com/zh-hant/nanochip/nanochip-fab-solutions/november-2020/oled-displays-next-big-thing?rc=true
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Touch Taiwan 2021
4/21 (三) 15:50-16:15 應材大中華區面板事業群總經理郭怡之說給你聽!
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cvd製程 在 台灣應用材料公司 Applied Materials Taiwan Facebook 的精選貼文
【氮化鎵技術的來臨-實現未來與應材的承諾】
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你有沒有發現🤔
💡 智慧型手機的電池容量越來越大,充電速度卻更快!
💡 傳統的車用鉛酸電池,充電 7.5 小時只能行駛約 120 公里,但特斯拉的 Model 3 ,充電 35 分鐘就能行駛 499 公里!
💡 現今 700 多萬個數據中心的總消耗功率,相當於在 2019 年全球用電量所佔比例約 2%,所產生的二氧化碳排放量,幾乎等於全球航空業的二氧化碳排放量。
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與前兩代的半導體材料矽(Si)和砷化鎵(GaAs)相比,第三代的碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)滿足了體積小、功率高、損耗少等要求,讓這些裝置近幾年在功能上突飛猛進,隨著氮化鎵技術的普遍應用,依據系統需求採用不同技術與材料的趨勢更加明確。
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應材鑽研材料工程協助客戶實現未來的同時,
也致力履行對環境、社會及公司治理 (ESG) 的承諾,
提升晶片製造的節能效率,打造更加永續公正的供應鏈。
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應材市場策略推廣總監 Llewellyn Vaughan-Edmunds
也分享了為生產氮化鎵裝置的縝密考量:
「 製造 GaN 元件的每個程序都必須非常精準,
才可以讓元件發揮最佳性能和可靠性。 」
製造GaN 元件,都考驗著MOCVD, Etch, CVD, PVD及電鍍等關鍵製程的要求。
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👇來看專家更詳細的見解 👇
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https://www.appliedmaterials.com/zh-hant/nanochip/nanochip-fab-solutions/july-2020/gan-technology-is-coming-of-age-as-power-consumption-grows
cvd製程 在 台灣應用材料公司 Applied Materials Taiwan Facebook 的最佳解答
【 新.選擇性鎢沉積技術,讓我們與5奈米以下的距離,更近了!】
雖說EUV興起讓我們順利進入5奈米以下的時代,
然而隨著電晶體尺寸縮小,
在製程上也同時為2D微縮帶來了其他的技術瓶頸。
▪ #電晶體接觸電阻成為PPAC阻礙 ▪
傳統上,電晶體接觸通孔需襯上黏著層和氮化鈦阻障層,
接著利用沉積技術產生成核層,最後使用鎢來填滿剩餘空間。
然而襯墊阻障層好似晶片的動脈硬化斑,阻撓電子流動,
嚴重影響PPAC (chip power, performance and area/cost)表現。
▪ #選擇性鎢沉積_鎢填充通孔_PPAC表現更好 ▪
應材全新 Endura® Volta™ 選擇性鎢化學氣相沉積系統
(Selective Tungsten CVD),
可讓低電阻的鎢原子在電晶體接觸點通孔內
自下而上無分層、無縫、無間隙進行選擇性沉積,
幫助PPAC表現更好;
電晶體的節點微縮與觸點,
也能縮小至5奈米、3奈米,甚至更小。
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👇 看看動畫,30秒瞭解應材新式選擇性鎢沉積技術的神奇
http://blog.appliedmaterials.com/introducing-breakthrough-2d-scaling
👇 前情提要
▪ 應材解決平面微縮的瓶頸,以及為什麼需要更新、更精進的微縮技術
http://blog.appliedmaterials.com/solving-transistor-contact-resistance-requires-materials-engineering-innovations
▪ 接觸電阻嚴重影響晶片功率、性能
http://blog.appliedmaterials.com/transistor-scaling-gated-contact-resistance
cvd製程 在 CVD鍍膜技術 的相關結果
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