半導體功率開關元件在並聯的應用上需要注意相關的影響因素;在多年發展與經驗的累積下,使用者已經對於矽功率開關元件相當熟悉,但是新的寬能隙元件──氮化鎵功率開關元件(GaN HEMT)──尚在初始研究開發狀態,有別於傳統矽功率開關元件,在並聯上存在更多需要注意的事項。
https://www.eettaiwan.com/20200818ta71-parallel-simulation-analysis-of-gan-power-device/
同時也有4部Youtube影片,追蹤數超過2萬的網紅Marc Yam,也在其Youtube影片中提到,Section IV Electricity and Magnetism 4.2.2 Domestic Electricity Several Parallel Circuits...
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本片會介紹 Action Replay (金手指) 插卡 及 INNOVATION SUPER GB BOOSTER (Gameboy 模擬器)。
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大家好~~ 我係井sir!今日會講到DSE 難度的電路計算,如果有問題請係留言到講呀:) ... <看更多>